【課題】精度よく薄膜の膜厚を制御することができる、回転円筒ターゲットを備えたスパッタ源、該スパッタ源を備えたスパッタ成膜装置、および該スパッタ成膜装置を用いたスパッタ成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタ室１内に回転円筒ターゲット２を備えたスパッタ源において、前記スパッタ室１内に回転円筒ターゲット２との間に間隙５を有するようにシールド４を設け、該シールド４により前記スパッタ室１を、前記回転円筒ターゲット２のスパッタリングガスイオンの衝撃側の領域１ａと、スパッタリングガスイオンの非衝撃側の領域１ｂとに仕切り、スパッタリングガスを領域１ｂから間隙５を通して領域１ａに導入してスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数の一層の低減を図るとともに、簡便なプロセスで製造することができる硬質炭素被膜を提供すること。
【解決手段】最表面の第２層とその下層の第１層がなす積層構造を含んで成り、第２層は、非晶質炭素を主成分とし、ＣｏやＮｉを合計で１．４〜３９原子％含有し、第２層中に存在するＣｏまたはＮｉの凝集体５は、該第２層を透過型電子顕微鏡で観察した際の顕微鏡像上で、等価円直径が５ｎｍを超える該凝集体の占める領域が面積比で３０％以下であり、第１層がダイヤモンド多結晶から成る、硬質炭素被膜である。第２層の断面顕微鏡像上で、等価円直径が５ｎｍを超える凝集体の占める領域の面積比をＸ％とし、第２層中のＣｏやＮｉの合計含有量をＹ原子％としたときに、Ｘ＜４Ｙを満たす。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数の一層の低減を図るとともに、簡便なプロセスで製造することができる硬質炭素被膜を提供すること。
【解決手段】表面側より第１層、第２層がなす積層構造を含んで成り、第１層は、非晶質炭素を主成分とし、ＣｏやＮｉを合計で１．４〜３９原子％含有し、第１層中に存在するこれらの凝集体は透過型電子顕微鏡の顕微鏡像上で、等価円直径が５ｎｍを超える該凝集体の占める領域が面積比で１５％以下であり、第２層は、窒化チタン、炭窒化チタン、炭化チタン、窒化クロム、窒化チタンクロムなどで構成された下地層を少なくとも１層含み、最表面に硬質の粒子や粒状突起を有し、表面粗さＲｙが０．１〜０．６μｍである硬質炭素被膜である。等価円直径が５ｎｍを超える凝集体の占める領域の面積比をＸ％とし、該被膜中のＣｏやＮｉの合計含有量をＹ原子％としたときに、Ｘ＜４Ｙで表される関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数が一層低減され、潤滑油中でも低フリクション性を示し、歯面疲労強度に優れる高強度歯車、伝動機構及び高強度歯車の製造方法を提供すること。
【解決手段】浸炭処理又は浸炭窒化処理を行った鉄基合金から成り、被処理歯車の噛み合い面に、水素含有量が１０ａｔｍ％以下で、表面硬さが２０〜３０ＧＰａある第１ＤＬＣ膜と、該第１ＤＬＣ膜の少なくとも一部に且つイオンプレーティング法により被覆されており、水素含有量が１０ａｔｍ％以下、表面粗さがＲａ０．１〜０．２μｍである第２ＤＬＣ膜とを順に被覆して成る高強度歯車である。
上記高強度歯車を用い、該第２ＤＬＣ膜が隣接する歯車相互の噛み合い面に被覆されている高強度歯車伝動機構である。
カーボンターゲットに対して被処理歯車を回転させ、噛み合い面に、水素含有量１０ａｔｍ％以下の第１ＤＬＣ膜を形成した後に、歯車の回転を停止又は低速とし、該第１ＤＬＣ膜の一部に第２ＤＬＣ膜をイオンプレーティング法により形成して高強度歯車を製造する。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数の一層の低減を図るとともに、簡便なプロセスで製造することができる硬質炭素被膜を提供すること。
【解決手段】非晶質炭素を主成分とし、該被膜中にＣｏやＮｉを合計で１．４〜９原子％含有し、該被膜中に存在するＣｏ凝集体２またはＮｉ凝集体２は、被膜断面を透過型電子顕微鏡で観察した際の該顕微鏡像上で、等価円直径が５ｎｍを超える該凝集体の占める領域が面積比で３０％以下であり、被膜表面にナノチューブを有する。ナノチューブの面密度が、１ｃｍ２あたり１０４本以上１０８本以下である。顕微鏡像上で、等価円直径が５ｎｍを超える凝集体の占める領域の面積比をＸ％とし、該被膜中のコバルト及びニッケルの合計含有量をＹ原子％としたときに、Ｘ＜４Ｙを満たす。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数の一層の低減を図るとともに、簡便なプロセスで製造することができる硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】被膜中にＣｏやＮｉを１．４〜３９原子％含有し、そのうちＣｏ凝集体やＮｉ凝集体は、等価円直径が５ｎｍを超える該凝集体２の占める領域が面積比で１５％以下に抑制されており、被膜表面に硬質の粒子や粒状突起を有し、表面粗さＲｙが０．１〜０．６μｍである硬質炭素被膜である。摺動層中にＣｏやＮｉを１．４〜３９原子％含有し、Ｃｏ凝集体やＮｉ凝集体は、等価円直径が５ｎｍを超える該凝集体の占める領域が面積比で１５％以下であり、摺動層表面に硬質の粒子や粒状突起を有し、表面粗さＲｙが０．１〜０．６μｍである硬質炭素被膜である。等価円直径が５ｎｍを超える凝集体の面積比をＸ％とし、ＣｏとＮｉの合計含有量をＹ原子％としたときに、Ｘ＜４Ｙを満たす。 （もっと読む）

【課題】比較的低温度によりダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）皮膜を形成することで、基材強度の低下を抑制することができ、更に、基材へのＤＬＣ皮膜の成膜法を工夫することにより、疲労強度を高め、かつ皮膜密着性、摩擦摩耗特性を良好にする。
【解決手段】アルミニウム、マグネシウム又はチタンの各合金等から成る基材１の表面に中間層２と、中間層２の表面に積層３を成膜形成したＤＬＣ積層皮膜部材であって、積層３は、ＤＬＣ皮膜４と、金属を含有した金属含有ＤＬＣ皮膜５とを交互に重ねた構造にする。 （もっと読む）

【課題】潤滑油で潤滑することなく冷媒中で使用することが可能な転がり軸受を提供する。
【解決手段】深溝玉軸受の内輪１，外輪２，及び玉３は、ＳＵＪ２等の鋼で構成されている。そして、軌道面１ａを含む内輪１の外周面全体，軌道面２ａを含む外輪２の内周面全体，及び玉３の表面全体のうち少なくとも一つに、潤滑被膜Ｌが被覆されている。この潤滑被膜Ｌは、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，及びＳｉのうちの少なくとも１種の金属からなる下地層Ｍと、前記金属及び炭素からなる中間層Ｆと、炭素及び水素を含有するダイヤモンドライクカーボンからなる表面層Ｃと、の３層で構成されていて、該３層は表面側から表面層Ｃ，中間層Ｆ，下地層Ｍの順に形成されている。また、中間層Ｆ中の炭素の割合は、下地層Ｍ側から表面層Ｃ側に向かって増加している （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上において、表面欠陥密度の少ないＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜を有する半導体多層膜を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板と、このＳｉ単結晶基板上に形成されたＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜Ｘ≦１）膜とを具えた半導体積層膜において、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜の表面欠陥密度が１０^４／ｃｍ^２以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】２種類の金属ターゲットと２種類の反応ガスのみを用いて成膜された、高屈折率層、中間屈折率層、および低屈折率層からなる薄く優れた光学性能を備えた光学多層膜、この光学多層膜を備えた光学素子を提供する。
【解決手段】短波長透過型フィルタ８００は、まず、ガラス基板８０１上に、中間屈折率層８０２が成膜される。次に、その中間屈折率層８０２上に、高屈折率層８０３と低屈折率層８０４とが交互に２３層成膜されていく。そして、このとき最も上になっている高屈折率層８０３上にさらに中間屈折率層８０２が成膜される。最後に、その中間屈折率層８０２上に接着剤８０５でもう一つのガラス基板８０１が接着されて、密封される。この短波長透過型フィルタ８００は、２５層で構成された光学多層膜を備えることになる。 （もっと読む）

【課題】金網をマグネトロン電極に一体に固定するため、マグネトロン電極と金網との距離は常に一定であるので、マグネトロン電極と試料との間の高さの調整だけで、金網に電子の突入により生じる温度上昇による試料表面への輻射熱の影響や金網の編みの隙間を通りぬける電子の量などの条件を一定にできる。
【解決手段】減圧可能な試料室と、試料室内に設けられ、磁界発生手段とその下部側に設けられたターゲット金属とを付加した上部陰電極と、試料室内に設けられ、上部陰電極に対向して配置された下部陽電極と、上部陰電極と下部陽電極との間に放電電圧を印加する電源とを備え、試料表面にターゲット金属をスパッタリングにより形成するイオンスパッタリング装置において、上部陰電極の近傍で下部陽電極との間に下部陽電極と同電位の金網が上部陰電極に絶縁して設置し、金網を上部陰電極に連動して上下移動させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に絶縁膜が付着してもグロー放電の経時変化を小さくできるため成膜速度の変化が小さく安定放電ができ、メンテナンス周期の長期化を可能とするスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】ウェハホルダの外周に、複数の開口部を有する３枚以上の導電性板が重ねて配置され、かつ、前記導電性板のうち前記ターゲットから最も近い第１の導電性板とその次に近い第２の導電性板の間隔が、それ以降の導電性板との間隔よりも小さい間隔で配置されることで解決できる。 （もっと読む）

【課題】膜が剥離しにくく、高い密着性と高い耐摩耗性、ならびに低摩擦特性を持つダイヤモンド状炭素膜とその製造方法を提供。
【解決手段】基板 1上に結合層 2を介して形成されたダイヤモンド状炭素膜において、結合層 2の上層に硬度が 500〜2000Ｈｖの実質的に水素を含まない軟質炭素膜3aと、硬度が2000〜4000Ｈｖの実質的に水素を含まない硬質炭素膜3bを交互に４層以上積層した高靭性ダイヤモンド状炭素膜層 3を形成し、該高靭性ダイヤモンド状炭素膜層 2の上層に 500〜2000Ｈｖの水素を含む最上層である潤滑性ダイヤモンド状炭素膜層 4を形成した。 （もっと読む）

【課題】摺動性と耐摩耗性とを両立する新規の構成の摺動層を備える摺動部材を提供する。
【解決手段】本発明の摺動部材は、基材３０と、基材３０の表面の少なくとも一部に形成され相手材と摺接する摺動層３１と、を備え、摺動層３１は、Ｃと、ＭｏＳ_２および／またはＷＳ_２と、Ｔｉおよび／またはＣｒと、からなり、基材３０の表面に形成され５〜２０ａｔ％のＴｉおよび／またはＣｒを含む第一摺動層３１１と、第一摺動層３１１に積層され第一摺動層３１１が最も高濃度となるように厚さ方向に濃度が傾斜したＴｉおよび／またはＣｒを含む第二摺動層３１２と、からなることを特徴とする。第一摺動層３１１は、Ｔｉおよび／またはＣｒを５〜２０ａｔ％含有する硬質な層であり、摺動の際の耐摩耗性が確保される。Ｔｉおよび／またはＣｒの濃度が傾斜する第二摺動層３１２は、優れた初期なじみ性を示し摺動性に優れる。 （もっと読む）

【課題】ガスフロースパッタリングによる高速成膜におけるアーキングなどの異常放電の発生を抑制して、欠陥のない高品質の薄膜を安定に成膜する。
【解決手段】ガスフロースパッタリング装置による成膜方法において、該ガスフロースパッタリング装置の電源としてパルス電源２０を用いてパルススパッタリングを行う。ガスフロースパッタリング装置において、ＤＣ電源に代えてパルス電源２０を用いることにより、好ましくは対向して設置されている２枚のターゲットに対して、片方がカソードとして放電している時に、もう一方はアノードとして作用するように交互に電力を印加するデュアルカソードパルススパッタリングを行うことにより、広い範囲で安定して放電が可能となり、更なる高速成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】対向ターゲット式スパッタ法を用いて、プラズマ粒子が存在する領域の外に化合物半導体の付いた基板を置いて、化合物半導体にプラズマ粒子による衝撃を与えないで絶縁性薄膜を形成するとともに、良質の化学量論的に純粋な絶縁性薄膜を形成して、半導体上に耐久性の高い薄膜を付与した素子の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】対向ターゲットのスパッタリングにより基板上に薄膜を成膜するスパッタリング薄膜成膜方法において、前記対向ターゲット外淵と前記基板との中程に対向した反応性ガス導入口を設け、該反応性ガス導入口の向かっている方向が前記基板面中心部の垂線と概ね直角であって、各反応性ガス導入口の先端から前記垂線までの距離を５０から３００mmに設定し、基板付近での反応性ガス分圧を高めることで化学量論的に純粋な良質の絶縁性薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】大きな接触応力が作用するような条件下や無潤滑下においても好適に使用可能な転がり摺動部材及び転動装置を提供する。
【解決手段】スラスト玉軸受の内輪１，外輪２と玉３との接触面においては、内輪１，外輪２，玉３の母材にＤＬＣ層Ｄが被覆されている。母材のうちＤＬＣ層Ｄが被覆されている部分の表面粗さＲａは、０．０３〜０．２μｍである。ＤＬＣ層Ｄは、炭素からなるカーボン層Ｃと、モリブデン及び炭素からなる複合カーボン層ＦＣと、モリブデンからなる第一金属層Ｍ１と、モリブデン及びクロムからなる複合金属層ＦＭと、クロムからなる第二金属層Ｍ２と、の５層で構成され、ＤＬＣ層Ｄの表面側からカーボン層Ｃ，複合カーボン層ＦＣ，第一金属層Ｍ１，複合金属層ＦＭ，第二金属層Ｍ２の順に配されている。これら５層の等価弾性定数は、いずれも母材の等価弾性定数の０．８〜１．５倍である。 （もっと読む）

【課題】大きな接触応力が作用するような条件下、無潤滑下、異物侵入環境下においても好適に使用可能な転がり摺動部材及び転動装置を提供する。
【解決手段】スラスト玉軸受の内輪１，外輪２と玉３との接触面においては、内輪１，外輪２，玉３の母材に、等価弾性定数１００〜２８０ＧＰａのＤＬＣ層Ｄが被覆されている。母材のうちＤＬＣ層Ｄが被覆されている部分の表面粗さＲａは０．０３〜０．２μｍである。ＤＬＣ層Ｄは、炭素からなるカーボン層Ｃと、タングステン及び炭素からなる複合カーボン層ＦＣと、タングステンからなる第一金属層Ｍ１と、タングステン及びクロムからなる複合金属層ＦＭと、クロムからなる第二金属層Ｍ２と、で構成され、これら５層はＤＬＣ層Ｄの表面側から上記の順に配されている。複合カーボン層ＦＣが形成された後には、平均粒径３〜１５０μｍの投射材を噴射して複合カーボン層ＦＣに吹き付ける密着化処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】大きな接触応力が作用するような条件下や無潤滑下においても好適に使用可能な転がり摺動部材及び転動装置を提供する。
【解決手段】スラスト玉軸受は、内輪１と外輪２と複数の玉３とを備えている。内輪１，外輪２と玉３との接触面、すなわち転がり摺動面には、パルス幅１ｐｓ以上５ｐｓ以下の短パルスレーザーの照射による微細加工が施されている。そして、転がり摺動面のうち微細加工が施されている部分には、ダイヤモンドライクカーボン膜Ｄが被覆されている。ダイヤモンドライクカーボン膜Ｄは、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉ，及びＦｅのうちの１種以上の金属からなる金属層Ｍと、前記金属及び炭素からなる複合層Ｆと、炭素からなるカーボン層Ｃと、の３層で構成されていて、該３層はダイヤモンドライクカーボン膜Ｄの表面側からカーボン層Ｃ，複合層Ｆ，金属層Ｍの順に配されている。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）