【課題】 成膜方法及び成膜装置に関し、ＦＣＡ法により成膜する際に、成膜レートを維持しつつ、被成膜基板上に付着するマクロパーティクル数を低減する。
【解決手段】 成膜原料のプラズマを発生するプラズマ発生部と、成膜原料を用いて被膜が形成される被成膜基板を内部に保持する成膜室と、プラズマを、プラズマ発生部から成膜室へ誘導する誘導管と、誘導管の内側に配置され、プラズマが通過可能な開口を有するパーティクル阻止部材とを有する成膜装置を用いて、プラズマ発生部においてプラズマを発生させるとともに、プラズマ発生部とパーティクル阻止部材との間に設置された電極に電圧を印加して、プラズマを開口に集め、開口を通過したプラズマにより被成膜基板上に被膜を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、清浄化処理を施した前記銅箔の張り合わせ面に、乾式成膜法で融点１４００℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて形成した表面処理層を備えることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛透明導電酸化物層上に低屈折率のカーボン膜を形成することで、光線透過率は向上するが、水分や空気に対する耐久性は向上しない。また、有機珪素化合物層を酸化亜鉛透明導電酸化物層上に直接形成しようとしても、大面積では均一に形成することが困難であったが，それを解決する透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１上に透明導電酸化物層２／カーボン層３のさらにその上に、有機珪素化合物層４を形成することで、水分や空気に対する耐久性の向上が可能となり、さらに大面積にした場合も均一に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板の表面損傷を除去するために有効な新規な方法および表面損傷が除去された単結晶タイヤモンドを基板としたCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドにイオン注入を行って表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をグラファイト化させた後、エッチングして表面層を除去する。この様にして得られた単結晶ダイヤモンドは、表面粗さを増加させることなく、切断、研磨などによって生じた表面損傷部がほぼ完全に除去され、また、表面と交差する転位もほとんど存在しないものとなるので、処理された単結晶ダイヤモンドを基板として、CVD法によってダイヤモンドを成長させることによって、転位の伝播や新たな転位の発生を著しく抑制することができ、形成される単結晶ダイヤモンドの結晶性を著しく改善することができる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの数が極めて少ない良質の薄膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部１０においてアーク放電にともなって発生したプラズマは、プラズマ分離部２０において斜め磁場により進行方向が曲げられ、パーティクルトラップ３０に直進するパーティクルと分離される。そして、プラズマ移送部４０を介して成膜チャンバ５０に入り、基板５１上に膜を形成する。プラズマ移送部４０の少なくとも一部には、接地電圧に対し５〜１５Ｖ低い電圧が印加される。この負の電圧により、正に帯電したパーティクルがプラズマと分離され、プラズマ移送部４０に設けられたフィン４３２、防着板４４２ａ，４４２ｂ及び筐体壁面に捕捉される。 （もっと読む）

【課題】本願発明の課題は、硬質炭素膜が有する高硬度の特性を維持しつつ耐熱性を改善して、非鉄材料の切削工具表面やダイキャスト金型表面等、高温に曝される工具の耐久性を向上させることである。
【解決手段】本願発明は、基材上に固体カーボンターゲットを用いたフィルタードアーク蒸着により硬質炭素膜を被覆した被覆工具であって、該硬質炭素膜はＳｉを原子％で２％以上、１０％以下含有し、Ｘ線光電子分光分析によりもとめたＳｉＣピーク強度比は０．０５以上、０．５以下であり、ナノインデンテーションによりもとめた硬度は４０ＧＰａ以上、７４ＧＰａ以下であり、該硬質炭素膜表面の凸部及び凹部の面積率をＤ（％）としたとき、Ｄ≦０．０１であることを特徴とする硬質炭素膜被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置及び成膜方法に関し、ＦＣＡ法により成膜する際に、成膜レートを維持しつつ、被成膜基板上に付着するマクロパーティクル数を低減する。
【解決手段】 アーク放電によるプラズマ発生ガンを備えたプラズマ発生部と、発生したプラズマを被成膜基板へ誘導するフィルターと、前記被成膜基板を保持および処理するチャンバーとを有する成膜装置に、前記プラズマ発生部に前記発生したプラズマの中央位置にプラズマ径よりも小径の防着板を設置する機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムを含有する透明導電膜上に透明カーボン層を形成する場合、水素または分子内に水素を含むガスを使用すると、水素原子によりインジウムが還元されてしまい、透明導電膜として機能しなかった。
【解決手段】 カーボン層の製膜をアルゴンと二酸化炭素を任意の割合で混合したガスを使用したマグネトロンスパッタ法で実施することで、透明・低屈折率であり且つ導電性の透明カーボン層を形成することが可能となる。この結果、透明導電膜の光線透過率が向上する。 （もっと読む）

【課題】成膜時の成膜対象へのパーティクル付着を抑制する。
【解決手段】発生部２で発生したプラズマを成膜部５に配置した成膜対象４へ誘導するフィルタ部３に、プラズマと共に発生するパーティクルを衝突させる衝突部６を設ける。衝突部６は、発生部２で発生したパーティクルの進路をシミュレーションし、衝突部６を設けなかった場合に成膜対象４に到達すると予測されるパーティクルの進路上に、プラズマ流を大きく遮らないようにして、配置する。衝突部６に衝突したパーティクルが、そこで進路を変えられ、或いはそこに捕捉されることで、成膜対象４へのパーティクルの到達及び付着が抑制されるようになる。 （もっと読む）

基材上にコーティングを蒸着する方法であって、（a）陰極真空アーク（CVA）蒸着工程を実施することによって、基材上に材料を蒸着する工程、および（b）CVA蒸着を除く物理蒸着（PVD）工程を実施することによって、基材上に材料を蒸着する工程を含み、工程（a）において蒸着された材料の厚さが、工程（b）において蒸着された材料の厚さよりも大きい、方法を提供する。

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（a）カソーディック真空アーク（CVA）蒸着工程を実施することによって基板上に材料を蒸着する工程;および（b）CVA蒸着以外の、化学蒸着（CVD）工程および物理蒸着（PVD）工程の少なくとも1つを実施することによって基板上に材料を蒸着する工程を含む、基板上にコーティングを蒸着する方法を開示する。本方法においては、工程（b）において蒸着された材料の厚さが、工程（a）において蒸着された材料の厚さよりも大きい。

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【課題】プラズマＣＶＤ法で形成したＤＬＣ膜よりも緻密であり、かつパーティクルを必要十分なレベルまで低減したテトラヘドラル・アモルファス・カーボン（ｔａ−Ｃ）膜を主体とする磁気記録媒体用保護膜、および該保護膜を有する磁気記録媒体の提供。
【解決手段】陰極ターゲットとしてガラス状炭素を用いたフィルタード・カソーディック・アーク法によって形成されるｔａ−Ｃ膜を主体とする磁気記録媒体用保護膜。基体と、磁気記録層と、ｔａ−Ｃ膜を主体とする保護膜とを有する磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】共有結合やイオン結合によって構成されている硬質被膜に、生産性や被膜性能を大きく損なうことなく所定の導電性を持たせて、通電センサ等によって通電の有無を検出する場合にも使用できるようにする。
【解決手段】共有結合またはイオン結合によって構成されている機能層３４の上に、機能層３４と同じ組成であるが非金属元素の割合が機能層３４よりも低い導電層３６を設け、所定の導電性が得られるようにする。すなわち、非金属元素の割合が減ることで共有結合或いはイオン結合の割合が減少し、その分だけ金属結合の割合が増加して導電性が高くなる。これにより、通電センサ等によって検出される通電の有無などで位置を検出したり異常を検知したりする場合にも用いることができる。しかも、導電層３６は、機能層３４と同じ組成で非金属元素の割合を低くしただけであるため、被膜性能や生産性の低下を最小限に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】比較的大きい表面凹凸が形成される磁気記録層上であっても、ＦＣＶＡ法により、ステップカバレッジ、および、耐食性・耐摩耗性に優れた磁気記録媒体用薄膜を成膜できる。
【解決手段】回転駆動機構部およびチルト機構部が制御ユニット４０に制御されることにより、基板ホルダー２０および記録媒体用基板２８’の傾斜角θが、成膜中、保護層の膜厚の増大に応じて最小傾斜角度から最大傾斜角度まで連続的に変化する。 （もっと読む）

【課題】被加工材をパンチにより打ち込む際、およびその後に被加工材からパンチを引き離す際に、被加工材とパンチとの間に発生する摩擦抵抗を低減することにより、コーティング膜の剥離が抑制され、パンチの耐久性を向上させる。
【解決手段】基材２の表面粗さを０．１５μｍ以上かつ０．３０μｍ以下とするので、基材２の表面に形成されたコーティング膜５の表面粗さを小さくすることが可能となる。このため、塑性加工を施す際に、被加工材とパンチ１２との間に発生する摩擦抵抗を低減でき、パンチ１２の耐久性を向上させることができる。このようにして、パンチ１２にクラックまたはヒビが発生し、最終的にはパンチ１２が折れてしまうまでの耐用回数を増やし、パンチ１２を長く持ち堪えさせることができる。 （もっと読む）

【課題】触媒金属が、効果的に触媒活性を発現させることが可能な態様で触媒担持体に担持されている触媒材料の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】蒸着室３ａ及び３ｃ内で導電性担持体の微粒子を基板Ｗに蒸着させ、蒸着室３ｂ及び３ｄ内で触媒金属の微粒子を基板Ｗに蒸着させる。蒸着室３ａ及び３ｃの圧力を、蒸着室３ｂ及び３ｄの圧力より高くすることによって、蒸着室３ａ及び３ｃ内で蒸着される導電性担持体の微粒子相互間の結合を弱くし、蒸着室３ｂ及び３ｄ内で蒸着される触媒金属の微粒子の、導電性担持体への担持を強くする。これにより、導電性担持体に触媒対象物が浸透しやすく、触媒反応における触媒金属の凝集が発生しない触媒材料を得る。 （もっと読む）

【課題】 軸受の摩耗の一形態である硬質異物混入潤滑下での摩耗を低減することができる軸受を提供する。
【解決手段】 軸８の少なくとも軸方向中間部が熱処理により硬化され、軸８、外輪９、および転動体１０の少なくともいずれか一つの転走面に硬質被膜１２を施し、この硬質被膜１２のダイナミック硬度をＨＤ８００以上ＨＤ２０００以下とし、硬質被膜１２の膜厚δ２が１μｍ以上５μｍ以下で、且つこの膜厚δ２が硬質被膜１２の軸方向中央Ｐ１の膜厚δ２を基準として±２μｍ以下の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】チッピングなどの欠陥を生じることなく、高い耐磨耗性を示し、しかも切削抵抗が低いＤＬＣ被覆工具を提供する。
【解決手段】基材上に実質的に水素を含まないＤＬＣ膜を形成したＤＬＣ被覆工具において、上記ＤＬＣ膜が、波長６３２．８ｎｍのレーザを用いたラマン分光スペクトルにおいて、１０００〜１２００ｃｍ^−１の間にピークを有する特性バンドとしてＳバンドを持ち、ＤバンドとＧバンドの面積強度比Ｓｄ／Ｓｇが０．８以下であり、ＳバンドとＤバンドのピーク強度比Ｉｓ／Ｉｄ及び面積強度比Ｓｓ／Ｓｄがいずれも０．１５以上であると共に、上記ＤＬＣ膜表面における直径０．１μｍ以上の凸部の個数Ｎｐ（個／ｍｍ^２）と膜厚ｔ（ｍｍ）の比Ｎｐ／ｔを１．５×１０^８以下、直径０．１μｍ以上の凹部の個数Ｎｈとの膜厚ｔの比Ｎｈ／ｔを１．０×１０^８以下のものとする。 （もっと読む）

【課題】微細な開口部、かつ高アスペクト比を持つトレンチ又はホール内を金属材料で埋め込む方法の提供。
【解決手段】円筒状トリガ電極１３と蒸発材料部材１２ａを有する円柱状カソード電極１２とが、円筒状絶縁碍子１５を介して同軸状に隣接して固定されて配置され、カソード電極の周りに同軸状にアノード電極１１が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源１を用い、トリガ電極とカソード電極との間にトリガ放電を発生させ、カソード電極とアノード電極との間に間欠的にアーク放電を誘起させ、蒸発材料部材から生成される荷電粒子を真空チャンバー内に放出させ、トレンチ又はホール内へ金属材料を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜と基材との密着性に優れるとともに耐摩耗性に優れた非晶質炭素被覆工具を提供することを目的とする。
【解決手段】基材と非晶質炭素膜とを備え、非晶質炭素膜は基材側の内層部と表面側の外層部とからなり、非晶質炭素膜の内層部に含まれる水素量は０．５原子％以上３原子％以下であり、非晶質炭素膜の外層部に含まれる水素量は０．５原子％未満であり、非晶質炭素膜の内層部の水素量は、基材側から表面側に向かって水素量が徐々に減少するという濃度勾配を持つ非晶質炭素被覆工具。 （もっと読む）