【課題】無接着剤フレキシブルラミネートのタイコート層又はタイコート層と同等の金属又は合金を金属導体層状に形成する。同時に回路配線のファインピッチ化の妨げとなるサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】少なくとも一方の面がプラズマ処理されたポリイミドフィルムと、その上に形成されたタイコート層と、該タイコート層上に形成された金属導体層を有し、さらに該金属導体層の上に前記タイコート層と同一成分の層を有することを特徴とする無接着剤フレキシブルラミネート。 （もっと読む）

鋳鉄または鋼で作製されているのが好ましいスライド要素、とりわけピストンリングは、ＣｒＮ層（１４）およびａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅ層（１６）が交互に重なり合った多重層を有するコーティングを備える。鋳鉄または鋼で作製されているのが好ましいスライド要素、とりわけピストンリングをコーティングするための方法では、複数のＣｒＮ層とａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅ層が交互に設けられる。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品１を製造する方法であって、部品本体２の表面に膜厚が300μm以上のＣｕ溶射膜３を形成する工程と、表面に前記Ｃｕ溶射膜３が形成された部品を、真空雰囲気中で加熱するアニーリング工程と、前記アニーリング工程後、水素雰囲気中にて前記加熱温度より低い温度で前記部品を還元する還元処理工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】Ａｕを含む表面層をステンレス基材上に強固かつ均一に形成させることができ、燃料電池用セパレータに要求される耐食性、導電性及び耐久性も確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材２の表面に、ＣｒとＡｕとを含み、Ｆｅが１０質量%以下含まれる表面層６が形成され、表面層のどの深さにおいても、金属状態のＣｒの含有量が２５質量％以下である燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットから垂直方向に叩き出されるターゲット原子の個数を増大させる。
【解決手段】薄膜形成に用いられるターゲット原子Ｐから構成されたターゲット５において、ターゲット５から斜め方向に叩き出されたターゲット原子Ｐを側壁に衝突させることでターゲット原子Ｐがターゲット５から放出されるのを遮る凹部５ａを表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】青色光を反射するＳＵＳの被膜を基材表面に形成する装飾部材の表面被膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応室内に合成樹脂製基材12とＳＵＳ板を対向配置し、反応室にＡｒガスを導入しつつ、スパッタリング法により、基材の表面にＳＵＳの被膜を形成する方法で、ＡｒガスとともにＯ_２ガスを反応室に導入しつつ、スパッタリング法で、基材表面に酸素原子濃度６０〜７０％（ＡＥＳ分析）のＳＵＳの被膜14を形成する。被膜中に青色光を反射する反射成分15が分散して、被膜の分光反射スペクトルが長波長域より短波長域で強い特性を示し、基材が黒の場合は、被膜が青味を帯びた明るい色調の銀白色に輝いて見える。 （もっと読む）

１０μｍ以下のサイズを有する粒子を製造するための、高い生産速度の、プラズマ・スパッタリング・プロセスが開示される。このプロセスは、スパッタされたターゲット原子の少なくとも一部をイオン化させ、グレインの表面での、イオン化されスパッタされたターゲット原子の、ピックアップ可能性が高いようなパラメータで、実行される。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い、高品質の機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】有機膜成膜装置２２により裏面側に第１のラミネートフィルムが付与され自己支持性を有する長尺の支持体１２を送り出し、支持体１２を搬送しながら、その表面側に有機膜を形成し、有機膜の表面に第２のラミネートフィルム８２を付与し、支持体１２をフィルムロール４２にして巻き取る。 フィルムロール４２を真空成膜装置２４内に装填し、フィルムロール４２から連続的に第１のラミネートフィルムと第２のラミネートフィルム８２が付与された支持体１２を送り出す。支持体１２を搬送しながら、第２のラミネートフィルム８２を剥離し、支持体１２の有機膜上に無機膜を形成し、支持体１２をフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】ＶＩｂ族元素（Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ）を含有する雰囲気を使用せずに、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ属金属とＶＩｂ族元素とを加熱処理のみにより十分に化合させて、カルコパイライト膜を安全性の高い手段により得る。
【解決手段】基板２に形成した下部電極３上に、Ｉｂ―ＩＩＩｂ―ＶＩｂ族化合物からなるカルコパイライト膜１０を、下部電極３上にあらかじめＩｂ族金属およびＩＩＩｂ族金属を含むプリカーサ膜７を形成し、プリカーサ膜７上にＶＩｂ族元素９を堆積させ、ＶＩｂ族元素９が堆積したプリカーサ膜７上に蓋体８を載置して、Ｉｂ族金属、ＩＩＩｂ族金属、およびＶＩｂ族元素を、下部電極３と蓋体８との間に挟み込んだ状態で、不活性雰囲気中で加熱処理をおこない、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ族金属とＶＩｂ族元素とを化合させる。 （もっと読む）

【課題】均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のモリブデンを必須成分として含有し、モリブデン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。上記に、０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のニオブをさらに含有し、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする記載のタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】連続鋳造機のガイドロール用軸受等のように、高荷重、低速回転であって、冷却水が内部に混入し易い環境で使用した場合でも、軌道面や転動面に摩耗や剥離が生じにくい自動調心ころ軸受を提供する。
【解決手段】自動調心ころ軸受のころ３の転動面に、ヤング率が１５０ＧＰａ以上２２０ＧＰａ以下であるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜を形成する。このＤＬＣ膜の表面に存在する、直径が１０μｍ以上で深さが１μｍ以上の凹状欠陥を、面積率で０．１％以下にする。 （もっと読む）

【課題】微細で均質な組織を有し、加工性が良好で、特に、重切削での加工を可能にした純銅板を得る。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅のインゴットを、５５０℃〜８００℃に加熱して、総圧延率が８０％以上で圧延終了時温度が５００〜７００℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了時温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷し、その後、２５〜６０％の圧延率で冷間圧延して焼鈍する。 （もっと読む）

【課題】構成層の剥離や透明導電膜の劣化を防止することにより、長期にわたり優れた性能を発揮することが期待できる透明導電膜付ガスバリアフィルムを提供。
【解決手段】環状ポリオレフィン系材料からなる基材１０の両主面に対し、それぞれガスバリア層２０Ａ、２０Ｂ、保護層３０Ａ、３０Ｂを順次積層してフィルム積層体２を構成する。保護層３０Ａ、３０Ｂはシロキサン系熱硬化性樹脂で構成する。ＡＰＣ層４０の両面にＩＴＯ膜５０Ａ、５０Ｂを積層して透明導電膜積層体３を構成する。このフィルム積層体２と透明導電膜積層体３とを積層して、透明導電膜付ガスバリアフィルム１を構成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適したプリント配線板用両面処理銅箔を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材における一方の表面の少なくとも一部を被覆する第１の被覆層と、他方の表面の少なくとも一部を被覆する第２の被覆層とを備える。第１の被覆層にはＣｒが１８〜１８０μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、第１の被覆層のＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属クロムの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物クロムの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全クロムの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が２０％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦１．０を満たす。第２の被覆層は、白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される１種以上を含む。 （もっと読む）

【課題】微細な結晶組織を有すると共に、適度な硬さを有し、また高い特殊粒界長さ比率を付与する純銅板の製造方法、及びその製造方法により製造されたスパッタリング用ターゲットやめっき用アノード等の純銅板を提供する。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅インゴットを５５０〜８００℃に加熱して、圧延率が８０％以上で圧延終了温度が５００〜７００℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷し、その後、５〜２４％の圧延率で冷間圧延して焼鈍する。 （もっと読む）

【課題】熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要な純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細な組織を有すると共に部分再結晶化によって双晶組織を形成させる事により、高い特殊粒界比率を付与した、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材やめっき用アノード等に適した純銅板を提供する。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅のインゴットを、５５０℃〜８００℃に加熱して、総圧延率が８５％以上で圧延終了時温度が５００〜７００℃であり、かつ、1パス当たりの圧下率が５〜２４％の仕上げ圧延を1パス以上有する熱間圧延加工を施した後に、必要に応じて圧延終了時温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示デバイス又は太陽電池の電極部材として９３％以上の可視光反射率を有し、さらに耐久性を向上させることが可能な反射体を提供することを課題とする。
【解決手段】基材上に形成される反射体であり、該反射体は、基材側から見て基材に近い側から、金属酸化物層、Ａｇに対して小さい原子半径を有する元素がドープされたＡｇからなる反射層、を有するものであり、該反射体のＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により、Ａｇに由来する回折ピークから算出される結晶子サイズが２〜２３ｎｍであることを特徴とする反謝体。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、かつ接合リーク電流の少ないＣｏシリサイド層を形成することのできるサリサイドプロセスを提供する。
【解決手段】Ｃｏ純度が９９．９９％以上で、ＦｅおよびＮｉの含有量が１０ｐｐｍ以下、より好ましくはＣｏ純度が９９．９９９％の高純度Ｃｏターゲットを用いたスパッタリング法によってウエハの主面上に堆積したＣｏ膜をシリサイド化することにより、ＭＯＳＦＥＴのゲート電極（８ｎ、８ｐ）、ソース、ドレイン（ｐ^＋型半導体領域１３、ｎ^＋型半導体領域１４）の表面に低抵抗で接合リーク電流の少ないＣｏＳｉ_２層（１６ｂ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】シールドに形成された付着膜の剥がれを防止すること。
【解決手段】発明者らの検討によれば、曲率半径を一定以上にすることは、付着膜の剥がれを抑える場合、本質的なことではないことがわかった。発明者らの検討によれば、付着膜の剥がれは、シールドの曲率が変化する領域で発生し、シールドの曲率の変化が小さい場合に、付着膜の剥がれが発生しにくくなることが分かった。従って、問題なのはシールドの曲率の変化であり、曲率を段階的に変えることで曲率の変化を抑えることができるため、シールドを大型化することによって生じうる、膜厚分布悪化などの不利益を受けることなく、付着膜の剥がれを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンで形成された記録層を有し記録密度が高く磁気信号の記録の信頼性が高い磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４を構成する記録層１６と、を有し、記録層１６の材料はＣｏ、Ｃｒ及びＰｔを含む磁性粒子と、Ｃｒを含み磁性粒子の間に存在する非磁性材料と、を含む材料であり、記録要素１４を構成するＣｏ、Ｃｒ及びＰｔの原子数の合計値に対する記録要素１４を構成するＣｒの原子数の比率が記録要素１４の側壁部１４Ａにおいて記録要素１４の中央部１４Ｂにおけるよりも低くなるように記録要素１４中にＣｒが偏って分布している。 （もっと読む）