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Fターム[4K029DC03]の内容

物理蒸着 (93,067) | スパッタリング装置 (13,207) | ターゲット (7,009) | 材質 (4,025) | 単体金属 (1,291)

Fターム[4K029DC03]に分類される特許

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【課題】 1μm以上の開口径を有する高アスペクト比のTSVホールHがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ1内に処理対象物と、処理対象物に形成しようとする金属膜に応じて作製されたターゲット2とを対向配置し、処理対象物の全面に亘って垂直な磁場が作用するように垂直磁場を発生させ、この真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物に高周波バイアス電力を投入してターゲットからのスパッタ粒子やプラズマ中で電子で電離したイオンを引き込むようにしたものにおいて、前記バイアス電力を、200〜600Wの範囲とする。 (もっと読む)


【課題】タッチパネルのタッチ位置検出性能を高めるとともに、タッチパネルの製造コストを安価にすることのできる透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】透明導電薄膜4は、歪みに対する電気抵抗の変化率が300以上である材料から形成される。具体的には、透明導電薄膜4は、Zn:Oの組成比が、37.21:62.79から、37.69:62.31の範囲内のZnOから形成される。透明導電薄膜4は、真空チャンバ内に、ガラス基板2と、Znを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、18.0cm/minの流量でアルゴンを導入し、且つ、1.0cm/min以上、2.0cm/min以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 (もっと読む)


【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか1種以上を含み、白金の付着量が1050μg/dm2以下、パラジウムの付着量が600μg/dm2以下、金の付着量が1000μg/dm2以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、CuCl2を1.5〜4.1mol/L、及び、HClを1.3〜5.0mol/L含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】摩擦調整剤を含有した潤滑油が共存した摺動環境において従来技術よりも良好な低摩擦性と高い耐摩耗性とを兼ね備えた摺動部品を提供する。
【解決手段】モリブデン化合物を含有する潤滑油が共存する環境下で使用される摺動部品1であり、該摺動部品を構成する基材3の最表面に表面硬度が1800以上のビッカース硬度の硬質保護層20が形成された摺動部品であって、前記硬質保護層は、炭素、窒素および金属元素を主成分とし、かつ窒素を含有する炭素非晶質体と前記金属元素の化合物結晶体との複合体により構成され、前記化合物結晶体は金属炭化物、金属窒化物および金属炭窒化物のうちの少なくとも1つである。 (もっと読む)


【課題】ステンレス鋼基材表面にAuを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される密着性及び耐食性を確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材2の表面にAuとCrとを含む表面層6が形成され、表面層6とステンレス鋼基材2との間に、Crを20原子%以上含み、Oを20原子%以上50原子%未満含む中間層2aが1nm以上存在し、Au濃度65原子%以上の領域の厚みが1.5nm以上存在し、かつAuの最大濃度が80原子%以上であり、Crを50原子%以上含む金属層が存在しない燃料電池用セパレータ材料である。 (もっと読む)


【課題】Auの付着量を低減しつつ、Auを含む層をステンレス上に強固かつ均一に形成させることができ、さらに導電性、耐食性及び耐摩耗性を向上させた表面処理ステンレス鋼材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材2の表面にAuとCrとを含む表面層6が形成され、表面層とステンレス鋼基材との間に、Crを20原子%以上含み、Oを20原子%以上50原子%未満含む中間層2aが1nm以上存在し、Auの付着量が4000ng/cm以上70000ng/cm未満であり、表面層と中間層の合計厚みに対し、Crを20原子%以上含む厚み部分が30%以上を占める表面処理ステンレス鋼材料である。 (もっと読む)


【課題】ステンレス鋼基材表面にAuの付着量を低減しつつ、Auを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される密着性及び耐食性を確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】 ステンレス鋼基材2の表面にAuとCrとを含む表面層6が形成され、表面層とステンレス鋼基材との間に、Crを20原子%以上含み、Oを20原子%以上50原子%未満含む中間層2aが1nm以上存在し、Auの付着量が4000〜40000ng/cmであり、表面層の(最小厚み/最大厚み)で表される比が0.75以上の燃料電池用セパレータ材料である。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア性を高めたガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材2と、その基材2上に設けられたガスバリア膜3とを少なくとも有し、ガスバリア膜3の基材2側の界面Sに強磁性元素が存在するように構成したガスバリア性シート1により、上記課題を解決した。この強磁性元素を、界面Sに散布状若しくは島状又は薄膜状に存在させることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度(スパッタ速度)を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶構造が正方晶であるインジウムメタルターゲットであって、該ターゲットのスパッタ面が101が主配向であることを特徴とするインジウムメタルターゲット。インジウムメタル原料を溶解鋳造してインジウムメタルインゴット又はスラブを作製した後、該インゴット又はスラブを薄板状に冷間圧延してターゲットとするインジウムメタルターゲットの製造方法であって、前記冷間圧延により、ターゲットのスパッタ面を101主配向とすることを特徴とするインジウムメタルターゲットの製造方法。 (もっと読む)


【課題】鉛を含有せず、かつリーク電流を抑制できる液体噴射ヘッドの製造方法及びこれを用いた液体噴射装置、並びに圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成する工程と、絶縁体膜55上に反応性スパッタリング法により酸化チタンからなる密着層56を形成する工程と、密着層56上に第1電極60を形成する工程と、第1電極60上にチタン、ビスマス、バリウム、カリウム及びナトリウムを含む複合酸化物からなる圧電体層70を形成する工程と、圧電体層70上に第2電極80を形成する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】搬送式両面スパッタリング装置による基板への熱ストレスを抑制し、基板品質を劣化させない搬送式両面スパッタリング装置に用いる被処理物保持装置、いわゆる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】複数の開口を備え、対向配置される第1遮蔽板と第2遮蔽板と、前記第1遮蔽板と前記第2遮蔽板とに対向し、前記第1遮蔽板と前記第2遮蔽板とに挟まれ配置され、前記被処理物を保持し処理面を開放する開口部を有する保持部を備える保持部材と、を備え前記保持部材は、前記第1遮蔽板および第2遮蔽板とは相対的に移動可能に保持され、前記保持部材の前記保持部と前記第1遮蔽板の前記開口部が、平面視で重なる第1処理位置と、前記保持部材が前記第1および第2遮蔽板に対して相対的に移動し、前記保持部材の前記保持部と前記第2遮蔽板の前記開口部とが平面視で重なる第2処理位置と、を備える搬送式両面スパッタリング装置用の被処理物保持装置。 (もっと読む)


【課題】熱ストレスを抑制し、基板品質を劣化させない両面スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】被処理物を固定し、スパッタリング装置100内で往復移動する搬送装置と、前記被処理物を搬送する方向に交わる方向に対向配置される皮膜の基本組成物からなるスパッタ用ターゲット60を、前記被処理物の搬送方向に複数配置した第1ターゲット群および第2ターゲット群と、前記スパッタ用ターゲットと前記被処理物との間に、開閉可能なシャッター71と、を備え、対向配置される前記スパッタ用ターゲットに対応する前記シャッターのどちらか一方が開口し、他の一方が閉口する搬送式両面スパッタリング装置とする。 (もっと読む)


【課題】余分な工程を追加することなく、コンタクト抵抗の増加を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、Cu配線上の第2層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のTi膜、TiN膜、第2のTi膜、第1のAl膜、及び第2のAl膜をこの順に形成する。第1のTi膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第1の部分と第2層間絶縁膜上の第2の部分の膜厚の比(第1の部分)/(第2の部分)を0.05以下とする。また、第2のAl膜はアルミ・リフロー法を用いて形成し、この際に第2のTi膜及び第1のAl膜をアルミニウム・チタン合金膜とする。 (もっと読む)


【課題】転がり軸受の内・外輪軌道面などに形成されたDLC膜の耐剥離性を向上させ、DLC膜本来の特性を発揮することで、耐焼き付き性、耐摩耗性、および耐腐食性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】転がり軸受1は、外周に内輪軌道面2aを有する内輪2と、内周に外輪軌道面3aを有する外輪3と、内輪軌道面2aと外輪軌道面3aとの間を転動する複数の転動体4とを備え、曲面である内輪軌道面2aや外輪軌道面3aの表面に硬質膜8が成膜されてなり、この硬質膜8は、該表面に直接成膜されるCrを主体とする下地層と、該層の上に成膜されるWCとDLCとを主体とする混合層と、該混合層の上に成膜されるDLCを主体とする表面層とからなる構造の膜であり、混合層は、下地層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、WCの含有率が小さくなり、DLCの含有率が高くなる層である。 (もっと読む)


【課題】 皮膜密着性に優れた表面被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 母材の表面に物理蒸着によって硬質皮膜が被覆された被覆部材であって、前記硬質皮膜は、ダイヤモンドライクカーボン皮膜と、該ダイヤモンドライクカーボン皮膜と母材との間にあって、母材側から前記ダイヤモンドライクカーボン皮膜に向かってチタンの含有量が減少していくチタンと炭素の混合傾斜皮膜とからなり、該混合傾斜皮膜中のチタン量と炭素量は、膜厚方向のグロー放電発光分光分析によるそれぞれの最大ピーク強度をITi、Iとした時に、1.2<I/(ITi×10)<2.0の関係を満たす皮膜密着性に優れた被覆部材である。1.3<I/(ITi×10)<1.5であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】優れた耐薬品性およびArF照射耐性を有するマスクブランク、転写マスク等を
提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用
いられるものであり、透光性基板上1に遮光膜30を備えるマスクブランクであって、
前記遮光膜30は、タンタルを主な金属成分として含有する材料からなり、
前記遮光膜30の透光性基板側とは反対側の表層に層中の酸素含有量が60at%以上
である高酸化層4が形成されていることを特徴としたマスクブランク。 (もっと読む)


【課題】高硬度から低硬度の材料まで広範囲の基材に対し、高硬度のDLC(ダイヤモンドライクカーボン)膜を最表面側に含むDLC多層膜を約3μm以上厚く形成しても、基材およびDLC膜の双方に対して優れた密着性を備えており、耐摩耗性にも優れたDLC成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】DLC硬質多層膜成形体10の製造方法は、基材1を用意する工程(a)と、前記基材の上に、中間層2aをスパッタリング法によって形成する工程(b)と、前記中間層の上に、第1のダイヤモンドライクカーボン系膜3aをスパッタリング法によって形成する工程(c)と、前記第1のダイヤモンドライクカーボン系膜の上に、前記第1のダイヤモンドライクカーボン系膜よりも表面硬度の高い第2のダイヤモンドライクカーボン系膜3bをカソード放電型アークイオンプレーティング法によって形成する工程(d)と、を包含する。 (もっと読む)


【課題】低放射膜は成膜速度の高い金属層と、成膜速度の低い誘電体層を交互に積層する必要があり、特に大面積に低放射膜を形成する必要がある建築用ガラスについて、生産性良く形成することが可能な低放射膜を得ることを目的とした。
【解決手段】基材上に形成される低放射膜であり、該低放射膜は、誘電体層と金属層とを有しており、該誘電体層はSn及びZnからなる群から選ばれる少なくとも1つの酸窒化物からなる層を少なくとも1層有することを特徴とする低放射膜。 (もっと読む)


【課題】チタン基材表面にAuを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される密着性及び耐食性を確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】Ti基材2の表面にAuとCrとを含む表面層6が形成され、表面層とTi基材との間に、Ti,O及びCrを含み,Au原子20%未満の中間層2aが存在し、Au濃度65原子%以上の領域の厚みが1.5nm以上存在し、かつAuの最大濃度が80原子%以上であり、Auの付着量が9000ng/cm以上の燃料電池用セパレータ材料である。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。
【解決手段】
タングステンを含有するターゲットTを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Sに形成する成膜方法において、ターゲットTとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。また、成膜されたタングステン膜におけるニッケルの濃度が、0.001質量%以上且つ1質量%以下となるようにする。 (もっと読む)


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