【課題】アークイオンプレーティング等により形成した薄膜にターゲット成分からなるドロップレットが形成しにくい窒化物分散Ｔｉ−Ａｌ系ターゲット及びその粉末冶金法による製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ粉末とＡｌ粉末と窒化物粉末との混合粉をアルミニウムの融点未満の温度で加熱し、Ｔｉ及びＡｌからなる金属間化合物を形成させ、さらにＴｉ及びＡｌからなる金属間化合物を含む混合粉を非酸化性雰囲気中で、アルミニウムの融点より高くチタンの融点より低い温度で加熱してＴｉＡｌを含む窒化物を形成させるとともに加圧焼結することにより窒化物分散Ｔｉ−Ａｌ系ターゲットを製造する。これにより得られたターゲットは、単体の金属Ａｌが存在せず、組織中にＴｉ_２ＡｌＮ相が分散しているとともに緻密な組織となっているので、製膜時におけるドロップレットの生成を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素被覆部材において、基材をArイオンでエッチングした後に非晶質炭素膜を基材上に被覆する方法ではエッチング効果が低く、中間層を基材と非晶質炭素膜の間に形成する方法でも、機械部品や、切削工具、金型に対して実用可能な密着性が得られないという問題を有していた。
【解決手段】 基材に負のバイアス電圧を印加することにより、基材表面に周期律表第IIIa、IVa、Va、VIa、IIIb、IVb族元素から選択される１種以上の元素イオン、あるいは、該元素イオンとKr、Xe、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₆H₆、CF₄から選択される１種以上のガスを少なくとも含む雰囲気ガスによるガスイオンを複数組み合わせて照射した後、基材上に非晶質炭素膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタカソードは、ターゲット１０のスパッタ面１０ａに設けられた第２環状溝１４と、ターゲット１０の非スパッタ面１０ｂに設けられた第３環状凸部２３と、非スパッタ面１０ｂの、第３環状凸部２３の外側に設けられた第４環状溝２４と、非スパッタ面１０ｂの、第４環状溝２４の外側に設けられた第４環状凸部２５とを有するターゲットを備える。また、上記マグネトロンスパッタカソードは、非スパッタ面１０ｂ側に、第１磁石５、及び第１磁石５と極性の異なる第２磁石６を備える。 （もっと読む）

【課題】シールド板、成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、交換後のシールド板に対する脱ガス処理に要する時間を短縮可能とすることを目的とする。
【解決手段】成膜装置内に交換可能に取り付けられると共に、成膜装置内で飛散する成膜材料が堆積される堆積面を有するシールド板を、一対の相対向する表面のうちの一方が堆積面を形成する板状部材と、板状部材に一体的に設けられたヒータと、ヒータと電気的に接続された端子を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】面圧が２．０ＧＰａ以上と高面圧下で使用される部材（特には、摺動部材）の表面に形成した場合であっても、優れた耐久性を発揮する積層皮膜を提供する。
【解決手段】金属元素の炭化物、ほう化物、および炭ほう化物よりなる群から選択される１以上の化合物からなり、ナノインデンテーション法で測定される硬度（以下、「ナノインデンテーション硬度」という）が２０ＧＰａ以上３５ＧＰａ以下で、かつ膜厚が５μｍ以上１０μｍ以下である中間層２と、前記中間層上に形成され、ナノインデンテーション硬度が２５ＧＰａ以上３５ＧＰａ以下で、かつ膜厚が０．３μｍ以上１．０μｍ以下であるダイヤモンドライクカーボン膜３とを備えていることを特徴とする積層皮膜。 （もっと読む）

【課題】集電箔上にＷ／Ｃ傾斜被膜を形成することにより高耐食性及び高導電性を両立した非水電解液二次電池用集電体の製造方法及びこの製造方法により製造される集電体を提供する。
【解決手段】非水電解液二次電池の集電体となる集電箔２にスパッタリングによって被膜を形成する非水電解液二次電池用集電体の製造方法であって、前記集電箔２に近いほうにタングステンの比率が多く、前記集電箔２から離れるにしたがって徐々に炭素の比率が高くなるＷ／Ｃ傾斜被膜１０を集電箔２上に形成する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の脱気処理を十分に行って高真空にできると共に、高温に耐え得る載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して金属を含む薄膜を形成するために被処理体を載置する載置台構造３２において、内部にチャック用電極３４と加熱ヒータ３６とが埋め込まれたセラミック製の載置台３８と、載置台の周辺部の下面に接続された金属製のフランジ部１００と、フランジ部とネジ１２６により接合されると共に内部に冷媒を流すための冷媒通路４０が形成された金属製の基台部４２と、フランジ部と基台部との間に介在された金属シール部材１３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、ターゲットのスパッタ物質を基板に付着させる成膜プロセス領域と、成膜プロセス領域とは分離して配置され基板に反応性ガスを接触させてスパッタ物質の組成を変換させる反応プロセス領域と、成膜プロセス領域と反応プロセス領域の間で基板を繰り返し移動させる基板保持移動手段とを有する。成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂを含む。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。 （もっと読む）

【課題】安定したプラズマを高効率に発生させて成膜を行うことができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】内部を真空に維持する真空容器１１と、真空容器に接続されアンテナ収容室８０Ａ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を備える薄膜形成装置を用いた薄膜形成方法である。薄膜形成方法は、前記真空容器の内部を真空状態にするとともに、前記アンテナ収容室の内部を真空容器より低く１０^−３Ｐａ以下の真空状態に減圧する減圧工程と、前記アンテナ８５ａに高周波電圧を印加して前記真空容器の内部にプラズマを発生させて、前記真空容器内で形成された薄膜をプラズマ処理する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】金属化合物薄膜の生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、チャンバ１２と、基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材に周面が対向するように設けられた回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な補助陰極２０と、保持部１６が設けられた成膜室２２と金属材料供給室２４との間のガスの移動を規制するガス遮蔽部材３０と、成膜室２２に接続され、スパッタリングされたターゲット材料と反応して金属化合物を形成する反応性ガスを供給する反応性ガス供給路３２と、を備える。補助陰極２０は、スパッタリングされた回転陰極１８の表面にターゲット材料と同種の金属材料を新たに供給する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、（Ａ）少なくともＣｏを含有する金属相、（Ｂ）長軸粒径１０μｍ以下の粒子を形成してなるセラミックス相、および（Ｃ）少なくともＣｏを含有してなるセラミックス−金属反応相を有し、前記（Ｂ）セラミックス相が前記（Ａ）金属相内に散在されてなり、かつ、前記（Ｂ）セラミックス相と前記（Ａ）金属相との間に、前記（Ｃ）セラミックス−金属反応相により形成される層が介在してなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンで形成された記録層を有し記録層の磁気特性の変化が生じにくい信頼性が高い磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板と、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４Ａを構成する記録層１４と、記録要素１４Ａの間の凹部１６を充填する充填部１８と、を有し、該充填部１８は金属系材料の主充填材料と窒素とを含んでなり、且つ、主充填材料の原子数及び窒素の原子数の合計値に対する窒素の原子数の比率が充填部１８の上面部１８Ａにおいて充填部１８の下部１８Ｂにおけるよりも高くなるように充填部１８中に窒素が偏って分布している。 （もっと読む）

【課題】基材と密着性に優れる中間層と、耐摩耗性に優れる表面層であるＤＬＣ層とを備え、ＤＬＣ層最下部と中間層との間でも剥離を生じることがなく、耐摩耗性にも優れる硬質多層膜成形体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超硬合金材料または鉄系材料からなる基材の表面に多層の膜を形成してなる硬質多層膜成形体１であって、上記多層の膜は、（１）この多層の表面層５として形成される、炭素供給源として固体ターゲットのグラファイトのみを使用し、水素混入量を抑えて成膜したＤＬＣを主体とする膜と、（２）この表面層５と基材２との間に形成される、少なくともクロムまたはタングステンを主体とする中間層３と、（３）この中間層３と表面層５との間に形成される炭素を主体とする応力緩和層４とからなり、応力緩和層４は、その硬度が中間層３側から表面層５側へ連続的または段階的に上昇する傾斜層である。 （もっと読む）

【課題】 実用に耐えうる耐摩耗性を備えた撥油性膜を持つ撥油性基材を製造することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、基板１０１の表面にエネルギーを持つ粒子を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射工程後の基板１０１の表面に乾式法を用いて第１の膜１０３を成膜する第１の成膜工程と、第１の膜１０３の表面に撥油性を有する第２の膜１０５を成膜する第２の成膜工程とを、有する。
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【課題】特性が異なる２つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】炭素系非晶質薄膜１５の表面からこの膜の一部に金属元素のイオン３２を注入することにより、薄膜１５に、金属元素を含む第１領域と金属元素を含まない第２領域とを形成する工程と、少なくとも第１領域にエネルギーを供給することにより、第２領域におけるグラファイトクラスターの成長を当該クラスターの粒径が２ｎｍ以下となる程度に抑制しながら、第１領域に粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを形成する工程と、を実施して、炭素系薄膜を得る。好ましい金属元素はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕである。好ましいエネルギーの供給方法は電子線照射である。 （もっと読む）

【課題】高面圧下や油潤滑環境下で用いられる摺動部材の表面に形成した場合であっても、優れた耐久性を発揮する窒素含有非晶質炭素系皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の窒素含有非晶質炭素系皮膜は、摺動部材の摺動面に、物理蒸着法により形成される窒素含有非晶質炭素系皮膜であって、水素を８．０原子％以上１２．０原子％以下、および窒素を３．０原子％以上１４．０原子％以下含むところに特徴を有する。本発明の窒素含有非晶質炭素系皮膜を、摺動部材の組み合わせ（例えば自動車エンジンの摺動部品等）であって、該摺動部材の少なくとも一方の摺動面に形成すれば、その効果が十分に発揮される。 （もっと読む）

作動波長域を軟Ｘ線領域又は極紫外線領域とする、特にＥＵＶリソグラフィにおいての使用のための応力軽減型反射光学素子を製造するために、基材と作動波長域においての高反射率のために最適化された多層系との間に応力軽減型多層系を４０ｅＶ以上の、好適には９０ｅＶ以上の、エネルギーを有する層形成粒子によって蒸着することが提案される。得られる反射光学素子はその低い界面粗さ、応力軽減型多層系における周期数の少なさ及び応力軽減型多層系におけるΓ値の高さにより特徴付けられる。
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【課題】 電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ状態を安定させ、かつ、好適な成膜条件によって、良質な膜を成膜できる成膜装置および成膜方法、これらによって成膜した圧電膜、および、この圧電膜を用いる液体吐出装置を提供することにある。
【解決手段】真空容器と、ターゲットホルダと、基板ホルダと、アノードとを有し、前記アノードは、前記基板ホルダの外周を取り囲むように設けられた筒状部材と、前記筒状部材の内周面に、前記基板ホルダと直交する方向に互いに離間した状態で取り付けられ、かつ、前記成膜用基板よりも大きい中心開口を持つ環状である複数枚の板状部材とを有し、前記真空容器内に前記ガスを導入し、前記ターゲットホルダと基板ホルダとの間に、電圧をかけてプラズマを生成し、前記成膜用基板上に前記成膜材料の薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ含有量を減らすことができ、しかも、導電性などの膜特性を、ＩＴＯ膜に匹敵するレベルにまで改良することのできる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分とする焼結体をターゲットとして用い、不活性ガスおよび酸素の混合ガス雰囲気下で、物理的成膜法により支持体上に透明導電膜を形成することによる透明導電膜の製造方法であって、前記混合ガスの酸素濃度（体積％）を０．０１以上０．４以下の範囲とすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。前記物理的成膜法がスパッタリングである前記の透明導電膜の製造方法。前記焼結体がＺｎ、ＳｎおよびＯからなり、ＳｎモルとＺｎモルの和に対するＳｎモルの比（Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ））が、０．５を超え０．７未満の範囲である前記の透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）