【課題】既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＣｏＷ系ターゲット材の相対密度が１００％で、かつ加工性に優れたＣｏＷ系ターゲット材の作製を可能にしたハードディスクドライブ用のＣｏＷ系ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣｏＷ系ターゲット材において、原料となるＣｏ粉末の平均粒径を５０〜５００μｍ、Ｗ粉末の平均粒径を１０〜２００μｍとしたことを特徴とするＣｏＷ系ターゲット材。また、上記ＣｏＷ系ターゲット材において、Ｗの含有量を３０〜８０ａｔ％としたことを特徴とするＣｏＷ系ターゲット材およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性薄膜を形成するためのＣｒを添加したＦｅＣｏＢ系ターゲット材を提供する。
【解決手段】 ＦｅＣｏＢ系ターゲット材において、ターゲット材はＣｒを含有し、かつターゲット材は組成の異なる２種以上の合金粉末を原料とし、この合金粉末を混合して成形したものであり、この合金粉末は少なくとも１種または２種以上が、ＦｅとＣｏを合計で６０ａｔ％以上含有し、ＣｒがＢより１５〜２５ａｔ％多く含有し、かつＦｅとＣｏの原子量比がＦｅ：Ｃｏ＝７０：３０〜４０：６０である合金粉末であることを特徴とするＣｒを添加したＦｅＣｏＢ系ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】動圧軸受の内孔壁の微細な溝の加工の困難度を改善することができ、より良い耐磨耗性を有するフォトリソグラフィー技術を用いた動圧軸受とその製造方法する。
【解決手段】内孔を有する軸受本体１を提供するステップ、軸受本体１の内孔壁の表面にフォトレジストを塗布するステップ、フォトレジストが露光された、表面に動圧溝パターンのマスクを有するランプを軸受本体の内孔の中に設置し、露光を行うステップ、フォトレジストに現像を行い、一部のフォトレジストを取り除き、内孔壁を露出するステップ、フォトレジストの保護を受けていない内孔壁上に、堆積層５０を形成するステップ、および内孔壁上に残留しているフォトレジストを取り除き、内孔壁上に動圧溝１２を形成するステップを含む動圧軸受の製造方法。 （もっと読む）

【課題】所望のサイズのクラスターを効率良く得ると共に得られたクラスターを基材へ効率良く堆積させることができるクラスター製造装置及びクラスター製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係るクラスター製造装置及びクラスター製造方法は、一対のターゲットを間隔をおいて互いに対向すると共に下流側に向いて傾斜するように対向配置し、複数のガス供給用毛細管が間隔をおいて同一平面上に配置されると共に、その径ｄｍｍと長さＬｍｍとの比Ｌ／ｄが５００≦Ｌ／ｄとなるように構成されるプラズマ源ガス供給手段によって、プラズマ源ガスを前記一対のターゲット間にシート状気流にして供給し、該供プラズマ源ガスをプラズマ状態にしつつ、前記一対のターゲットから蒸気を発生させ、クラスター発生部とクラスター成長部とが連通する連通部に配設されると共に、軸芯方向において、径が漸減する中空筒状の捕集筒によって、前記蒸気を捕集してクラスター成長部へ導入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気記録層の結晶粒界相を２種類以上の酸化物で形成することで、安定な結晶粒界相を提供し、磁性粒子間の相互作用を低減することで低ノイズ化を実現し、より高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体を得ることにある。
【解決手段】本発明は、磁性層のうち少なくとも１層を、スパッタリング法を用いて２種類以上の異なる組成を持つターゲットを同時放電させながら形成し、さらに該磁性層の微細構造を強磁性の結晶粒と非磁性である酸化物の結晶粒界相とから構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 長尺基材を連続して送りつつ物理的または化学的処理を精度良く行うための基材の搬送機構、特に処理後の基材の機能が付加された部分の長さ方向での厚みのばらつきや表面の傷を抑えるための搬送機構を提供する。
【解決手段】 長尺基材が連続的に供給されて所定の速度で物理的または化学的に処理される基地が置かれ、ここで処理された基材が連続的に回収される搬送機構であって、同基材が、基地の供給側で搬送方向とは逆方向の引張応力Ｔ_１を、基地で摩擦応力Ｆを、また基地の回収側で搬送方向の引張応力Ｔ_２を、それぞれ負荷されており、これらの応力が、Ｆ＞Ｔ_１＞Ｔ_２の関係にあり、前記引張応力Ｔ_１が０の時の該基材の搬送速度が、該基地での搬送速度より大きくなるように、回収側での搬送速度が制御されている長尺基材連続処理用の搬送機構である。 （もっと読む）

本発明は、多数のナノシリンダーがその上に施与されており、その際、それぞれのナノシリンダーは少なくとも４の上下に重なって存在している、１〜１０原子層からなる層を有する基板からなる部材の製造方法に関する。該層は、交互に磁性の元素の原子Ｍと非磁性の元素の原子Ｘとからなり、その際、有利にはＭ＝Ｆｅ、ＣｏまたはＮｉ、およびＸ＝Ｐｄ、Ｐｔ、ＲｈまたはＡｕが選択される。層の数および厚さは、ナノシリンダーの磁気特性に影響を与える。このために、まず準備した基板を、Ａｌ₂Ｏ₃からなるナノポーラス膜により被覆する。引き続き、該ナノポーラス膜により覆われた基板に交互に磁性の元素の原子Ｍと非磁性の元素の原子Ｘとを蒸着させる。最後に、膜の細孔の箇所にナノシリンダーが残るよう膜を除去する。本発明により製造された部材は、磁気メモリー媒体として、回路素子として、またはセンサーとして使用される。 （もっと読む）

【課題】大型基板に膜厚均一な薄膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は主ターゲット２１と、主ターゲット２１よりも小径の補助ターゲット２２とを有しており、補助ターゲット２２の中心軸線（副中心軸線）ｂは主ターゲット２１の中心軸線（主中心軸線）ａよりも、成膜面１２の回転中心ｄから離れた位置で成膜面１２と交差する。主ターゲット２１からのスパッタ粒子で成膜される薄膜３３は成膜面１２の中央で厚く、縁部分で薄くなるようになっており、該薄膜３３の薄い部分には補助ターゲット２２からのスパッタ粒子が多く到達する。従って、成膜面１２の回転中心ｄから外周まで膜厚均一な薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の耐食性を有する軟磁性下地層、及び磁気記録ヘッドの軟磁性薄膜を成膜する。
【解決手段】基板１０１と、該基板１０１上に成膜される下地層１０４と、該下地層１０４上に成膜される磁気データ記録層１０６とを有する磁気記録媒体であって、前記下地層１０４は、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなるものである。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性薄膜を形成するためのＦｅＣｏ系ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＦｅＣｏ系合金において、原料粉末のＦｅとＣｏの質量比がＦｅ：Ｃｏ＝８：２〜７：３である原料粉末Ａと、同じく質量比がＦｅ：Ｃｏ＝２：８〜０：１０なる原料粉末Ｂとを用いて、質量比がＦ：Ｃｏ＝８：２〜２：８となるように原料粉末Ａおよび原料粉末Ｂを混合し、かつ原料粉末Ａと原料粉末Ｂの一方または両方に、Ｎｂ，Ｚｒ，ＴａおよびＨｆの１種または２種以上を原料粉末Ａと原料粉末Ｂの混合状態で合計３〜１５ａｔ％となるように添加したことを特徴とするＦｅＣｏ系ターゲット材およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：４〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結体を、温度：４５０℃以下に保持しながら圧下率：２〜１０％で板状焼結体の厚さ方向に圧縮加工する面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末としてＣｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなるＣｒ−Ｃｏ合金粉末、Ｐｔ粉末、非磁性酸化物粉末（二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムなどの粉末）およびＣｏ粉末を用意し、これら原料粉末を非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる成分組成となるように配合し混合したのち、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスなどの加圧焼結することにより製造する。 （もっと読む）

【課題】生産性を高めることが可能な二層記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１１上に非磁性基板１１と平行な面内に磁化容易軸を有する軟磁性層１２を堆積する軟磁性層堆積段階と、軟磁性層１２上に非磁性基板１１に垂直な磁化容易軸を有する記録磁性層１３を堆積する記録磁性層堆積段階とを含む二層記録媒体の製造方法であって、軟磁性層堆積段階が、軟磁性層１２の比透磁率がイオンアシストのない状態の１．２倍以上となるイオンアシストありのスパッタリングにより軟磁性層１２を堆積する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の非導電性の基板に対してバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置において、生産性を維持したままで、良好にＤＣバイアスを印加することができるようにする。
【解決手段】非導電性の基板１を保持する基台６と、バイアス印加用端子１３を基板１上に成膜された導電性膜に接触させることによってこの導電性膜にバイアス電圧を印加するバイアス印加手段とを備える。バイアス印加用端子１３は、形状記憶合金等、温度に応じて形状が変化する部材によって形成されており、温度変化による変形によって、基台６上に保持された基板１に接離する。 （もっと読む）

【課題】 長時間使用における耐酸化性並びに延性及び靱性が両立した耐酸化膜及びその形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 耐熱金属を有する基材上に、溶射又は蒸着によりＭＣｒＡｌＹ合金（但し、ＭはＣｏ及びＮｉのうちの少なくとも１種の元素を表す）を主として含有するＭＣｒＡｌＹ層を形成し、次いで前記ＭＣｒＡｌＹ層において、前記基材と反対側の面から、該ＭＣｒＡｌＹ層の厚さ方向の一部にアルミニウムを拡散する。 （もっと読む）

【課題】軟磁性層を起因とするノイズの低減と、高い量産性とを両立する。
【解決手段】ハードディスクドライブに搭載される磁気記録媒体の製造方法であって、マグネトロンスパッタリング法による成膜を行う成膜装置を用いて軟磁性層を成膜する軟磁性層成膜工程を備え、成膜装置は、複数の基板１２を並べて保持する基板アダプタと、ターゲット１０４と、複数の基板対応磁場発生部３０２と、補助磁場発生部３０４とを備え、基板対応磁場発生部３０２は、対応する基板１２に形成される軟磁性層の磁化容易軸を当該基板１２の半径方向に揃えると共にマグネトロン放電を発生させるための磁場を発生し、補助磁場発生部３０４は、マグネトロン放電を発生させるための磁場を発生する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の非導電性の基板に対してバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置において、生産性を維持したままで、良好にＤＣバイアスを印加することができるようにする。
【解決手段】複数枚の基板１を略々一平面上に保持する基台６と、複数のバイアス印加用端子１３が設けられた導電性のバイアス印加部材１４とを備える。バイアス印加部材１４は、基台６に対し、基台６上に保持された複数の基板１の略々中央を通り各基板１に対して垂直な回転軸回りに回動可能に支持されており、基台６に対して回動されることにより、複数のバイアス印加用端子１３を基台６上に保持された複数の基板１に対応して接離させる。 （もっと読む）

本発明は、惑星スパッタ堆積法を用いた基板１２の処理のためのスパッタ堆積システム１０及びその使用方法に関する。スパッタ堆積システム１０は、方位角軸１６を有する堆積チャンバ１４を有する。回転部材３０及び３２は、チャンバ１４内に位置しており、そこに設けられた複数のマグネトロン３４を有する。マグネトロン３４それぞれは、複数のスパッタターゲット３６の対応する１つを有する。回転部材３０、３２は、マグネトロン３４それぞれを位置合わせするように構成されており、スパッタターゲット３６の対応する１つからのスパッタ材料は、堆積チャンバ１４に規定された堆積領域５０に向けられる。移送機構６６は、堆積チャンバ１４に位置しており、方位角軸１６回りで回転可能な腕部６８を有する。基板ホルダ７２は、移送機構６６の腕部６８に取り付けられ、かつ基板１２を支持し、腕部６８が基板ホルダ７２を回転して基板１２上にスパッタ材料を堆積するために堆積領域５０を横断させる。
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【課題】近接する高密度銅配線への銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また近接する狭い配線幅でも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】Ｃｒを５〜３０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＣｏからなるＣｏ−Ｃｒ合金膜からなり、膜厚が３〜１５０ｎｍ、膜厚均一性が１σで１０％以下であることを特徴とする高密度銅配線半導体用バリア膜。Ｃｒを５〜３０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＣｏからなるＣｏ−Ｃｒ合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が１００以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）