【課題】投入電力を増大させて成膜速度を高めても、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料のスパッタリングを可能にするターゲット構造とこれを備えたスパッタリング装置。
【解決手段】金属材料からなる保持部の上にガリウムあるいはガリウムを含む材料が配置されてなるターゲット構造であって、前記ガリウムあるいはガリウムを含む材料との界面にあたる前記保持部の表面上に、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料との接触角が３０°以下である薄膜が形成されていることを特徴とするターゲット構造。当該ターゲット構造を有するスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】新規な透明導電膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、マグネシウムと、炭素、ケイ素およびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素（Ａ）と、酸素と、水素とを含む膜であり、この透明導電膜は、たとえばマグネシウムを含むターゲットと、炭素、ケイ素およびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素（Ａ）を含むターゲットとを用いて、マグネシウムと該元素（Ａ）とを含む膜を基板上に成膜し、該膜を、水を含む雰囲気に保持することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】鋼中への水素の侵入が生じにくく長寿命な水素コンプレッサ用転がり軸受を提供する。
【解決手段】深溝玉軸受は、内輪１，外輪２，転動体３，及び保持器４を備えている。そして、内輪１の軌道面１ａ，外輪２の軌道面２ａ，及び転動体３の転動面３ａには、等価弾性定数が１００ＧＰａ以上２８０ＧＰａ以下であり且つ厚さが０．２μｍ以上２μｍ以下であるダイヤモンドライクカーボン被膜Ｄが被覆されている。 （もっと読む）

【課題】サブミクロンオーダーの金属膜を透明基板上に確実に形成することができるメタルワイヤーパタンの製造方法、バックライトシステム及びそれらを用いた液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】モールド２０ａにナノインプリント法により凹凸部１１を形成する凹凸部形成工程と、モールド２０ａの凹凸部１１上に真空成膜法またはめっき法により金属膜１３を堆積させる金属膜形成工程と、凹凸部１１上に堆積した金属膜１３のうち、凸部１５上に堆積した金属膜１３を透明基板３０に転写してメタルワイヤー層３２を形成する転写工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物薄膜層と透明導電性薄膜との間に、アルカリ耐性のある層を設けることにより、アルカリ浸漬後も良好なガスバリア性と導電性とを保持する透明導電性フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材と、基材上に形成された金属酸化物薄膜層と、金属酸化物薄膜層上に形成されたガスバリア性を有する複合被膜層と、複合被膜層上に形成された窒化層と、窒化層上に形成された透明導電薄膜層とを有することを特徴とする透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】搬送室内の汚染を軽減し、メンテナンス頻度の減少を図ることが可能な基板処理システムを提供すること。
【解決手段】被処理基板に対して処理を行う処理チャンバ２２及び２３と、処理チャンバ２２及び２３に接続され、内部が処理チャンバ２２及び２３の処理圧力と適合した圧力に調整可能な搬送室２１と、搬送室２１内に設けられ、被処理基板を処理チャンバ２２及び２３に対して搬入出する搬送機構２６と、搬送室２１内を、この搬送室２１内に処理チャンバ２２及び２３からの放出物が付着しない温度に加熱する加熱機構７１と、搬送室２１内を排気する排気機構５４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】大気中かつ無潤滑環境下でも耐摩耗性・低摩擦性能に優れた硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の高融点金属を含む基材１２上に、各層間の密着性を高めるためＣｒ中間層４１、および組成傾斜層４２を形成し、その上に２.７ａｔ％以上７.７ａｔ％以下のＭｏ元素、及び１.３ａｔ％以上４.６ａｔ％以下のＳ元素、及び７.０ａｔ％以上９.５ａｔ％以下のＯ元素を含む硬質炭素被膜４３を０．２μｍ以上０．３μｍ以下の厚さに形成する。 （もっと読む）

【課題】硬質炭素層を備えた摺動部材において、摩擦係数の一層の低減を図ると共に、簡便なプロセスで製造することができ、しかも潤滑剤や潤滑油の選択の制約が少ない摺動部材を提供すること。
【解決手段】表面の硬質炭素層３と下地基材１の間に中間層２を設け、その中間層２が呈する柱状のドメイン構造における粒界の傾きのばらつきが特定範囲内、すなわちドメイン壁面２ａの傾き角度の標準偏差が１２°以内に収まるようにする。 （もっと読む）

【課題】原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層ついて、高真空度下においても安定なプラズマを発生させて、品質（膜質）の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、放電電極２と、中性子検出器３０のカソード３３として用いられる円筒状の接地電極４と、放電電極２と接地電極４とを電気的に絶縁する筒状あるいはスリーブ状の絶縁体５と、放電電極２と接地電極４との間に電力を供給する電源部６と、放電電極２と絶縁体５とを接地電極４の長手軸方向に移動させる電極移動部７と、電源部６が供給した電力により放電電極２と接地電極４との間に発生した電界へ磁界を加える磁界発生部８と、少なくとも接地電極４内を真空にする真空手段９とから構成される。 （もっと読む）

【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜１０１は、アモルファス状態の炭素よりなる基質１１１と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ²混成軌道による結合（ｓｐ²結合）の部分からなる微細な複数のナノグラファイト（超伝導領域）１１２と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ³混成軌道による結合（ｓｐ³結合）の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド１１３とを備える。隣り合うナノグラファイト１１２は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】 カルーセル式の成膜装置において、細長片形状のターゲットの外周部の非エロージョンからの異常放電を抑制し、成膜過程においてパーティクルの発生を低減することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ内に、その周面に基材を配置することができるように構成された回転可能な円筒ドラムを設け、前記基材に対向する位置に配置される細長片形状のターゲットをスパッタすることにより前記基材に成膜を行う成膜装置であって、前記成膜装置は、前記細長片形状のターゲットをスパッタするためのＤＣパルスカソードと、前記細長片形状のターゲットの被スパッタ面と対面する位置にＤＣパルスアノードとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】軟磁性層で生じる磁気ノイズを低減する。
【解決手段】基材に軟磁性薄膜をスパッタリングにより形成するための複数の第１チャンバ１１と、軟磁性薄膜に非磁性薄膜をスパッタリングにより積層して形成するための少なくとも１つの第２チャンバ１２とを備える。そして、第１チャンバ１１と第２チャンバ１２は、基材の搬送経路に沿って交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、当該表面処理層は、銅箔の張り合わせ面に亜鉛成分を付着させ、融点１４００℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて得られることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。そして、少なくとも、この表面処理銅箔の高融点金属成分及び炭素成分の形成には、物理蒸着法を用いる。 （もっと読む）

【課題】１以上のアスペクト比を有する多層集積回路のビア、スルーホール又はトレンチにＡｌ電気コンタクトを形成する。
【解決手段】スパッタチャンバと、堆積チャンバと、移送チャンバと、を備え、半導体基板上における薄膜層のアパーチャを充填する充填装置において、スパッタチャンバは、スパッタ堆積材料の供給源となるターゲットカソードと、半導体基板を支持するための基板位置決め部材と、ＤＣ電源装置を具備し、ターゲットカソードからスパッタされた種を生成するために使用される第１のプラズマ発生ユニットと、基板位置決め部材に接続された基板バイアスＲＦ電源装置と、ＲＦ電源装置を具備し、ターゲットカソードと基板位置決め部材との間に位置して、ターゲットカソードから前もってスパッタされた種をイオン化又は再イオン化するために使用される第２のプラズマ発生ユニットと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】表面を均一で高精度で再現性のある微細凹凸面とし、腐食性洗浄液、腐食性ガスに対する耐食性に優れ、パーティクルの発生がなく耐久性に優れるなど、機能性、表面特性に優れた石英ガラス材料を提供する。
【解決手段】多関節アームロボット３を利用したレーザー加工装置１のレーザー光の焦点を石英ガラスプレート２の表面に合わせ、所望の表面粗さにするために予め表面粗さＲａ０．５〜５０μｍの範囲内における速度と表面粗さの関係式から求めた速度で移動させて、石英ガラスプレートの表面に微細な凹凸面を形成した。次いで、ダイヤモンド・ライク・カーボン膜（ＤＬＣ）で凹凸面が形成された面を被覆した。パーティクルの発塵がなく、フッ酸耐久性や熱酸化速度が良好であり、ハロゲン化物ガス及び／又はそのプラズマに対する耐食性が高く、半導体製造装置用部材など、表面特性に優れた石英ガラス材料として好適である。 （もっと読む）

スパッタリングターゲット集合体を製造する方法において、粉末形態の金属及び合金を用いてターゲット材料を支持板に接合し、真空ホットプレス中で達成される温度で、実質的に１００％の接合を達成することによる、上記方法。
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【課題】 光学薄膜を成膜する際の真空排気に時間をかけることなく、基材から生じるガスを抑え、高品位な光学薄膜を成膜できる方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内において、基材上に金属薄膜を成膜する工程と、前記金属薄膜を酸化源により酸化する工程とを繰り返し、酸化された前記金属薄膜を積層することにより光学薄膜を成膜する方法であって、前記基材は樹脂から形成されたものとし、前記金属薄膜を成膜する工程の前に、前記基材の融点以下の温度で前記基材をプラズマ又は高周波により加熱する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コーティングの個々の層が費用効果的な標準材料である、焼戻し可能であり且つガラスにスパッタプロセスによって適用され得るガラス用低Ｅ銀コーティングを提供する。
【解決手段】ガラス基板と、約１５ｎｍの厚さのその上に配置されたＳｉ_３Ｎ_４層と、Ｓｉ_３Ｎ_４層上の１５ｎｍの厚さのＴｉＯ_２層と、ＴｉＯ_２層上の１２.５ｎｍ厚Ａｇ層と、Ａｇ層上の約５ｎｍ厚さのＮｉＣｒＯ_ｘ層と、終端の４５ｎｍ厚Ｓｉ_３Ｎ_４層とから構成される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含有した硬質皮膜の窒化物相内に炭化物相を存在させ、高硬度で耐摩耗性に優れる特性を犠牲にすることなく、窒化物皮膜の脆性及び潤滑性を改善して、炭化物等の優れた性能を付与する。
【解決手段】硬質皮膜は、原子％で、Ｓｉが２から５０％、Ｍ成分が５０から９８％、但しＭ成分は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、から選択される１種以上を有し、該硬質皮膜は窒化物相内に炭化物相が存在することを特徴とする硬質皮膜である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜（以下、ＤＬＣ膜という）よりなる被覆層を有する成形金型であって、ＤＬＣ膜の除膜、再生工程でのＤＬＣ膜の除膜に際し、エッチングによる成形金型基材の粗面化が生じ難い成形金型を提供する。
【解決手段】ＤＬＣ膜よりなる被覆層を有する成形金型であって、この被覆層と成形金型基材との間に下記の中間層を有することを特徴とする成形金型。
中間層：（Ｃｒ_1-a Ｓｉ_a ）（Ｂ_x Ｃ_y Ｎ_1-x-y ）からなり、下記の式(1) 〜(3) を満たす皮膜層であって、成膜時のガス圧力：０．２〜０．５Ｐａで成膜された皮膜層。
0.5 ≦ａ≦0.95 --- 式(1) 、０≦ｘ≦0.2 --- 式(2) 、０≦ｙ≦0.5 --- 式(3)
但し、上記式(1) 〜(3) において、ａはＳｉの原子比、ｘはＢの原子比、ｙはＣの原子比を示すものである。 （もっと読む）