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Fターム[4K029BA34]の内容

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Fターム[4K029BA34]に分類される特許

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【課題】良質の膜、特に、成膜室内残留水分に起因する酸素及び(又は)水素の取り込みの抑制された膜を形成できるアーク式イオンプレーティングによる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器(成膜室)2内の水分を冷却捕捉する冷却器51部分が室2内に設置されたコールドトラップ装置5と、蒸発源1のカソード11のカソード材料蒸発面111の前方において収束せず平行進行又は発散する磁力線mLからなる磁場をプラズマの生成領域に印加する磁場形成手段300と、カソード材料蒸発面111におけるいずれの位置からも冷却器51を見通せなくするとともに磁場形成手段300が発する磁力線mLに沿ってプラズマが冷却器51へ達することを遮るための遮蔽部材6とを備えているアーク式イオンプレーティングによる成膜装置A。 (もっと読む)


【課題】粉塵の発生が抑制された歯付ベルト、搬送装置、ならびに、伝動装置の提供を課題としている。
【解決手段】歯付プーリーと噛合状態で用いられるべく、ベルト長手方向に複数の歯部が形成されており、該歯部が弾性体により形成されている歯付ベルトであって、前記歯部の表面にはダイヤモンドライクカーボンが被覆されていることを特徴とする歯付ベルトなどを提供する。 (もっと読む)


【課題】 内燃機関の燃費を向上すべく、耐摩耗性、密着性及び耐焼き付き性に優れ、摩擦係数が低い非晶質炭素被膜を表面に被覆した摺動部品を提供する。
【解決手段】 Cr、Mo、及びWからなる群から選択される少なくとも1種類の添加金属と炭素と水素とからなる非晶質炭素被膜を、固体カーボンのターゲット10a、10bと炭化水素ガスとを併用することによって少なくとも表面の一部に形成した内燃機関の摺動部品であって、該非晶質炭素被膜を構成する添加金属と炭素と水素の合計に対する水素の含有率が5〜25原子%であり、且つ前記非晶質炭素被膜中の添加金属と炭素の合計に対する添加金属の割合が0.01〜30原子%であり、該非晶質炭素被膜は水素を含まない非晶質炭素被膜とは接していない。 (もっと読む)


【課題】基材とその基材の表面に形成される非晶質炭素膜とを備え、前記非晶質炭素膜で相手部材と摺動する摺動部材において、低摩擦性を向上させることである。
【解決手段】基材の表面に形成される非晶質炭素膜が、水素を含まない固体炭素を原料とし成膜時にドロップレットが除去されて形成される。これにより、非晶質炭素膜が極めて滑らかな膜となり、低摩擦性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜の高性能化には、光学設計による反射防止が有効であるが、該透明導電膜には十分な導電性を備え、かつ光学設計の自由度の高い材料が必要である。
【解決手段】水素またはアルゴンに二酸化炭素を50体積%以下添加したガスをキャリアガスとして使用するマグネトロンスパッタにより、透明基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物層の表面に屈折率を1.35〜1.85に制御したカーボン膜を形成することが可能となる。
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【課題】高い疲労強度を維持したままで優れた摩擦特性を付与する表面改質方法と、それにより作製されるパワートレイン系部品を提供する。
【解決手段】第1工程として基材11に急速高周波焼入れを行い、1.5mm以下の深さだけ硬化処理が施され、第2工程として、中間層12と被膜層13とを順に堆積させる。成膜時の基材温度を473K以下とする。中間層12として、カーボンターゲットのスパッタリング電力を一定とし、タングステンターゲットのスパッタリング電力を徐々に低下させてMe-DLC膜を基材11に堆積させ、深さが浅くなるに従い硬度が徐々に増加させる。被膜層13として、Wを所定の割合含んだMe−DLC膜13aとDLC膜13bとをそれぞれ所定の厚みで交互に繰り返し堆積させ、硬度の異なる膜を互い違いに積層する。 (もっと読む)


【課題】磁場フィルタ付カソーディックアーク放電を用いた磁気ディスク炭素保護膜の形成方法において、粒径が1ミクロンメートル未満の荷電性異物の発生を抑制する。
【解決手段】炭素を主成分とするカソード13のアーク放電によりプラズマを発生し、発生したプラズマを第1の磁場ダクト17により保持し、第2の磁場ダクト18により処理室27に輸送し、処理室に配置された磁気ディスク基板23に炭素保護膜を形成する。このとき、第1の磁場ダクト17により発生する磁束密度の方向16に対して第2の磁場ダクト18により発生する磁束密度の方向17を反対方向とし、第1の磁場ダクトと第2の磁場ダクトの間に生成される零磁束平面12が、カソードの最表面11と空間的に一致するように、第1磁場ダクト17及び第2の磁場ダクト18により発生する磁束密度を制御する。 (もっと読む)


【課題】より均一なめっきが可能なめっき用導電性基材を提供するとともに、導体層パターン付き基材を転写法を用いて生産性よく製造できるようにする。
【解決手段】基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材1であり、好ましくは、表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材2及びその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に形成されている絶縁層3を有し、その絶縁層3に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部4が形成されているめっき用導電性基材。 (もっと読む)


【課題】プレス金型のコーティング皮膜の耐焼付き性,耐摩耗性を向上し、かつその摩耗を目視で簡便に判定する技術を提供する。
【解決手段】プレス金型の表面に第1コーティング皮膜を形成し、第1コーティング皮膜の上面にその第1コーティング皮膜と異なる色調を有する第2コーティング皮膜を形成し、第2コーティング皮膜が摩耗して第1コーティング皮膜が露出するまでプレス金型を使用する。 (もっと読む)


【課題】高耐久性および低摩擦係数の二つの特性を同時に満足させることのできるDLC系の摺動皮膜の提供。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされた皮膜であって、ダイヤモンドライクカーボン(DLC。以下同様。)から成る下層膜およびこの下層膜の上に配置されたDLCからなる上層膜との少なくとも2層の膜から構成され、下層膜は、硬度が20GPa以上45GPa以下、ヤング率が250GPa以上450GPa以下、そして膜厚が0.2μm以上4.0μm以下であり、上層膜は、硬度が5GPa以上20GPa未満、ヤング率が60GPa以上240GPa以下、そして膜厚が1.0μm以上10μm以下であることを特徴とする摺動部品用ダイヤモンドライクカーボン皮膜。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金などの非鉄材料からなる母材とダイヤモンドライクカーボン(DLC)皮膜などの硬質皮膜との密着性が良好な硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金などの非鉄材料からなる母材の表面に窒素含有クロム皮膜及び炭素含有クロム皮膜を順次に形成し、この炭素含有クロム皮膜上に硬質皮膜としてDLC皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 めっき用導電性基材上に形成されためっきの剥離又は転写が円滑にでき、しかも、特性に優れる導体層パターンを作製できるめっき用導電性基材を提供するものである。
【解決手段】 導電性基材の表面に、絶縁層が形成されており、その絶縁層の全部又は一部が二層以上からなり、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材。上記絶縁層の第1層は、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)又は無機材料からなることが好ましい。その絶縁層の全部又は一部が二層以上から、絶縁層のピンホールなどの欠陥が補われ、不要なめっきが起こらない。 (もっと読む)


【課題】密着性の高い硬質薄膜を成膜でき、しかもその硬質薄膜における膜厚を部分的に異ならせることのできる硬質薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】PVD法により被処理材(バルブリフタ1)の被処理面(摺動面1a)に硬質薄膜を形成する方法であって、被処理面の裏面1bに永久磁石3をパターン配置して被処理面上に磁界を局所的に発生させることにより、被処理面に形成される硬質薄膜の膜厚を部分的に異ならせる。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構成でドロップレットをより確実に排除することができる成膜装置及び成膜方法並びに磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる筒状のアノード電極24の内側に、グラファイトからなるカソード電極21が配置される。アノード電極24とカソード電極21との間に電源26から電力が供給し、アーク放電を発生させてカソード電極21の周囲に炭素イオンを含むプラズマを生成する。このプラズマは、アノード電極24に設けられた開口部を介して外部に出て、コイル25による磁場で進行方向が曲げられ、基板まで搬送される。そして、プラズマ中の炭素イオンが基板の面上に堆積してDLC膜が形成される。一方、アーク放電により発生したドロップレットは、磁場の影響を殆ど受けず、プラズマの搬送方向とは無関係の方向に飛散して、DLC膜に付着することが回避される。 (もっと読む)


【課題】摺動摩擦によるキズがつきにくく、かつ平坦な透過率分光特性が再現性良く得られ、しかも量産性に優れた吸収型多層膜NDフィルターを提供する。
【解決手段】基板1と、金属膜と誘電体膜が交互に積層された、透過光量を減衰させる光学多層膜層10と、該光学多層膜層の上に形成された保護膜層20とからなる吸収型多層膜NDフィルターにおいて、光学多層膜層の金属膜が、ニッケルを主成分とし、好ましくは、チタン、アルミニウム、バナジウム、タングステン、タンタル、シリコンから選択された1種類以上の元素を添加したニッケル系合金材料からなる金属膜であり、光学多層膜層の誘電体膜が酸化シリコン若しくは酸化アルミニウムからなる誘電体膜であるとともに、ダイヤモンドライクカーボン膜からなる保護膜層を形成する。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性で低摩擦性の軸受表面を得る。
【解決手段】中心軸と同軸である固定部材34と、固定部材34に固定された固定子38と、中心軸の回りを固定部材34に対して回転可能な回転可能部材36と、回転可能部材36に支持され、固定子38に磁気的に結合された回転子70と、固定部材34と回転可能部材36とを相互接続する動圧流体ベアリング37であって、無定形炭素、ダイヤモンドライク・カーボン、水素化無定形炭素、窒素化無定形炭素、水素化ダイヤモンドライク・カーボン、窒素化ダイヤモンドライク・カーボンから成るグループのうちの1つから成るコーティングを含む少なくとも1つの動作表面44,46を有する動圧流体ベアリング37とを備え、グループのうちの1つが、クロム、珪素、チタン、ジルコニウムから成るグループのうちの1つの上に設けられている。 (もっと読む)


【課題】薄膜であり、かつ、耐食性に優れた保護膜を形成することで、高品質な被保護体を提供すること。
【解決手段】被保護体の表面の少なくとも一部に保護膜を形成する保護膜形成方法であって、被保護体の表面に下地膜を形成する下地膜形成工程と、下地膜上にダイアモンド状炭素膜を形成するDLC膜形成工程と、を有し、下地膜形成工程は、所定の膜厚の下地膜を成膜した後に当該下地膜の一部又は全部を除去する工程を繰り返して被保護体の表面に下地膜を複数回形成する。そして、さらに、DLC膜形成工程の前に、ダイアモンド状炭素膜を形成する下地膜の表面上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有する。 (もっと読む)


【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したC−C成分及び炭素とシリコンとが結合したSiC成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、0.05以下である。 (もっと読む)


【課題】アークをプラズマ源とし、マクロパーティクルを含まない良質の薄膜を高い成膜レートで形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部10で発生しプラズマ分離部20に進入したプラズマは、斜め磁場発生コイル23の磁場により進行方向が曲げられ、プラズマ輸送部40を介して成膜チャンバ50内に入る。一方、アーク放電にともなって発生したマクロパーティクルは、磁場の影響を殆ど受けないためプラズマ分離部20を直進してパーティクルトラップ部30で捕捉される。プラズマ分離部20とパーティクルトラップ部30との境界部分には逆磁場発生コイル32が設けられており、この逆磁場発生コイル32の磁場によりパーティクルトラップ部30に入ろうとするイオンを押し戻される。これにより、成膜チャンバ50に入るイオンの量が増加し、成膜レートが向上する。 (もっと読む)


【課題】 大面積の透明導電膜を大量生産する為には、製膜温度をなるべく室温に近い状態にすることが重要であったが、低温では透明導電層の結晶性が悪く透過率に課題があるため、大量生産は困難であった。
【解決手段】 室温付近でも結晶性が優れる酸化亜鉛を透明導電層材料とし、マグネトロンスパッタ法により大面積に均一に製膜することで、透明性に優れた透明導電膜を大量生産することが可能となる。また、ロールトゥロール方式においても、高品質な透明導電膜を大量に生産することが可能となる。 (もっと読む)


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