【課題】摺動時において非晶質炭素膜が被覆された摺動面と相手摺動部材との摺動面との馴染み性を向上させて、耐摩耗性を向上させ、低摩擦係数を維持することができる組合せ摺動部材を提供する。
【解決手段】基材表面に非晶質炭素膜を被覆して摺動面とした第一摺動部材と、該第一摺動部材の摺動面に摺動する面に鉄系材料を有した第二摺動部材と、を備えた組合せ摺動部材であって、該組合せ摺動部材は、第一摺動部材の基材の表面硬さが、第二摺動部材の摺動面の表面硬さよりも低いように構成される。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、安価に、安全に結晶性シリコン薄膜を得て、該結晶性シリコン薄膜から容易に終端処理された結晶性シリコン薄膜を得ることができる結晶性シリコン薄膜の形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲットＴと被成膜物品Ｓを設置した成膜室１内に水素ガスを導入し、高周波電力を印加して、プラズマ発光における波長６５６ｎｍでの水素原子ラジカルの発光スペクトル強度Ｈα及び波長４１４ｎｍでのシランラジカルの発光スペクトル強度ＳｉＨ^* との比（Ｈα／ＳｉＨ^* ）が０．３〜１．３であるプラズマを発生させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲットＴをケミカルスパッタリングして被成膜物品Ｓ上に結晶性シリコン薄膜を形成し、次いで、終端処理室１０において、終端処理用ガスに高周波電力を印加することで発生させた終端処理用プラズマのもとで該結晶性シリコン薄膜の表面を終端処理する。 （もっと読む）

【課題】 高硬度から低硬度の材料まで広範囲の基材に対し、高硬度のＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を最表面側に含むＤＬＣ多層膜を約３μｍ以上厚く形成しても、基材およびＤＬＣ膜の双方に対して優れた密着性を備えており、耐摩耗性にも優れたＤＬＣ成形体を提供する。
【解決手段】 基材１と、ＤＬＣ系膜３と、基材１とＤＬＣ系膜３との間の中間層２とからなるＤＬＣ硬質多層膜成形体である。ＤＬＣ系膜３は、基材１側から順に、第１のＤＬＣ系膜３ａと第２のＤＬＣ系膜３ｂとからなり、第１のＤＬＣ系膜３ａの表面硬度は、ナノインデンテーション試験で１０ＧＰａ以上４０ＧＰａ以下の範囲内にあり、第２のＤＬＣ系膜３ｂの表面硬度は、ナノインデンテーション試験で４０ＧＰａ超９０ＧＰａ以下の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】 従来の焼結法に比べて格段に低温で得ることができる絶縁性ターゲット材料を提供する。
【解決手段】 絶縁性ターゲット材料は、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で表される絶縁性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料であって、Ａ元素は少なくともＰｂからなり、Ｂ元素はＺｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】シリコン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ＲＦ出力により発生したＸｅイオンをＳｉターゲットに衝突させ、当該ＳｉターゲットからＳｉパーティクルを発生させ、当該Ｓｉパーティクルを所定の基板上に堆積させる方法において、工程圧力を０．６７Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）以下、前記ＲＦ出力を２００Ｗ以上にするシリコン薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ロータリーカソードの揺動を補償する真空コーティング機械を提供する。
【解決手段】真空コーティング機械（１）において、駆動ユニット（６）は、上記駆動ユニットがロータリーカソード（１０）によって加えられる揺動に追従できるように、弾性中間プレート（１４）を用いてチャンバ筐体（３）に追従的に取り付けられるので、ロータリーカソードの自由端（１８）のサポートベアリング（１９）は剛性支持として堅牢設計が可能である。 （もっと読む）

【課題】 メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）

【課題】スティックスリップが生じにくく、摩擦係数を一層低減できる高速摺動部材及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面粗さがＲａ０．００５〜０．１μｍである金属部材に粒状突起形状を有するＤＬＣ膜が被覆され、この粒状突起の高さが０．０２〜０．０５μｍであり、ＤＬＣ膜の表面粗さがＲｓｋ０〜４μｍである高速摺動部材である。ＤＬＣ膜に水素を１０原子％以下の割合で含有する。ＤＬＣ膜の硬度が７０〜９０ＧＰａである。
ＤＬＣをイオンプレーティング法により被覆し、エアロラップ処理を行い高速摺動部材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 高精度に膜厚を管理することができるプレーナマグネトロンスパッタ装置の提供。
【解決手段】 ターゲット４には直流電源７により直流電圧が印加され、成膜中の印加電圧が一定に保持されるように定電圧モードで制御される。成膜中のターゲット電流値は電流計９により検出され、制御装置１０の電流積算部１０ｂによりターゲット電流値の積算値が積算される。そして、成膜開始からのターゲット電流積算値が所定値となったならば成膜を終了する。このように膜厚と比例関係にあるターゲット電流積算値により終点検知をすることにより、成膜中に成膜レートが変動しても高精度に膜厚を管理することができ、バッチ毎の膜厚バラツキを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】既存のマグネトロンスパッタリング装置への広範囲な変更を要求せずに、強磁性体のスパッタリング効率を改善する。
【解決手段】改良されたスパッタリングターゲットを、マグネトロンスパッタリング装置で使用するために提供するものであり、そのスパッタリングターゲットは、ターゲット材料がスパッタされる活性な表面と該活性な表面の反対側に位置した背面とを含んでいる。少なくとも１つの磁石が、ターゲットの活性な表面を通り抜ける磁界を増加させるためにターゲットの背面に埋め込み、配向される。 （もっと読む）

【課題】 ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供すべく、最適な基板の凹凸寸法と保護膜層の厚さとの関係を明らかにする。
【解決手段】 段差ｈ（ｎｍ）の凹凸を有する非磁性基板の表面に磁性層と保護膜層を形成したものであって、該凹凸パターンの凸部におけるカーボン保護膜層厚さの最大値をａ、凹部におけるカーボン保護膜層厚さの最小値をｂとしたときに、これらａ，ｂ，ｈの関係が下記式
４．０≦ｂ−ａ≦１９．８・・・・・・・（１）
４．５≦ｂ≦２５・・・・・・・・・・・（２）
４．０≦ｈ≦２０．０・・・・・・・・・（３）
を満足する磁気記録媒体、及びこの磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置。 （もっと読む）

【課題】 大気中及び真空中の両方で十分な摩擦特性を発現し得る摺動材を提供する。
【解決手段】 基材１００上に設けられる摺動材１１０であって、フッ素含有ダイヤモンド・ライク・カーボン（Ｆ−ＤＬＣ）からなる第一の層１１１と、第一の層１１１上に設けられてフッ素含有ポリマー・ライク・カーボン（Ｆ−ＰＬＣ）からなる第二の層１１２とを備えると共に、第一の層１１１と基材１００との間に位置するように当該基材１００上に設けられてフッ素を含有しないダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）からなる基礎層１１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素膜の成膜速度を向上し得、非晶質炭素膜を高速で成膜し得る非晶質炭素膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 アンバランストマグネトロンスパッタリング蒸発源を２個以上、または、アンバランストマグネトロンスパッタリング蒸発源および磁場印可方式のアーク放電式蒸発源を各々１個以上設け、これらの蒸発源の中、少なくとも１個のアンバランストマグネトロンスパッタリング蒸発源のスパッタリングターゲット材に固体炭素を用い、雰囲気をスパッタ用不活性ガスと炭素含有ガスの混合ガス雰囲気とし、非晶質炭素膜を成膜する非晶質炭素膜の成膜方法であって、前記蒸発源のそれぞれの磁場を隣の蒸発源の磁場と逆極にし、且つ、前記アンバランストマグネトロンスパッタリング蒸発源に周波数５０〜４００ＫＨｚのパルス電位を付与することを特徴とする非晶質炭素膜の成膜方法等。 （もっと読む）

材料模様が基材上に連続的に付着させられる。基材とマスクは、付着源が材料を放出するドラムの一部上に連続的に移動させられる。マスクは模様を形成する開口を含み、付着源の付着材料はマスクの模様を通り抜けて基材上に集まり、材料模様を形成する。基材及びマスクの伸び及び横方向位置は制御されてよい。基材及びマスクの模様要素は、正確な位置合わせを維持する目的で、基材及び／又はマスクの伸び及び／又は横方向の位置を調整するために、探知されてよい。さらに、最小寸法が約１００μｍ以下の形状を作成するために開口が約１００μｍ以下の最小寸法を有してよい。
（もっと読む）

【課題】本発明の実施例は、一般に、半導体製造に用いられるスパッタリングターゲットに関する。特に、本発明は、堆積チャンバ内でスパッタリングターゲットを支持するバッキングプレートへのスパッタリングターゲットの接着に関する。
【解決手段】一実施例において、少なくとも１つのスパッタリングターゲットタイルをバッキングプレートに接着する方法は、少なくとも１つのスパッタリングターゲットタイルとバッキングプレートの間にエラストマー接着層を提供し、エラストマー接着層内に少なくとも１つの金属メッシュを提供することを含み、少なくとも１つの金属メッシュの少なくとも一部は少なくとも１つのターゲットタイルとバッキングプレートの両方に接触し、少なくとも１つの金属メッシュの少なくとも一部は直径が０．５ｍｍより大きな金属ワイヤで形成される。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉと酸素を含むグラニュラー記録層の成膜時に生じる、巨大な珪素酸化物の堆積による媒体表面の突起を抑制し、浮上性及び信頼性に優れた磁気記録媒体を高い歩留で製造する。
【解決手段】 少なくともＣｏを含む合金と、結晶質ＳｉＯ₂粉末を混合したターゲットを用いてスパッタリング法を用いて記録層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 可撓性があり、衝撃応力に強く、かつ、水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有するパッシベーション膜を形成する。
【解決手段】 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ_２ガスとＮ_２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバーＷ内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、そのスパッタ法によるパッシベーション膜の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０^−３〜１．６９×１０^−１Ｐａ・ｍ^３／ｓ）、Ｏ_２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０^−２Ｐａ・ｍ^３／ｓ）、Ｎ_２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０^−２Ｐａ・ｍ^３／ｓ）、真空チャンバーＷ内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとしてある。 （もっと読む）

【課題】保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】屈折率差の大きな異質相を精度良く所望形状に形成することができ、光学素子の小型化を図ることのできる酸化物系積層薄膜及びその製造方法、及び光学素子を提供する。
【解決手段】金属酸化物膜１と金属膜２とを２層以上積層した積層薄膜であり、金属膜２は、金属酸化物膜１を構成する金属材料よりも標準電極電位が低い金属材料からなる。積層薄膜の内部に、集光した短パルスレーザー５の誘起により短パルスレーザーの非照射部と屈折率の異なる異質相３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】膜厚を高精度で制御でき、かつ生産性に優れるスパッタ装置及びスパッタ成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１２内に基板ホルダー１４が設置されたカルーセル型スパッタ装置において、低屈折率膜形成用と高屈折率膜形成用にそれぞれ通常のマグネトロン２３、３３３とＡＣのマグネトロン２７、３７が併設され、設計膜厚（目標膜厚）の９０％までＡＣのマグネトロンで成膜し、その後、通常のマグネトロンのみで成膜する。成膜中に基板１８の透過率を測定し、その情報を電源にフィードバックすることで、膜厚コントロールを行う。 （もっと読む）