本発明は、耐火金属、抵抗性酸化物及び揮発性酸化物から選択される少なくとも１つの化合物を含むターゲットを、溶射、特にはプラズマ溶射によって製造するための方法に関する。当該方法は、粉末組成物の形態の前記化合物の少なくとも一部が、制御された雰囲気中で溶射によって前記ターゲットの表面の少なくとも一部に噴射され、及びその構築の際に前記ターゲットに向けられる強力な極低温の冷却ジェットが使用されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】面圧が２．０ＧＰａ以上と高面圧下で使用される部材（特には、摺動部材）の表面に形成した場合であっても、優れた耐久性を発揮する積層皮膜を提供する。
【解決手段】金属元素の炭化物、ほう化物、および炭ほう化物よりなる群から選択される１以上の化合物からなり、ナノインデンテーション法で測定される硬度（以下、「ナノインデンテーション硬度」という）が２０ＧＰａ以上３５ＧＰａ以下で、かつ膜厚が５μｍ以上１０μｍ以下である中間層２と、前記中間層上に形成され、ナノインデンテーション硬度が２５ＧＰａ以上３５ＧＰａ以下で、かつ膜厚が０．３μｍ以上１．０μｍ以下であるダイヤモンドライクカーボン膜３とを備えていることを特徴とする積層皮膜。 （もっと読む）

【課題】
大掛かりな装置を必要とせず、高速かつ低コストで実施できる管体内面への透明導電膜成膜方法を提供する。
【解決手段】 管体内面への透明導電膜成膜方法は、非酸化金属からなる蒸着物質を管体とほぼ同じ長さにして管体内に挿通する工程と、蒸着物質が挿通された管体を真空チャンバ内に配置する工程と、真空蒸着法あるいはスパッタ法によって管体内面に蒸着物質からなる金属膜を形成する工程と、金属膜を酸化することで透明導電膜とする工程と含んでいる。 （もっと読む）

【課題】該非晶質炭素被膜の初期摩擦係数の低減を含む初期馴染み性を向上させることができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、水素を含有した非晶質炭素被膜を成膜する工程と、前記非晶質炭素被膜の表面に紫外線を照射する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 従来の蒸着用マスクに比較して蒸着パターンの精細化をより推進することができる蒸着用マスクを提供すること。
【解決手段】 本発明の蒸着用マスクは、金属箔からなる第１の層と、この金属箔とエッチング特性が異なる成分の金属箔からなる膜厚０．０１μｍ〜１μｍの第２の層との積層構造を有し、第２の層に蒸着用のマスクパターンとなる所定寸法の開口部が形成され、第２の層に形成された開口部に対応する第１の層の部分が、第２の層に形成された開口部よりも表面に向かって幅広に穿孔されて貫通孔が設けられている、第１の層の表面が蒸着源に面するようにして用いる、蒸着材料を所定のパターンで被蒸着基板の表面に蒸着させるための蒸着用マスクである。 （もっと読む）

【課題】溶着性の高い被削材の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）下部層として、平均層厚２〜１０μｍのＡｌとＴｉとＳｉの複合窒化物層、（ｂ）上部層として、１〜３μｍの平均層厚を有し、上部層全体における平均組成を、組成式：（Ａｌ_１−ＸＳｉ_Ｘ）_２Ｏ_３で表した場合、０．０１≦Ｘ≦０．３（但し、Ｘ値は原子比）を満足し、かつ、上部層におけるＳｉ含有割合は、下部層側から上部層表面に向かって減少する傾斜組成を有し、しかも、上部層表面におけるＳｉ含有割合を示すＸsurf値が、０≦Ｘsurf≦０．０５（但し、Ｘsurf値は原子比）を満足する組成傾斜型のＡｌとＳｉの複合酸化物層、を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜積層体において、金属酸化物薄膜と金属薄膜、あるいは金属酸化物薄膜と金属酸化物薄膜との界面での経時による剥離が生じることがあり、その剥離を防止するために、内部応力が小さい非晶質の酸化タンタル薄膜を提供する。
【解決手段】スパッタリング法により透明基板上に形成される非晶質酸化タンタル薄膜であり、該酸化タンタル薄膜の理論密度をρ_０、実測密度をρとしたとき（ρ／ρ_０）×１００で表わされる値が７５〜９５体積％とする。 （もっと読む）

【課題】硬質炭素被膜を成膜するための方法としてスパッタリング法を採用した場合でも、低摩擦係数を実現することができる、自動車部品用摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】自動車部品用摺動部材１は、基材２と、基材２の表面にコーティングされた硬質炭素被膜３とを有する。基材２の表面粗さはＲｙ（最大高さ）で０．１μｍ以下であり、硬質炭素被膜３はスパッタリング法により成膜されている。 （もっと読む）

【課題】密着性が充分な非晶質炭素被膜を被覆した非常に高い面圧下で使用される機械部品や、切削工具、金型を提供する。
【解決手段】非晶質炭素被覆部材の構造を、基材１上に周期律表第ＩＶａ 、Ｖａ、ＶＩａ 、ＩＩＩｂおよびＣ以外のＩＶｂ 族元素のなかから選ばれた少なくとも１つの元素、またはこれらのなかから選ばれた少なくとも１つの元素の炭化物からなる中間層２が形成され、この中間層２上に非晶質炭素膜３が形成された構造とし、中間層２の厚さを０．５ｎｍ 以上１０ｎｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、ターゲットのスパッタ物質を基板に付着させる成膜プロセス領域と、成膜プロセス領域とは分離して配置され基板に反応性ガスを接触させてスパッタ物質の組成を変換させる反応プロセス領域と、成膜プロセス領域と反応プロセス領域の間で基板を繰り返し移動させる基板保持移動手段とを有する。成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂを含む。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。 （もっと読む）

【課題】効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウムとガス成分を除き純度４Ｎ以上であって、酸素含有量が４０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜、ジルコニウムとガス成分を除き純度４Ｎ以上であって、硫黄、リンの含有量がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜。ジルコニウムを低減させたハフニウムスポンジを原料として使用し、さらにハフニウム中に含まれる酸素、硫黄、リンの含有量を低減させた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】常温常圧にて水素を吸収・貯蔵し、１５０℃以下の比較的低温で水素を放出する水素貯蔵複合材料を提供する。
【解決手段】水素貯蔵複合材料１は、水素を貯蔵する金属酸化物によって構成された水素貯蔵層２と、水素貯蔵層２上に積層された、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層と、を含む。水素貯蔵層２の水素吸収層が積層された一方の面と反対側の他方の面にも、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層を設けることが好ましい。具体的には、Ｌｉ_２ＺｒＯ_３層がＰｔ層で挟まれたＰｔ／Ｌｉ_２ＺｒＯ_３／Ｐｔの構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の基材への密着性をより効果的に高めることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】第１シャフト２の雄スプライン部４の表面（第１シャフト２の基材２Ａの表面）は、被膜１４によって被覆されている。被膜１４は、第１シャフト２の基材２Ａの表面を被覆するＤＬＣ膜１５と、基材２ＡとＤＬＣ膜１５との間に介在する中間層１６とを備えている。中間層１６は、基材２Ａ側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。ＤＬＣ膜１５には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている。 （もっと読む）

【課題】分解や組み立てをより容易に行うことができるプラズマ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】導波路の少なくとも一部を、同軸ケーブル１２およびこの同軸ケーブル１２の両端に設けられた同軸導波管変換器１１，１３とする。これにより、導波路に用いる導波管を少なくすることができるので、組み立てたり分解したりする際に、従来のように多数のボルトとナットの取り付けや取り外しが不要となり、結果として、より容易に組み立てや分解を行うことができる。また、同軸ケーブル１２がフレキシブルなので、従来のような歪みの問題を解消することができ、より容易に組み立てを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】クレータ摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具はＡ層とＢ層とを含む被膜を備え、Ａ層は、化学式Ti_1-a(M1)_aN_b（M1はCr、Hf、Ta、NbまたはSiの少なくとも１種の元素、0＜a≦0.3、0.9＜b≦1.1）で示される組成を有するa1層と、化学式Ti_1-c(M2)_cN_d（M2はCr、Hf、Ta、NbまたはSiの少なくとも１種の元素、M1とM2とは少なくとも１種が相異なり、0＜c≦0.3、0.9＜d≦1.1）、または化学式Ti_1-eAl_eN_f（0.4＜e≦0.8、0.9＜f≦1.1）で示される組成を有するa2層とを含み、Ｂ層は、化学式Ti_1-α(M3)_αC_βN_γ（M3はCr、Hf、Ta、NbまたはSiの少なくとも１種の元素、0≦α≦0.3、0.9＜β＋γ≦1.1、0.1＜β≦1.1）で示される組成を有するb1層を含み、Ａ層におけるa1層とa2層とは交互に積層され、Ｂ層がＡ層よりも基材の表面層側に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの特性を安定させるための動作、いわゆるバーンイン（burn-in）に要する時間を短縮するターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】スパッタリング用のターゲット１製造後、酸化物、不純物、汚染物質を除去する表面処理を実施し、その後、カバー（金属被覆体）５により、後で用いられるプラスチックバッグ２３等のパッケージ材料に直接接触しないように封止される。その際、不活性化バリヤ層によって被覆されてもよい。 （もっと読む）

【課題】高度な耐摩耗性を付与することができ、かつ熱亀裂による影響を低減する被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材上の少なくとも一部に形成された被膜が、Ａ層とＢ層とを含み、Ａ層は、化学式Ｔｉ_1-X（Ｍ１）_XＮ_Y（Ｍ１はＡｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、ＶおよびＳｉからなる群より選択されるいずれか１の元素であり、ＸおよびＹは原子比であり、０≦Ｘ≦０．８、０．９＜Ｙ≦１．１）で表わされる化合物により構成されるａ１層を含み、Ｂ層は、化学式Ｔｉ_1-p（Ｍ３）_pＣ_rＮ_s（Ｍ３はＡｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、ＶおよびＳｉからなる群より選択されるいずれか１の元素であり、ｐ、ｒおよびｓは原子比であり、０≦ｐ≦０．３、０．９＜ｒ+ｓ≦１．１、０．１＜ｒ≦１．１）で表わされる化合物により構成されるｂ１層を含み、Ａ層とＢ層との積層数の合計は３層以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プリスパッタリング処理に適したダミー基板の提供
【解決手段】このプリスパッタリング処理用のダミー基板１０は、金属製の基板で形成されている。そして、基板１０の表面に凹部１４又は凸部１２が形成されている。かかるダミー基板１０によれば、金属製の基板で形成されているので、プリスパッタリング処理で形成される薄膜８０の膜応力が作用した場合でも、ガラス製の基板に比べて割れにくい。また、基板１０の表面に凹部１４又は凸部１２が形成されているので、表面に堆積した薄膜８０が剥がれにくい。 （もっと読む）

【課題】ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウム含有量が１〜１０００ｗｔｐｐｍ、酸素５００ｗｔｐｐｍ以下、窒素及び炭素がそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下、鉄、クロム、ニッケルがそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であり、かつ純度が炭素、酸素、窒素等のガス成分を除き４Ｎ〜６Ｎであることを特徴とする高純度ハフニウム。 （もっと読む）

【課題】例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。
（加熱条件）
加熱温度：３５０〜６００℃
加熱時間：１０〜１２０ｍｉｎ.
室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上
加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０^−７〜１×１０^−４ａｔｍ （もっと読む）