プロセスチャンバ構成要素の表面からタンタル含有堆積物を洗浄する方法は、構成要素の表面をＨＦとＨＮＯ_３の重量比が約１：８〜約１：３０の洗浄溶液に浸漬するステップを含んでいる。他の変形例においては、洗浄溶液はＫＯＨとＨ_２Ｏ_２のモル比が約６：１〜約１０：１である。銅表面を洗浄するのに適した更に他の変形例においては、洗浄溶液はＨＦと酸化剤を少なくとも約６：１のＨＦと酸化剤のモル比で含んでいる。表面をほとんど浸食することなくタンタル含有堆積物を表面から除去することができる。 （もっと読む）

【課題】光学コーティングの腐食・傷耐性バリアを提供すること。
【解決手段】酸化可能な金属珪素化合物又は金属アルミニウム化合物を、光学コーティングの外層の１つとして使用する。この層は、未酸化又は一部酸化状態で付着され、この化学状態で、下の層を腐食から保護する。該金属化合物又は合金の層は、大多数の金属を超える硬さを有し、それにより傷からの保護を提供する。
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フレキシブル金属ストリップ製品は、フェライトクロム鋼ストリップ材料（２）にイットリウムで安定化したジルコニアの絶縁層を被膜（３、６、８）として備え、この被膜上に導電性の層を含む第２被膜（７）を設け得る。前記被膜は、下地の鋼と熱膨張が実用上等しいため、フレキシブル太陽電池および固体薄膜電池の絶縁層として非常に有用である。
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本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

真空下で、光学ガラス基板の表面上のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透過性電極を持つ光学ガラス基板上のポリマー分散型液晶（ＰＤＬＣ）などの揮発性のゼラチン状層全体に、任意のコーティングを施すことを可能にするために、中間の応力吸収ポリマー材料の層が、先ず揮発性物質の蒸発および漏れ防止のために、揮発性のゼラチン状層を覆うように施されて、その後、超高真空下で、例えば物理的気相成長（ＰＶＤ）またはスパッタリングと呼ばれる技術を使用して、コーティングが施される。
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【課題】 照射波長３００ｎｍ以下でのリトグラフィーにおいて用いる埋め込み型の減衰移相マスクブランク、及び同マスクブランクのイオンビーム蒸着による作製方法を提供する。
【解決手段】 マスクブランクを基板及び薄膜系から構成し、該薄膜系をＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成する。 （もっと読む）

半導体基板上に形成する絶縁膜を高性能化して、リーク電流の少ない電子デバイスを製造する方法を提供する。高誘電材料金属のみを半導体基板上に金属膜として形成し、その金属膜を２５０〜４５０℃に加熱し、その加熱した金属膜に、クリプトンガス（またはキセノンガス）を酸素ガスと混合させ、その混合ガスをプラズマ化したガスを加えることにより、金属膜を酸化して、半導体基板上に絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

基板および基板上に配置されている第１のバッファ膜を含む超電導体物品。第１のバッファ膜は、（ｉ）第１のバッファ膜の面内を延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さない第１のバッファ膜の面外を延びる第１の結晶方向のテクスチャ、または（ｉｉ）第１のバッファ膜の面外を延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さない第１のバッファ膜の面内を延びる第１の結晶方向のテクスチャを特徴とする単軸結晶テクスチャを有する。２軸方向の結晶テクスチャを有する第２のバッファ膜は、前記第１のバッファ膜上に配置されている。超電導体層は、前記第２のバッファ膜上に配置することができる。前記第２のバッファ膜を堆積するために、イオン・ビーム・アシスト蒸着（ＩＢＡＤ）を使用することができる。
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露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写するための露光装置であって、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた前記露光装置に使用される光学素子において、 前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に第１の溶解防止部材を備えている光学素子。 （もっと読む）

本発明は、片面または両面に緻密で硬質の耐摩耗性被膜を備えた被膜付き鋼ストリップ製品に関する。被膜の厚さは全厚で２５μｍ以下、被膜の硬さは６００ＨＶ以上、下地の鋼ストリップの引張強さは１２００ＭＰａ以上である。被膜は電子ビーム蒸着法で形成することが望ましく、被膜は例えばＡｌ_２Ｏ_３であってよい。この被膜付き金属ストリップは、ひげ剃り道具、医療用具、一般用および工業用のナイフ、および鋸に適している。
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例えば、マグネトロン蒸着装置に用いられるターゲット組立体が、主張される。ターゲット組立体は、管の軸受、管の回転、電気接点、冷媒シール、及び真空シールのような機能の少なくとも１つが管自体の内部に一体化されていることを特徴としている。このような組立体は、エンドブロックが内蔵される容積を低減させることによって、真空空間をさらに有効に用いるという利点を有している。組立体の小形化によって、現在、平面ターゲット組立体のみしか使用できない小型の設備にも、用いることができる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板、に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層が結晶化することを特徴とする。
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光学レンズ又はその他の光学製品に反射防止（ＡＲ）コーティングをコーティングするための方法が提供される。これらのレンズは、低い反射率を有し、ほぼ白色の反射光を発し、かつ低応力ＡＲコーティングを有し、低応力レンズ基材を提供するモールディング工程を使用して製造される光学レンズに理想的に適合する。１の態様において、この方法は特殊なコーティング組成物を使用し、その１つは高屈折率組成物であり、他方は低屈折率組成物である。別の態様においては従来の気相蒸着装置とともに光学モニタを使用する方法が開示されており、それにおいては光学基準レンズを使用し、反射光の特定の光の周波数を測定し、次にこの測定値を用いて所望の光学的なコーティングが達成された時点を決定する。さらに別の態様においては、好ましくは反射光の青色対緑色対赤色の特定の比を使用して、各層の光学的な厚さを計算する。また、各層の光学的な厚さを必要に応じて調整し、低屈折率層／高屈折率層間における引張応力と圧縮応力の差を最小にすることによって、ＡＲコーティングの応力がコントロールされる。 （もっと読む）

【課題】 非磁性支持体を薄型化した場合でもカッピング等の発生を防止するとともに優れた電磁変換特性を達成する。
【解決手段】 非磁性支持体は、少なくとも、他主面を構成する第１の芳香族ポリアミドフィルムと、上記第１の芳香族ポリアミドフィルム上に形成された第２の芳香族ポリアミドフィルムとを有するとともに、上記第１の芳香族ポリアミドフィルム中に含有される不活性粒子が上記第２の芳香族ポリアミドフィルム中に含有される不活性粒子と比較して大とされてなり、上記非磁性支持体は、上記第１の芳香族ポリアミドフィルムを除いた厚みが２．０μｍ以上であり、上記非磁性支持体の他主面にバックコート層が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

基体を被覆するための装置は、大気圧より低い圧力に維持された蒸着室、前記蒸着室に伴われた二つ以上の拡張性熱プラズマ源（１４）を含む一つ以上の配列体、及び各配列体についてオリフィス（１５）を含む少なくとも一つの注入器（１３）を含む。基体を蒸着室中に配置し、各拡張性熱プラズマ源により中心軸を有するプラズマジェットを生じさせ、同時に注入器によりプラズマ中へ気化反応物を注入して基体上に蒸着された被覆を形成する。注入器オリフィスは、全体的に均一な被覆特性を有する被覆が一般に得られるように、拡張性熱プラズマ源から特定の距離以内に位置させる。
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