【課題】優れたガスバリア性を発現できると共に、優れた光の透過率を発現でき、膜の割れ等が発生することを防止できる機能性フィルム、および、この機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】有機層のうち、基板上に直接形成される第１の有機層の厚さが他の有機層以上の厚さであり、最上層の有機層の厚さが他の有機層以下の厚さであり、かつ、全ての有機層が全ての無機層よりも厚いことで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを維持することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ターゲット表面の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下であり、圧延方向に平行な断面から観察した結晶粒について、圧延方向に平行方向の平均粒径に対する圧延方向に直角方向の平均粒径の比が０．１以上０．７未満であり、且つ、孔径５０μｍ以上の空隙が１個／ｃｍ³以下であるインジウムターゲットを提供する。当該インジウムターゲットはインジウム原料を溶解鋳造後に冷間圧延することにより製造可能である。 （もっと読む）

【課題】
スパッタリング法で薄膜を形成する際に、ターゲットを指示するバッキングプレート上の付着物によるダストの発生を簡便に低減できる方法を提供する。
【解決手段】
ターゲット部材とバッキングプレートから成るスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットのバッキングプレート表面にメッキ法によって銅薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を良好に抑制することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウムターゲットは、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ液晶パネル等に使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線膜を製膜する際に、従来以上に均一に粒子を発生し、かつ、使用中においてもその粒子の発生頻度の変化が起こりにくいスパッタリングターゲット用銅材料を提供する。
【解決手段】純度が９９．９９％以上である高純度銅からなり、スパッタリング面において、隣接する結晶の方位差が１５°以上である結晶粒界の平均長さＬｇに対し、隣接する結晶の方位差が６０°である双晶境界の平均長さＬｔの比Ｌｔ／Ｌｇが、０．６≧Ｌｔ／Ｌｇ≧０．２を満たす。さらに、スパッタリング面における平均結晶粒径が、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内で被接合物どうしを接合する技術を提供する。
【解決手段】表面活性化された接合表面を有する被接合物どうしを接合するときに、真空チャンバー内において、少なくとも一方の被接合物に金属をスパッタして金属膜を形成することにより、金属膜により当該被接合物の表面活性化された接合表面を形成して、被接合物どうしを接合する。 （もっと読む）

【課題】性能低下が抑制される干渉フィルターを提供すること。
【解決手段】干渉フィルター５は、ギャップＧを介して対向する２つの反射膜５６，５７と、反射膜５６，５７を支持する基板５１，５２と、を備え、反射膜５６，５７は、純銀膜５６１，５７１と銀合金膜５６２，５７２とを含み、基板５１，５２には、基板５１，５２側から順に純銀膜５６１，５７１、及び銀合金膜５６２，５７２が設けられ、銀合金膜５６２，５７２は、銀（Ａｇ）、サマリウム（Ｓｍ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｓｍ−Ｃｕ合金膜、又は銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、及びネオジム（Ｎｄ）を含有するＡｇ−Ｂｉ−Ｎｄ合金膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜の上に、ＳｒＲｕＯ_３膜を形成し、その上に酸化イリジウム等の電極を従来の方法で形成した強誘電体キャパシタでは、目標とする大きさのＱｓｗを得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、下部電極膜を形成する。下部電極膜の上に、強誘電体膜を形成する。強誘電体膜の上に、ペロブスカイト構造を持つ導電性酸化物からなるアモルファスの中間膜を形成する。中間膜の上に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第１の上部電極膜を形成する。第１の上部電極膜を形成した後、酸化性ガスを含む中で第１の熱処理を行うことにより、中間膜を結晶化させる。第１の熱処理の後、第１の上部電極膜の上に、第１の上部電極膜を形成するときの成長温度よりも低温で、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第２の上部電極膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの効率を向上させる。
【解決手段】一面が基板に対向するスパッタリングターゲットと、前記スパッタリングターゲットの他面に対向するように配置された磁石部材と、前記スパッタリングターゲットの中心部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットの前記他面に平行な第１方向に沿って形成された直線部を備え、前記スパッタリングターゲットのエッジ部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットに対して、前記第１方向と垂直な第２方向に遠くなるように形成された傾斜部を備えるガイドレールと、前記ガイドレールに対向し、前記第１方向に沿って形成されたスクリューラインと、前記磁石部材と弾性部材により連結されて、前記スクリューラインに沿って前記磁石部材を前記第１方向に運動させる連結ブロックと、を備える、スパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】 効率的に且つ十分に非記録部の磁性が失活した磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に磁気記録層を含む磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、記録部と非記録部とから成るパターンを有し、前記非記録部は、前記記録部が非磁性化した構造を有し、前記非記録部は、バナジウムおよびジルコニウムから成る群から選択される少なくとも１つの金属元素と、窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素とを含み、前記非記録部に含まれる窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素の含有量は、前記記録部に含まれる元素の含有量よりも多い磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性及び耐食性を有する導電部材、その製造方法、並びにこれを用いた燃料電池用セパレータ及び固体高分子形燃料電池を提供する。
【解決手段】金属基材と、該金属基材上に形成された中間層と、該中間層上に形成された導電層と、を有する導電部材であって、該中間層が、該金属基材の構成成分と該導電層の構成成分と該中間層における結晶化を抑制する結晶化抑制成分とを含む。
金属基材の酸化皮膜を除去する工程（１）と、該工程（１）の後に実施され、該金属基材上に中間層を形成する工程（２）と、該工程（２）の後に実施され、該中間層上に導電層を形成する工程（３）と、を含む導電部材の製造方法であって、該工程（２）において、該金属基材の構成成分と該導電層の構成成分と当該中間層における結晶化を抑制する結晶化抑制成分とを含む中間層を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性と高い強度を確保して振動子の振動特性を調整する。
【解決手段】本発明に係る振動型ジャイロセンサは、一方の面に圧電膜、駆動電極、一対の検出電極、及び配線接続端子が形成された振動型ジャイロセンサ素子と、この振動型ジャイロセンサ素子が実装されるランドが形成された支持基板とを備える。前記振動型ジャイロセンサ素子は片持ち梁状の振動子部を有し、前記一方の面側を前記支持基板側に向けて実装されているとともに、前記一方の面以外の領域を、前記振動子部の振動特性調整用の凹部が形成された被加工領域としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属プレートの２つの表面のうちの一方のみを平坦化することによる、金属ブランク、ディスク及びスパッタリングターゲットの製造における改善。
【解決手段】金属プレートの第二表面の平坦化をなくすことにより、顕著なコスト削減がなされる。本発明の金属プレートは、好ましくは片面平坦度が０．００５インチ以下であり、ターゲットブランクとバッキングプレートとの間の接合の信頼性が改善される。好ましい金属には、タンタル、ニオブ、チタン及びそれらの合金などがあるが、これらには限定されない。また、本発明は、金属プレートの第一面を機械加工し、第一面をバッキングプレートに接合した後、必要に応じて金属プレートの第二面を機械加工することに関する。 （もっと読む）

【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ｎｉ：０．０５〜１．０原子％、Ｇｅ：０．３〜１．２原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．６原子％を含有するＡｌ合金膜とＴｉ膜とからなる積層膜あって、該Ｔｉ膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Ａｌ合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】光電変換層がセレンを含有するものである場合、そのセレンの使用量を低減するとともに、成膜チャンバ内におけるセレンの付着を抑制した成膜装置、およびこの成膜装置により成膜された光電変換層を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ１１内に基材を搬送する搬送手段と、成膜チャンバ内を所定の真空度にする真空排気手段４０と、搬送される基材に光電変換層を形成する真空成膜手段と、成膜チャンバ内に設けられた成膜室１４，１６，１８とを有する。成膜室は温度１８０℃以上に温度調節された加熱壁３６と温度８０℃以下に温度調節された冷却壁３８とにより構成され、この成膜室に真空成膜手段が設けられている。成膜室に基材が搬送されて真空成膜手段により基材に光電変換層が形成される。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に極めて優れたＡｇ系薄膜を形成するのに有用なＡｇ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveを下記手順（１）〜（３）によって測定したとき、平均結晶粒径ｄ_aveは１０μｍ以下を満足する。（手順１）スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真（倍率：４０〜２０００倍）を撮影する。（手順２）各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に４本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数ｎを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径ｄを算出する。ｄ＝Ｌ／ｎ／ｍ式中、Ｌは直線の長さ、ｎは直線上の結晶粒界の数、ｍは顕微鏡写真の倍率を示す。（手順３）全選択箇所の結晶粒径ｄの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveとする。 （もっと読む）

【課題】形成した薄膜のひび割れ耐性、可撓性に優れ、低抵抗で高光透過性の積層型透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルムの上に、第１のＩＴＯ膜（Ａ_１）、金属膜（Ｍ）、第２のＩＴＯ膜（Ａ_２）をこの順で積層した積層膜ユニットを有する積層型透明導電性フィルムであって、該透明プラスチックフィルムの厚さが、１００μｍ以上、１５０μｍ以下であり、該第１のＩＴＯ膜（Ａ_１）の膜厚をｈ_Ａ１とし、該第２のＩＴＯ膜（Ａ_２）の膜厚をｈ_Ａ２としたとき、ｈ_Ａ１＞ｈ_Ａ２の関係を満たし、かつ該積層膜ユニットの総膜厚が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする積層型透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】特別な製造装置を用いることなく、スパッタリング法による基材への銅薄膜の成膜方法において成膜速度を向上せる成膜方法を提案する。
【解決手段】スパッタリング法による基材への銅薄膜の成膜方法において、成膜雰囲気が、６０体積％から９５体積％のアルゴンガスと、窒素原子と水素原子の結合を有する分子のガスの混合雰囲気下で行うことを特徴とする。窒素原子と水素原子の結合を有する分子のガスは、アンモニアガスを用いることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】超音波接合性、高温信頼性を向上したＡｌパッドと基板側のリード間を多数箇所同時に接続するボンディングリボンを提供する。
【解決手段】パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）被覆銅芯材からなるボンディングリボンとして、
銅芯材を７０Ｈｖ以下のビッカース硬さをもつ純度９９．９％以上の銅（Ｃｕ）として導電性とループ形成性を付与し、被覆層を純度９９．９％以上のパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）をアルゴンガス（Ａr）等の希ガス雰囲気下で室温の銅芯材テープ上にマグネトロンスパッタすることによって、微細な粒状の結晶組織として、芯材と被覆層とのビッカース硬さを同等にして、アルミパッドの損傷を防止するとともに、接合性を向上する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０，１０’であって、少なくとも、種基材１１、１１’と、該種基材１１、１１’の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、白金膜、ロジウム膜のいずれか１２からなり、前記種基材１１，１１’は、グラファイト１１’か、またはベース基材１１ａ上にグラファイト層１１ｂが形成されたものである単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 （もっと読む）