【課題】ウエハプロセスへの投入から大径の薄化ウエハを用いる場合でも、ウエハ反りおよびウエハ割れの少ない半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に複数の半導体素子を形成する工程の前に、半導体基板１の外周を減厚して外周端部３を形成し、外周端部３に、前記半導体基板より熱膨張係数が大きく、かつ、半導体素子１を形成する工程内の熱処理工程で印加されるもっとも高い温度より融点が高い金属４を、半導体基板１の半導体素子が形成される両主面より突出しない膜厚で被着する半導体素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜／搬送プロセスの間、保管／輸送プロセスの間、組立プロセスの間において、高い品質を有する機能性フィルムを提供する。
【解決手段】
機能性フィルム１０は、支持体１２と、支持体１２の一方面に交互に配置された有機膜１４と無機膜１６とを、それぞれ、少なくとも一層を含む機能層２０と、支持体１２の他方面に配置された第１ラミネートフィルム２１と、機能層２０の最上層に配置された第２ラミネートフィルム２２を有し、第２ラミネートフィルム２２と機能層２０の最上層の間の粘着力は、第１ラミネートフィルム２１と支持体１２の粘着力より小さい。 （もっと読む）

【課題】剥離し難く、かつ積層数に依存することなく、１００Ｎ以上のスクラッチ強度を有し、積層間隔ならびに層比率を変化させることで、ヤング率、硬度などを制御でき、チッピング、部分クラックなどの欠けはほとんど生じない被膜形成方法を提供する。
【解決手段】基材１の表面にダイヤモンドライクカーボン膜３をコーティングするコーティング被膜の形成方法であり、加熱しながらプレスパッタリングを行いターゲット材料の表面及び基材１の表面の汚れを除去する前処理工程Ａと、ターゲット材料を用いて基材１の表面にスパッタリングによりインターレイヤーを成膜して中間層２を形成する層形成工程Ｂと、中間層２の表面にダイヤモンドライクカーボン膜３を成膜するコーティング工程Ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】密着膜を備え、配向の揃った圧電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）Ｓｉ基板１１上方に、酸化シリコンの絶縁膜１２、Ｔｉ層１４、その上にＰｔ層１６を堆積し、（ｂ）Ｔｉ層１４、Ｐｔ層１６を堆積した基板１１をプラズマ気相堆積装置に搬入し、（ｃ）プラズマ気相堆積装置内において、基板１１を不活性ガス雰囲気中で、圧電体膜堆積温度まで加熱し、（ｄ）プラズマ気相堆積装置内において、加熱した基板１１上に、プラズマ気相堆積により、酸化物圧電体膜１８を堆積する。さらに圧電体膜１８上にＰｔ等の上部電極２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダの基板以外の領域の表面に成膜材料が付着するのを防止することができ、基板上に成膜される膜の品質及び生産性を向上させることができるスパッタリング装置を提供する
【解決手段】真空排気可能な真空容器１と、真空容器１の内部に配設され、基板８をその処理面を下方へ臨ませて保持する保持機構３０、３１を備えた基板ホルダ４０と、基板ホルダ４０の直下に基板８に対向させて配置され、放電用電力が供給されるカソード電極１０と、カソード電極１０の基板側に支持されたターゲット１６と、を備え、基板ホルダ４０は、基板以外の領域の表面温度を基板８上に成膜する成膜材料の分解または蒸発温度以上に加熱する加熱機構６０、６１を有する。 （もっと読む）

【課題】 ０．１以下の誘電損失ｔａｎδを実現でき、しかも、優れた圧電特性を有する圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１と、基板１上に設けられる組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_ｙＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜３とを有し、圧電薄膜３の炭素濃度が２×１０^１９／ｃｍ^３以下、あるいは、圧電薄膜３の水素濃度が４×１０^１９／ｃｍ^３以下である圧電薄膜素子である。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を、冷却されるドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、成膜を行なう場合に、基板とドラムとの密着不良を抑制することにより、熱による基板の変形を防止し、高品質な機能性フィルムを効率よく連続成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜手段による成膜領域を規定する開口部６８ａを有するマスク６８と、マスクの開口部における基板Ｚの搬送方向の上流側の位置で、基板とドラム３６との密着状態を検出する密着検出手段と、基板とドラムとの密着状態を制御する密着制御手段とを有し、密着制御手段が密着検出手段による密着状態の検出結果に応じて、基板とドラムとの密着状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理を施すことによってガラス基板の一方の面全域に所定の薄膜を形成するに際し、ガラス基板の他方の面に余剰薄膜が形成されるのを可及的に防止する。
【解決手段】一方の面である表面１ａ全域に、紫外線遮断膜７が形成されたガラス基板１を製造するための方法である。成膜処理、例えばスパッタリングによって紫外線遮断膜７を形成する際、ガラス基板１の裏面１ｂを、該裏面１ｂ全域を覆う支持ガラス基板１７の支持面１８に対して剥離可能に直接接着させる。これにより、成膜処理中にはガラス基板１を安定的に支持することができて高精度の紫外線遮断膜７を形成することができる一方で、成膜処理後にはガラス基板１を支持ガラス基板１７から容易に取り外すことができる。しかも、成膜処理に伴って、ガラス基板１の裏面１ｂに余剰薄膜が形成されることもない。 （もっと読む）

【課題】所望の実効仕事関数（例えば、高い実効仕事関数）を実現し、かつ、ＥＯＴが変化しない、またはＥＯＴの変化を低減した金属窒化膜、金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る金属窒化膜は、ＴｉとＡｌとＮを含有し、該金属窒化膜のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．５３以上であり、かつ、上記金属窒化物層のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．３２以下であり、かつ上記金属窒化物層のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．１５以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スパッタ装置の処理能力を損なうことなく、スパッタに異常がないときは金属薄膜の反射率を面内で均一にすることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置の製造方法は、シリコン基板にスパッタ成長により金属膜を形成する第１スパッタ工程と、該第１スパッタ工程の後に該第１スパッタ工程よりも高いＤＣパワーでさらに金属膜をスパッタ成長させる第２スパッタ工程と、該第１スパッタ工程と該第２スパッタ工程の後に、該第１スパッタ工程および該第２スパッタ工程で形成された金属膜の反射率の均一性を測定する検査工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶剤ダメージによる支持体の品質劣化を防止でき、無機膜成膜中の支持体からの脱ガスの発生を抑制することができ、これにより、高品質の無機膜を成膜することができる機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】裏面側に耐溶剤性を有するラミネートフィルムを貼り付けた自己支持性を有する長尺の支持体１２を送り出し、支持体１２を搬送しながら、その表面側に溶剤を含む塗布液を塗布し、前記塗布液を乾燥、硬化させて有機膜を形成し、支持体１２をフィルムロール４２にして巻き取る。フィルムロール４２を真空成膜装置２４内に装填し、フィルムロール４２から連続的に耐溶剤性を有するラミネートフィルムを貼り付けた支持体１２を送り出す。支持体１２を搬送しながら、支持体１２の有機膜上に無機膜を形成し、支持体１２をフィルムロール４８に巻き取る （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面の状態に応じてバーンインの最適化を図ることができる半導体製造装置、ターゲットの表面処理方法、及びプログラムを提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係るスパッタリング装置１は、半導体ウエハＷが配置されるテーブル３、及びテーブル３に対向する位置に設けられたターゲット４を収容する処理容器２と、処理容器２内に放電ガスを供給するガス供給部１０と、ターゲット４に電力を供給して放電させ、これによりプラズマを生成してイオン化した放電ガスでターゲットをエッチングするパルス電源部１２と、プラズマの生成後の放電電圧を測定する電圧測定部１３Ａと、ターゲット４のエッチングの進行状況に起因する電圧測定部１３Ａによる測定値の変化に基づいて、ターゲット４のエッチングを終了させる制御を行う制御部１４Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜中の１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥が検出されない多層反射膜付基板および反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することにより、多層反射膜付基板を製造する。また、多層反射膜２上に保護膜３及び吸収体膜４を形成することにより、反射型マスクブランク１０を製造する。ここで、基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いで多層反射膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）

【課題】従来の高温・低温・真空・ガス雰囲気中などの様々なマスク使用環境下で、格子状や環状などの所定のパターンの形成を、単独のマスクを用いて１回の成膜で行うことができるパターン形成用マスク、及び該マスクを用いた成膜装置の提供。
【解決手段】成膜装置に用いるパターン形成用マスクであって、膜形成材料側の面をＭＯ面、パターンが形成される基板側の面をＭＵ面として、マスクの開口部の一部に、ＭＵ面に近い側の断面積がＭＯ面に近い側の断面積よりも小さくなっている非開口部分を有し、かつ、ＭＵ面と該非開口部分のＭＵ面に対向する端部との間に空間を有するパターン形成用マスク。 （もっと読む）

【課題】表面プラズモン共鳴センサの検出素子に用いられる薄膜材料において、散乱光が少なくＳＮ比の高い薄膜材料を成膜する技術を提供する。
【解決手段】金薄膜１２の成膜速度を０．０１ｎｍ／ｓ以上、０．６ｎｍ／ｓ以下の範囲に設定し、ヘリコンスパッタ源５２からスパッタ粒子を飛翔させる。ここで、成膜初期においては、成膜速度を第１速度に設定し、金薄膜の膜厚が一定の膜厚以上になると、成膜速度を第１速度の少なくとも倍の第２速度に設定する。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高く、高品質で、搬送中に検査が可能な機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】
裏面側に黒色のラミネートフィルムを貼り付けた自己支持性を有する長尺の支持体１２を送り出し、支持体１２を搬送しながら、その表面側に有機膜を形成し、有機膜の表面を検査した後、支持体１２をフィルムロール４２にして巻き取る。フィルムロール４２を真空成膜装置２４内に装填し、フィルムロール４２から連続的に黒色のラミネートフィルムを貼り付けた支持体１２を送り出す。支持体１２を搬送しながら、支持体１２の有機膜上に無機膜を形成し、支持体１２をフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットとして用いるに好適な、均一かつ微細結晶組織を有する高純度銅加工材を提供する。
【解決手段】Ｃｕ純度９９．９９９９重量％以上の高純度銅からなる鋳塊を、５５０℃以上で熱間鍛造した後急水冷し、次いで、初期温度３５０℃以上で温間鍛造した後急水冷し、次いで、５０％以上の総圧下率で冷間クロス圧延をし、次いで、２００℃以上で歪取焼鈍を行うことにより、平均結晶粒径が２０μm以下であり、かつ、個々の結晶粒についてその粒径分布を測定した場合に、平均結晶粒径の２．５倍を超える粒径の結晶粒が占める面積割合は、全結晶粒面積の１０％未満である均一かつ微細な結晶組織を有する高純度銅加工材。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３に電圧Ｖおよび電流Ｉを印加しチャンバ２内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Ｗの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Ｉを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Ｖを増大させるとともに、関係式（１）および（２）を満たすことを特徴とする。Ｉ＞Ｉ_０・・・（１）、Ｐ＞Ｐ_０・・・（２）（Ｉ_０：自己保持放電を開始する電流の最小値、Ｐ：ターゲットの電力、Ｐ_０：自己保持放電を開始する電力の最小値） （もっと読む）

【課題】無接着剤フレキシブルラミネートのタイコート層又はタイコート層と同等の金属又は合金を金属導体層状に形成する。同時に回路配線のファインピッチ化の妨げとなるサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】少なくとも一方の面がプラズマ処理されたポリイミドフィルムと、その上に形成されたタイコート層と、該タイコート層上に形成された金属導体層を有し、さらに該金属導体層の上に前記タイコート層と同一成分の層を有することを特徴とする無接着剤フレキシブルラミネート。 （もっと読む）