【課題】凹面レンズに膜厚ムラの無い反射防止膜を成膜する。
【解決手段】ターゲット１０に平行に設置された膜厚調整用のマスク２を介して、スパッタ法によって凹面レンズ１に反射防止膜を成膜する。マスク２は、凹面レンズ１のレンズ口径Ｄより小さい開口径Ａを有する円形の開口部２ａを備える。マスク２の開口部２ａを、凹面レンズ１の端縁における接平面の内側に配置して、凹面レンズ１を自転させながら成膜することで、曲率半径Ｒの小さい凹面レンズ１に対する膜厚の均一化を図る。 （もっと読む）

【課題】Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット用の高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属を提供する。
【解決手段】Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法並びにこれによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜。 （もっと読む）

半導体デバイスを生産する方法が提供され、この半導体デバイス（５０）は、基板（３０）と、半導体層（３６、３８）と、基板および半導体層から選択された少なくとも１つの要素に隣接する少なくとも１つのメタライゼーション層（５２、７０）とを含み、この方法は、基板および半導体層から選択された少なくとも１つの要素の近くに酸素を含む少なくとも１つのメタライゼーション層を形成するステップを含む。
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【課題】導電性を有する酸化物膜を基材表面上に成膜することにより耐酸化性、耐欠損性、耐摩耗性の全てに優れ、また、物理蒸着法により成膜可能であり、さらに美しい外観色を呈することにより商品価値の高い表面被覆切削工具の製造方法を提供する。
【解決手段】基材上にコーティング層を備える表面被覆切削工具の製造方法であって、前記コーティング層は、前記基材側から内層および外層をこの順で備え、該内層は、周期律表４ａ族に属する金属、５ａ族に属する金属、６ａ族に属する金属、ＡｌおよびＳｉからなる群より選択される１種以上の元素と、炭素、窒素および酸素からなる群より選択される１種以上の元素との化合物から構成され、前記外層は、導電性を有する酸化物膜から構成される表面被覆切削工具の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】極低濃度の金属触媒を均一に蒸着するスパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】
本発明は、スパッタリング装置に関する。
本発明は、工程チャンバと、上記工程チャンバの内側に位置する金属ターゲットと、上記金属ターゲットに対向するように位置する基板ホルダと、上記工程チャンバの排気配管に接続される真空ポンプとを含み、上記金属ターゲットの面積は上記基板ホルダに載置される基板面積の１．３倍以上であることを特徴とするスパッタリング装置に関する。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、単結晶シリコン基板１３と、単結晶シリコン基板１３の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１１と、ＭｇＯ膜１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２とからなる。 （もっと読む）

【課題】 ＡｒＦ露光光を用いた光透過型リソグラフィにおいて、表面反射率および裏面反射率が低減された、さらなる微細化に対応可能なマスクブランクを提供する。
【解決手段】 合成石英からなる基板１１上に、スパッタリングターゲットにＴａを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ）の混合ガス雰囲気で、ＤＣマグネトロンスパッタにより、ＴａＮ（膜組成比 Ｔａ：８４．０原子％，Ｎ：１６．０原子％）からなる遮光層１２を４３ｎｍの膜厚で成膜する。次に、遮光層１２が成膜された基板１１を枚葉式ＲＦスパッタ装置内に設置し、遮光層１２の上に、ＴａＳｉＯ混合焼結ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気で、ＲＦマグネトロンスパッタにより、ＴａＳｉＯ（膜組成比 Ｔａ：２７．４原子％，Ｓｉ：５．９原子％，Ｏ：６６．７原子％）からなる表面反射防止層１３を１２ｎｍの膜厚で成膜する。 （もっと読む）

【課題】Ａｕを含む表面層をＴｉ基材上に強固かつ均一に形成させることができ、燃料電池用セパレータに要求される耐食性、導電性及び耐久性も確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】Ｔｉ基材２の表面に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも１種類以上の金属からなる第１成分とＡｕとを含む表面層６が形成され、表面層における第１成分の含有量が、第１成分の比重（g/cm³）×０．００１〜第１成分の比重（g/cm³）×０．０１（μｇ／ｍｍ^２）であり、かつＡｕの含有量が０．０７０（μｇ／ｍｍ^２）以上であり、表面層のどの深さにおいても、金属状態の第１成分の含有量が２５質量％以下である燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング時の異常放電の防止、あるいはターゲットの製造中やスパッタリング中の割れや欠けを防止できる緻密で高強度のＮａを含有するＭｏ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 平均粒径１５μｍ以下のＮａＦ粉末と平均粒径２０μｍ以上のＭｏ粉末との焼結体からなり、ＮａＦを０．１〜８質量％含有し、相対密度９０％以上かつ抗折力が１５０N／ｍｍ²以上であるＭｏ系スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】高い強度、靱性に加えて、優れた導電性と耐食性を有する燃料電池セパレータの製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材（チタン基材）１の表面の少なくとも一部に黒鉛粉２を塗布する黒鉛粉塗布工程と、黒鉛粉２を塗布した金属基材１に冷間圧延を施す冷間圧延工程と、を含み、前記冷間圧延工程において、トータル圧下率を、３５％以上とし、かつ、累計圧下率が３５％未満の加工段階において、中間焼鈍を実施しないことを特徴とする。また、前記冷間圧延工程において、黒鉛粉２と、圧延ロールとの間に、シート材３を設置することを特徴とする。さらに、前記冷間圧延工程の後に、３００〜８００℃の温度で熱処理を施す熱処理工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】雨滴の吸引により、電極金属が腐食・劣化することで電極金属表面の疎水性が大きくなり電極金属が雨滴をはじくことで、２電極間に雨滴が入り込みにくくなり少量の降雨ではセンサが反応しにくくなることを防ぐことができる電極用金属化フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも片面に金属薄膜が積層された金属化フィルムであって、前記金属薄膜表面に親水層が分散して被覆されてなり、任意に選択した１辺１０mm×１０mm□における前記金属薄膜表面に対する親水層の被覆率が０．１％〜１０％であり、かつ、前記親水層が、円相当直径が３．５６mm以下で分散して被覆されてなる電極用金属化フィルム。 （もっと読む）

【課題】高純度高密度のターゲットでも発生するアーキングの原因は、スパッタ中に発生する結晶粒間の段差によるものであった。隣接結晶粒との段差を小さくしてアーキングを抑える。
【解決手段】スパッタリングターゲットのスパッタ面における結晶粒界にて隣接する２つの結晶の内、一方の結晶の前記スパッタ面の法線方向の結晶方位を＜h₀ k₀ l₀＞とし、他方の結晶の前記スパッタ面の法線方向の結晶方位を＜h₁ k₁ l₁＞とした場合において、少なくとも前記スパッタリングターゲットのエロージョンが発生しうる領域の結晶粒界の８割以上が、＜h₀ k₀ l₀＞と＜h₁ k₁ l₁＞の成す角度が３０度以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】密着性の向上および厚膜化が可能であり、耐摩耗性に優れる硬質膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】中間層３と表面層４とからなる硬質膜１の成膜方法であって、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、中間層３および表面層４は、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、炭素供給源として黒鉛ターゲットと炭化水素系ガスとを併用し、アルゴンガスの導入量１００に対する炭化水素系ガスの導入量の割合が１〜５、装置内真空度が０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧が７０〜１５０Ｖの条件下で、炭素供給源から生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させてＤＬＣを主体とする表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と靭性とを両立させたとともに、基材との密着性にも優れた被膜を備えた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備え、該被膜は、第１被膜層を含み、該第１被膜層は、微細組織領域と粗大組織領域とを含み、該微細組織領域は、それを構成する化合物の平均結晶粒径が１０〜２００ｎｍであり、かつ該第１被膜層の表面側から該第１被膜層の全体の厚みに対して５０％以上の厚みとなる範囲を占めて存在し、かつ−４ＧＰａ以上−２ＧＰａ以下の範囲の応力である平均圧縮応力を有し、該第１被膜層は、その厚み方向に応力分布を有しており、その応力分布において２つ以上の極大値または極小値を持ち、それらの極大値または極小値は厚み方向表面側に位置するものほど高い圧縮応力を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ｍｎを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±２７％以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはＭｎを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±７５％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ｍｎを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】密着性および耐摩耗性の両面に優れ、かつ、表面平滑性の高いＤＬＣ膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】基材２の表面に形成された中間層３と表面層４とからなり、表面層４の最表面に有する高さ０．１μｍ以上の突起が測定長さ２０ｍｍの計測で１ｍｍ当り１．５個未満である硬質膜１の成膜方法であって、該成膜方法は、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、両工程において、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、上記装置内の真空度：０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧：７０〜２５０Ｖである条件下で、ターゲットから生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させて表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ側にバイアス用の高周波電力を安定的に投入することによりプラズマ処理の再現性を高く維持することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する被処理体Ｗを載置し、隙間９４を隔ててグランド側に接続された保護カバー部材９２により囲まれた載置台構造において、被処理体を載置する電極としての載置台本体４８と、載置台本体の下方に配置されて絶縁状態で設けられたベース台５０と、ベース台を支持してグランド側に接続された支柱４６と、載置台本体に接続されてバイアス用の高周波電力を供給する高周波給電ライン７０と、高周波電力が印加されるホット側とグランド側との間に形成された電力安定用コンデンサ部１２０とを備え、電力安定用コンデンサ部の静電容量は、載置台本体と保護カバー部材との間で形成される浮遊容量の静電容量よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜等の金属膜の成膜を行う際、ターゲットに生じるノジュールや屑の堆積等の問題を改善した熱線遮蔽積層膜を提供すること。
【解決手段】基体上に蒸着プロセスを経て形成される熱線遮蔽積層膜であり、該熱線遮蔽積層膜は、基体上に、少なくとも透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、が順次積層されて成り、上記透明酸化物膜層はＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜（ｘ、ｙ、ｚは正の有理数）を有し、該Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜は該膜に含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％であり、上記貴金属膜層はＡｇ膜もしくはＡｇを主成分とする膜から成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は結晶性に優れたＴｉＮ系セラミック膜を提供することを課題とする。
【解決手段】蒸着プロセスを経て形成されるセラミック積層膜であり、該セラミック積層膜は基材上に、下地膜、窒化チタン膜、が順次積層されてなるものであり、上記下地膜は酸化亜鉛を主成分とする膜であり、上記下地膜の膜厚は１〜１５０ｎｍ、上記窒化チタン膜の膜厚は１〜５００００ｎｍであることを特徴とし、また、上記窒化チタン膜はＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定において、４２°付近に窒化チタンの（２００）面に帰属される回折線が検出されること。 （もっと読む）

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）