【課題】 硫化アルミニウムを含有する硫化物成膜材料を保管する際に、水分による表面の酸化を防ぎ、保管後の良好な成膜が可能な保管方法を提供する。
【解決手段】 硫化アルミニウムを含有する硫化物成膜材料を、フッ素系液体中に保存する。フッ素系液体は０〜４０℃で液体であり、且つ沸点が７５℃以上１６０℃以下であることが好ましい。好ましいフッ素系液体としては、パーフルオロコンパウンド又はハイドロフルオロエーテルを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】長尺にスパッタリングで成膜を行うに際し、密着性および強度に優れ、かつ、ピンホール等のない表面性状が良好な薄膜を安定して成膜することができる成膜方法、および、これに最適な成膜装置を提供する。
【解決手段】パルス電力を印加できる複数の放電電源とターゲットを有するカソードを複数組み合わせて、前記基板を長手方向に搬送しつつ、少なくとも２以上のカソードを２つ以上のグループに分割し、各カソードのターゲットに対応させて所定の周波数のパルス電圧を印加して前記基板に薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

複合フィルムの製造方法、および電子または光電子デバイスの製造方法であって、前記方法は、（ｉ）ポリマー基板層を形成するステップと、（ｉｉ）少なくとも１つの方向に基板層を延伸するステップと、（ｉｉｉ）基板層のポリマーのガラス転移温度より高いが、その溶融温度より低い温度で、フィルム幅１ｍ当たり約１９から約７５ｋｇの範囲の張力において寸法制限下で熱硬化するステップと、（ｉｖ）基板層のポリマーのガラス転移温度より高いが、その溶融温度より低い温度で、フィルムを熱安定化するステップと、（ｖ）平坦化被覆組成物を適用するステップであって、前記被覆基板の表面が、０．６ｎｍ未満のＲａ値および／または０．８ｎｍ未満のＲｑ値を示すようにするステップと、（ｖｉ）高エネルギー気相蒸着によって厚さ２から１０００ｎｍの無機バリア層を提供するステップと、任意で（ｖｉｉ）前記電子または光電子デバイスにおける基板として、前記ポリマー基板層、前記平坦化被覆層、および前記無機バリア層を含む複合フィルムを提供するステップとを含む方法、ならびに前記複合フィルムおよび前記電子または光電子デバイス自体。 （もっと読む）

【課題】露光時の電子線照射によって、反り調整層に電荷が蓄積され、電子線が偏向し転写精度が低下することのないステンシルマスクを製造するステンシルマスクブランクを提供する。ステンシルマスク、その製造方法、ステンシルマスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 （もっと読む）

【課題】特性が異なる２つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを含む第１領域１１と、粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを含まない第２領域１２とを有し、これら領域１１，１２が表面に露出し、第１領域１１がａ）および／またはｂ）を満たす炭素系薄膜を提供する。ａ）金属元素を含む。ｂ）プレート状グラファイト構造および／またはオニオン状グラファイト構造を含む。好ましい金属元素は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕである。この薄膜は、例えば、炭素系非晶質薄膜への上記元素のイオンの選択的注入と、上記薄膜への電子線照射により得ることができる。 （もっと読む）

i)基板を提供する段階、ii)スパッタリングターゲットを形成するように選択された材料をプラズマ溶解し、溶解材料の溶滴を生じさせる段階、iii)基板上に液滴を蒸着させ、基板上に材料の被覆層からなるスパッタリングターゲットを生じさせる段階を有するスパッタリングターゲットを製造するための方法。いくつかの適用では、基板は一時的な基板で、iv)被覆された一時基板を永久的なターゲット支持材料に前記被覆層を介して接合し、v)前記一時基板を取り外し、永久的なターゲット支持材料上に材料の被覆層からなるスパッタリングターゲットを生じさせることが、望ましい。プラズマ蒸着ステップは、大気圧下、又は直流プラズマ溶射、直流転送アーク蒸着、誘導プラズマ溶射などの軟真空を使用する条件下で行われる。この方法は簡単で、結果としてのターゲット上にその後の作業を必要としない。 （もっと読む）

【課題】 異常放電、膜剥離若しくはそれらに起因して生じるターゲットノジュール成長の抑制又は発塵源の低減を図る成膜装置を提供することを目的とする。また、本発明は、カソード電極近傍の構造物に対する膜堆積速度を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 負電位を有するカソード電極の対向側に位置する基板に、放電現象により成膜を行うための成膜装置であって、前記カソード電極の外周側、且つ、前記基板側に、接地電位又は正電位を有するアノード電極として、回転自在に構成された少なくとも１本以上の柱状体を、前記カソード電極の外周方向に沿って軸支して配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高容量で、かつハイレート充放電特性とサイクル特性に優れたリチウムイオン二次電池用負極およびその負極を用いたリチウムイオン二次電池を提供する。
【解決手段】集電体２と、前記集電体上に担持された活物質層１を含み、活物質層が、その厚さ方向に交互に積層された第１層１ａと第２層１ｂを含み、第１層がシリコンまたはシリコンと少量の酸素とを含み、第２層がシリコンと第１層よりも多量の酸素を含むリチウムイオン二次電池用負極およびその負極を用いたリチウムイオン二次電池。 （もっと読む）

【課題】迅速容易で、かつ、安全に強磁性体ターゲットを交換可能な技術を提供する。
【解決手段】本発明は、マグネトロンスパッタリング用の強磁性体ターゲットを交換するための磁性体ターゲット交換冶具であって、当該強磁性体ターゲットを吸引保持するための保持マグネット３と、強磁性体ターゲット１０を保持マグネット３に近接した状態で位置決め保持するための位置決めピン８ａ、８ｂ、８ｃと、保持マグネット３を移動させるための移動機構７と、冶具本体１ａをカソードフランジ２０のターゲット交換位置２０ａに位置決めるための本体位置決め機構９とを有する。 （もっと読む）

【課題】
多元系ターゲット材の製造において、成膜時の印加圧力によって破損しない機械的強度を有するターゲット材を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
原料粉末がバインダと金属粉末または化合物粉末の１種または２種以上とからなるターゲット材組成物により形成される多元系ターゲット材において、ターゲット本体部の周辺に成膜装置への取り付け用の鍔部が一体的にはり出し形成されかつ前記ターゲット本体部よりも鍔部にかけて密度が高くなっている多元系ターゲット材を製造する。 （もっと読む）

【課題】金型や切削工具等の金型加工工具表面用保護膜によって、成型品の外観を向上させるために、ある程度の高硬度を有すると共に、潤滑性を向上させ、且つ濡れ性を低下させる。
【解決手段】 気相薄膜形成法によって金属表面に形成される、遷移金属元素の窒化物と非晶質構造の炭素との混合膜又は積層膜からなる金属加工工具表面保護膜。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む銅酸化物超伝導体の薄膜が、より高いＴｃを備えた状態で得られるようにする。
【解決手段】結晶基板１０１の表面に酸素ラジカル及び二酸化炭素からなる反応ガス１２１が供給された（吹き付けられた）状態とし、この後、結晶基板１０１が５５０℃程度に加熱された状態とし、また、Ｂａ，Ｃａ，Ｃｕ），及びフラーレンＣ₆₀の各蒸着源を、所定温度にまで加熱して蒸発させ、金属原料１２２が結晶基板１０１の表面に供給された状態とすることで、結晶基板１０１の上に、Ｔｃが８５Ｋと高い超伝導転移臨界温度を示す酸化物超伝導薄膜１０２が形成された状態が得られる。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる少なくとも1種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる少なくとも1種の第２の元素を含むガスを使用する。得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工でダイヤモンド状炭素系被膜がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金基体の表面に、収束磁場形成のプラズマ化学蒸着装置にて、（ａ）Ｔｉターゲットをスパッタして、磁場中成膜されたＴｉＮ層およびＴｉＣＮ層のうちのいずれか、または両方の積層からなり、かつ０．５〜３μｍの平均層厚を有する密着接合層を介して、（ｂ）酸化シリコン焼結体ターゲットをスパッタして磁場中成膜された、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）からなる素地に、透過型電子顕微鏡による観察で最大径が１０ｎｍ（ナノメーター）以下の酸化シリコン微粒が、Ｘ線光電子分光装置（ＥＳＣＡ）による測定で１〜１０原子％の割合で分散分布した組織を有し、かつ０．６〜１５μｍの平均層厚を有するダイヤモンド状炭素系被膜を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 画像品質を劣化させ表示欠陥となるディフェクト（異物）の発生の少ない良好な品質の反射防止膜を形成できる液晶表示素子の製造方法を提供する
【解決手段】 アクティブマトリクス基板上に絶縁層と、絶縁層上に複数の画素電極をマトリクス状に形成し、一方、ガラス基板２１上にＩＴＯ膜２２、少なくともＳｉＯ₂膜からなる反射防止膜２３を順次形成し、複数の画素電極と反射防止膜２３を所定の間隔を有して対向配置させ、この間隔に液晶２４を封入した液晶表示素子の製造方法において、ＳｉＯ₂膜は、真空チャンバー内にカソード３と、カソード３を取り囲むアノード２と、基板ホルダ９とを有するスパッタリング装置１５を用いて、カソード３上に外周部が面取りされたＳｉからなるターゲット１を載置し、ターゲット１に対向する側の基板ホルダ９に保持されたガラス基板２１上に、酸素雰囲気中でターゲット１をスパッタリングすることにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 アンバランスドマグネトロンスパッタリング（ＵＢＭＳ）法の高密着性の特徴を維持しつつ、基板面全域で膜質の均一な膜を形成する。
【解決手段】 非平衡な磁場分布を形成するアンバランスドマグネトロンスパッタ電極と、基板２を保持するホルダー３を備えた回転ステージ１と、該回転ステージ１の周囲に設けられ該基板２の表面に対向する複数、好ましくは３体以上のターゲット４ａ、４ｂ、４ｃを備えたアンバランスドマグネトロンスパッタリング（ＵＢＭＳ）装置であって、（１）複数、好ましくは３体以上のターゲット４ａ、４ｂ、４ｃが高さを変えて設置され、且つ基板２を載置するステージ１を公転させる機構を有するか、又は（２）基板２をターゲット４ｄ、４ｅ、４ｆに対して平行方向（回転ステージに対して上下方向）５に振動させる機構と、基板２を載置するステージ１を公転させる機構を有する。 （もっと読む）

【課題】配線パターンとなる金属材料中にＣＮＴを均一に分散させると共に、配線パターンの電気導電率を向上させる。また、スパッタリングによって金属薄膜中にＣＮＴを均一に分散混入するためのターゲット材を提供する。
【解決手段】絶縁性材料からなる基材８の表面にＣＮＴ入り金属層１３を形成し、金属層１３をパターンエッチングして配線パターンを形成する配線材の製造方法において、ＣＮＴ入り金属層１３をスパッタリング法により形成する。ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。スパッタリング用ターゲット材１０としては、ＣｕにＣＮＴが含まれたターゲット材を用いる。 （もっと読む）

【課題】 光吸収のない金属フッ化物膜を一定の成膜速度で形成することができるスパッタリングターゲット及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリングに用いられるターゲット電極は、バッキングプレート３の上に石英板２を介してターゲット１が固定されている。バッキングプレート３には、冷却用配管が設けられており、ターゲット１の下面を冷却するようになっている。ターゲット１は、ＭｇＦ_２からなり、その密度は、ＭｇＦ_２のバルク密度に対して９０％以上のものが使用される。 （もっと読む）

剃刀の刃の剃刀の刃先に所定の層を堆積させる方法であって、この層が２つの成分からなる方法を開示している。少なくとも第１及び第２のスパッタターゲットを備える密閉容器内において、それぞれのスパッタターゲットは刃先に堆積される成分の少なくとも１つを備え、稼動の際には成分を密閉容器内に放散するように設けられている。この方法は、剃刀の刃がそれぞれのターゲットの近傍に交互に移動されるステップを備えている。
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【課題】 電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ焼結体であって、得られたＭｇＯ膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性、例えば、ＰＤＰ用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。また、その単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として得られたＰＤＰ用保護膜を提供することである。
【解決手段】 粒径２００μm以上の粒子を含有するとともに、Ｘ線回折法により測定した（２００）面のＸ線強度及び（１１１）面のＸ線強度を、それぞれａカウント毎秒及びｂカウント毎秒としたとき、２０＜ａ／ｂ＜３００であることを特徴とする単結晶ＭｇＯ焼結体、及び、この単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したＰＤＰ用保護膜である。 （もっと読む）