【課題】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｒｕ系の金属、およびＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、Ｔａ₂Ｏ₅のうちのいずれか１つまたは複数の金属酸化物からなるターゲットから、工程数を少なくかつ不純物の混入を少なく金属を回収する。
【解決手段】ターゲット１を、貫通孔１２Ｂが底面にある上段ルツボ１２および該貫通孔１２Ｂの下に設けられた下段ルツボ１４を備えてなる２段ルツボ１０の該上段ルツボ１２内で、ターゲット１にＴｉＯ₂およびＴａ₂Ｏ₅のどちらも含まれない場合は１４００〜１７９０℃で加熱し、ターゲット１にＴｉＯ₂が含まれ、Ｔａ₂Ｏ₅が含まれない場合は１４００〜１６３０℃で加熱し、ターゲット１にＴａ₂Ｏ₅が含まれる場合は１４００〜１４６０℃で加熱して、溶融した前記金属を下段ルツボ１４内に流れ込ませて前記金属酸化物から分離する。 （もっと読む）

【課題】 ＰＴＦを改善することができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、その組織が、ＣｏとＣｒとＰｔとを含むＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粒相４と、ＰｔとＣｏとＣｒと非磁性酸化物とを含む結合相であるマトリックス相３との複合組織からなり、マトリックス相３のＣｏ濃度が、２５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 割れ難く機械加工ができる程度まで密度を向上させることができるＣｏ、Ｔａおよび希土類金属を含有する膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。
【解決手段】 希土類金属をＲとしてＲ：５〜１０原子％、Ｔａ：５〜１０原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなるターゲット組成となる割合で、ＣｏとＲとの合金粉末であるＲ−Ｃｏ合金粉と、Ｔａ粉と、の混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリング法に用いる透磁率の低減したスパッタリングターゲット材の製造方法の提供。
【解決手段】 スパッタリングターゲット材の粉末を熱間で固化成形し急冷することで、ターゲット材の結晶構造やターゲット組成または温度によらずターゲット材の透磁率の低減方法で、周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる粉末原料を、あるいは周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、これとＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎおよびＺｒから成る元素群から選択した少なくとも主成分以外の１つの元素の粉末原料を熱間で成形し、冷却速度１４４〜３６０００℃／ｈｒで３００℃まで冷却してターゲット材とする。 （もっと読む）

【課題】無接着剤フレキシブルラミネートのタイコート層又はタイコート層と同等の金属又は合金を金属導体層状に形成する。同時に回路配線のファインピッチ化の妨げとなるサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】少なくとも一方の面がプラズマ処理されたポリイミドフィルムと、その上に形成されたタイコート層と、該タイコート層上に形成された金属導体層を有し、さらに該金属導体層の上に前記タイコート層と同一成分の層を有することを特徴とする無接着剤フレキシブルラミネート。 （もっと読む）

【課題】 アモルファス性が高く、かつ高い結晶化温度を有する磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）_{１００−Ｙ}Ｎｉ_Ｙ）_{１００−ａ−ｂ}−Ｍ_ａ−Ｂ_ｂ、１０≦Ｘ≦７０、０≦Ｙ≦２５、７≦ａ、１≦ｂ≦５、１３≦ａ＋ｂ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／またはＴａである磁気記録媒体用軟磁性膜であって、膜厚が１０〜５００ｎｍである磁気記録媒体用Ｆｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜である。 （もっと読む）

【課題】 高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するターゲットであって、その組織が、少なくともＣｏとＣｒとＰｔとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第１相１と、少なくともＣｏを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第２相２との複合組織からなる。 （もっと読む）

【課題】 高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、その組織が、少なくともＣｏとＣｒとを含む合金相中に非磁性酸化物が分散した第１相１と、少なくともＣｏとＰｔとを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第２相２との複合組織からなる。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバー内で基板を加熱して、次に即座に基板をコーティングする方法に関し、当該方法は、（１）基板の下面を基板ホルダー上に配置する工程、（２）基板を、基板ホルダーに対して所定距離に亘って持ち上げる工程、（３）加熱装置、例えば、放射熱装置を用いて、その上面によって持ち上げ基板を加熱する工程、（４）例えば、コーティングゾーンの中およびそれを通過して移動することによって加熱基板をコーティングする工程、（５）基板をチャック上まで下ろして、基板を冷却する工程、および（６）必要に応じて、冷却基板を更にコーティングする工程を含む。本発明に係る方法は、実施される方法手順を更に可能にし、様々な規定温度を各々の工程の間に基板上に設定でき、および必要に応じて、その後に即座に１以上のコーティングを前記基板温度で行うことができる。例えば、コーティング（抑えた）した後に即座に所定時間に亘って基板を更に高温で保持できる場合も含まれる。
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【課題】凹凸パターンで形成された記録層を有し記録密度が高く磁気信号の記録の信頼性が高い磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４を構成する記録層１６と、を有し、記録層１６の材料はＣｏ、Ｃｒ及びＰｔを含む磁性粒子と、Ｃｒを含み磁性粒子の間に存在する非磁性材料と、を含む材料であり、記録要素１４を構成するＣｏ、Ｃｒ及びＰｔの原子数の合計値に対する記録要素１４を構成するＣｒの原子数の比率が記録要素１４の側壁部１４Ａにおいて記録要素１４の中央部１４Ｂにおけるよりも低くなるように記録要素１４中にＣｒが偏って分布している。 （もっと読む）

【課題】面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板２１をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダ２２と、基板２１の周囲に配設され、基板２１の処理面に磁場を形成する基板側磁石３０と、基板２１の斜め上方に配置され、放電用の電力が印加されるカソード４１と、基板２１の回転位置を検出する位置検出部２３と、該位置検出部２３が検出した回転位置に応じて、前記放電用の電力を制御するコントローラ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】高いＳＮＲを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にＲｕ合金またはＣｏ合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第１加熱工程と、第１加熱工程の後にＣｏＣｒＰｔを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第２加熱工程と、第２加熱工程の後にＣＶＤ法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させる機構のコスト低減に寄与する基板回転装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板回転装置３０は、センタ孔を有する基板を回転させ、キャリア１０に支持された基板９の支持位置を変化させるものであり、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフト３４の端部側に取り付けられ、シャフト３４の進退動に伴って基板９のセンタ孔に挿入することができるピック３２が、センタ孔の内側上部に第１の支持部４３と第２の支持部４１の２箇所で接することができるように構成されており、第２の支持部４１は、第１の支持部４３よりもセンタ孔中心の直上位置から離れた位置に接するとともに第１の支持部４３に対して弾性的に屈曲可能に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、冷却手段４０は、冷却液Ｌが流れる冷却路４６を有し、この冷却路４６がバッキングプレート４１と押え具４２との少なくとも一方におけるマグネット４３，４４と対向する位置よりも外側に位置して設けられ、更に、マグネット４３，４４と一体に回転駆動される空冷ファン４０Ａを配置する。 （もっと読む）

【課題】キャリアからの基板の脱落を防止すると共に、キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】第１の支持部材４１の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第１の支持部材４１が支持台４０の取付面Ｓ１に沿った方向に変位可能に支持され、第２の支持部材４２の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第２の支持部材４２が第１の支持部材４２の取付面Ｓ２に沿って、第１の支持部材４１の熱膨張による水平方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持され、ホルダ３の熱膨張による鉛直方向の伸びに応じて、このホルダ３が第３の支持部材４３の取付面Ｓ３に沿って、第１及び第２の支持部材４１，４２の熱膨張による鉛直方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】 成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｒ：２〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｍ金属（ただし、Ｍ金属はＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌの内のいずれか一種以上）：０．５〜１５原子％を含有し、Ｍ金属は非磁性酸化物として添加されるものであって、さらに全体として配合組成から計算される理論値よりも０．１〜５原子％過剰の酸素を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。
【解決手段】非磁性基体上に少なくとも下地層および磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は結晶粒子と非晶質結晶粒界とからなり、該結晶粒子が、（成長初期の底面積）＞（上部の面積）である形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性を高く維持した上で、耐候性に優れた非晶質膜である垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金および軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】原子比でＣｏ：Ｆｅ＝９０：１０〜３５：６５の組成比のＣｏ−Ｆｅ系合金において、添加元素としてＹを４原子％以上および（Ｔａ、Ｎｂ）から選ばれる１種または２種の元素を３原子％以上含有し、かつ該添加元素の含有量の総和が１５原子％以下の軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金、該合金による軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材。 （もっと読む）

【課題】処理面近傍に形成する磁場の強度を変更しても処理面近傍に均一な磁場を形成することが可能であり基板上に成膜する磁性薄膜の磁気異方性を良好に揃える。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板の処理面に磁性薄膜を成膜する成膜機構と、基板支持部に支持された基板の処理面に対して該処理面を側方から挟むように互いに対向して配置される一対の磁気部と、処理室内のガス雰囲気を排気するガス排気部と、を備えている。磁気部は、複数の磁気体がそれぞれ配列してなり、基板の中心部を挟む磁気体の配列間隔が、基板の外縁部を挟む磁気体の配列間隔よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】フットプリント（占有床面積）を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を保持する基板ホルダ１８が設置された処理室１２と、該処理室に隣接して配置されたターゲット室２３と、該ターゲット室に挿入された回転軸２９を回転させる回転装置２８と、前記ターゲット室に設置され、前記回転軸が回転軸線に連結された錐形状のターゲットホルダ３０であって、錐面において複数のターゲットを保持するターゲットホルダと、イオンを前記ターゲットホルダに保持された前記ターゲットに照射するイオン源４０と、を有している。 （もっと読む）