【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。また、この酸化物半導体膜をトランジスタの活性層として適用する。 （もっと読む）

【課題】真空容器のガスを入れ替え等の製造時間の増加によるコストの増加を防止した、ＡｌＮ薄膜と金属薄膜とからなるバッファー薄膜によりＣ軸配向性を高めたＡｌＮ薄膜を短時間で製造する方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２２、ならびに、金属薄膜２３を、Ａｒと窒素との混合ガスを用いることにより、同一スパッタリング装置内で形成し、ガス切り替えに要する時間を省き、ＡｌＮ薄膜と金属薄膜とからなるバッファー薄膜によるＣ軸配向性を高めたＡｌＮ薄膜１０を短時間で製造する。 （もっと読む）

【課題】 長期に亘って安定した分光特性をもちグラデーション濃度分布を有する薄膜型ＮＤフィルタを実現させる。
【解決手段】 基板上に誘電体層と光吸収層を複数層に積層する光減衰膜の形成において、その誘電体層はその原料物質の原子層レベルでの全面付着（ステップＳ１）とその酸化または窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ２）を繰り返して所定の膜厚にする。続いて、その光吸収層はその原料物質のスパッタリングによるマスク開口を通した原子層レベルの付着と（ステップＳ４）とその酸化性／窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ５）を繰り返して所定の膜厚にする。上記誘電体層は緻密性に優れ酸素を通し難い良質の膜となる。また、上記光吸収層は膜厚が傾斜変化し安定した組成の原料物質の酸化物あるいは窒化物を含む膜となる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体集積回路装置の製造プロセスを提供する。
【解決手段】銅ダマシン配線プロセスのバリアメタル膜のタンタル系積層膜に関し、スパッタリング成膜チャンバ内のシールド内面に、比較的薄い窒化タンタル膜およびタンタル膜が交互に成膜されるが、この連続成膜プロセスを断続的に繰り返すと、膜の内部応力により剥がれて、異物やパーティクルの原因となる。この異物やパーティクルの防止のため、繰り返し、成膜するに際して、所定の間隔を置いて、厚い膜厚を有する異物防止用タンタル膜をチャンバの実質的な内壁に成膜する工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することができる絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る絶縁膜の成膜方法においては、反応性ガスとして、窒素と酸素の混合ガスが用いられる。酸素に窒素を混合することで成膜レートが上昇し、窒素の流量比が８０〜８５％のときに成膜レートの最大値が得られる。このときの成膜レートは、窒素の流量比が０％のときの約２倍である。窒素の流量比が９０％を超えると、成膜レートの低下が顕著となる。得られたシリコン酸窒化膜は、スパッタリング法で成膜されたシリコン窒化膜よりも高い絶縁耐圧特性を有する。したがって、上記成膜方法によれば、スパッタリング法によって絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適した、環境負荷が小さいプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、被覆層が、銅箔基材表面から順に積層した、金属の単体又は合金からなる中間層及びＴｉ層で構成され、被覆層には、Ｔｉが１５〜１００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属チタンの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物チタンの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全チタンの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、ニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１５％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦２．５を満たす。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、シリコン基板を良好な寸法精度で加工することのできるシリコン基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるシリコン基板の加工方法は、シリコン基板１０の主面をスパッタリングする表面処理工程と、シリコン基板１０の主面にマスク層２０を形成するマスク層形成工程と、マスク層２０をパターニングしてマスクパターン２２を形成するパターニング工程と、マスクパターン２２の形状に従ってシリコン基板１０をウエットエッチングするエッチング工程と、を含み、マスク層２０は、クロムを含有し、表面処理工程およびマスク層形成工程は、同一のチャンバーＣ内で行われる。 （もっと読む）

【課題】車両用カーテン等の原材料として有利に用いられ得る、電波低反射性に優れた遮熱シートを提供する。
【解決手段】遮熱性と安全性（外部視認性）の観点から、遮光率が５０〜８０％の樹脂製網状シートを用い、被覆層との密着性向上のためにシートの表面処理を行った後、その少なくとも一方の面に、気相堆積法に従い、チタン、ケイ素又は銅のいずれかの膜を３〜４５μｇ／ｃｍ²付着せしめることにより、目的とする電波低反射性に優れた遮熱シートを得た。 （もっと読む）

【課題】装置によって得られる情報を迅速に解析することが可能なプロセス管理システムを提供すること。
【解決手段】真空プロセス装置１の各部の状態を示す状態情報を取得する第１の取得手段（制御監視部２０）と、真空プロセス装置の制御に関する制御情報を取得する第２の取得手段（制御監視部２０）と、第１および第２の取得手段によって取得された状態情報と制御情報を対応付けする対応付手段（タイマ３４）と、対応付手段によって対応付けがされた状態情報および制御情報を格納する格納手段（ログ格納装置２）と、制御情報を参照して、状態情報に対して解析処理を施す解析手段（解析装置４）と、解析手段の解析の結果として得られた情報を呈示する呈示手段（解析装置４）と、を有し、第１の取得手段は、装置がプロセス処理を実行中である場合には第１の周期で状態情報を取得し、プロセス処理を実行中でない場合には第１の周期よりも周期が長い第２の周期で状態情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成後の基板の湾曲が少ない光学物品の薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、基板Ｓを保持する基板ホルダ１３と、基板ホルダを挟んで成膜プロセス領域２０、反応プロセス領域６０のそれぞれ反対側に形成された成膜プロセス領域３０，反応プロセス領域７０と、を備え、基板の反対側の面に同時に薄膜を形成するが、この薄膜の膜厚は、基板の一方の面に形成された薄膜の種類及び膜厚に基づいて決定され、薄膜の内部応力による基板の湾曲を相殺しつつ、基板の両面に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル等に使用される電極フィルム等として使用する際、透明電極のパターニング性（エッチング性）、ペン摺動耐久性、環境安定性に優れた透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルムからなる基材の少なくとも片面に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層を設け、更にその上に第１の非晶質な透明導電性薄膜層、第２の結晶質な透明導電性薄膜層をこの順で積層した透明導電性積層フィルムであって、（ａ）第１の透明導電性薄膜層は、酸化インジウムに対して酸化スズ（ＳｎＯ_２／（ＳｎＯ_２＋Ｉｎ_２Ｏ_３））が７〜２０質量％、膜厚が２〜２０ｎｍ、 （ｂ）第２の透明導電性薄膜層は、酸化インジウムに対して酸化スズ（ＳｎＯ_２／（ＳｎＯ_２＋Ｉｎ_２Ｏ_３））が１〜６質量％、膜厚が５〜２０ｎｍ、 （ｃ）第１と第２の透明導電性薄膜層の膜厚の和が１５〜３０ｎｍ、である透明導電性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないかつ結晶粒サイズを制御した低コストでスパッタリング時のスプラッシュ等の不具合の発生のないアルミニウム製のスパッタリングターゲット材を提供する。また、このようなスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を、既存の設備を使用して大規模サイズの一枚物として製造できるスパッタリングターゲット材用アルミニウム材の製造方法、及びスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を提供する。
【解決手段】Fe、Siをそれぞれ0.001〜0.01質量％、Cuを0.0001〜0.01質量％含有するアルミニウム鋳造インゴットを熱間加工するに際し、熱間加工の中の少なくとも1回の加工を、加工率（R）が温度（T）の関数としてR（％）≧−0.1×T＋80（300℃≦T≦500℃）で示される条件で行うことによりスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 吸収型多層膜ＮＤフィルターシートのプレス加工で発生したヒゲ状欠陥を、光路部分に影響を与えることなく除去して、ヒゲ状欠陥のない吸収型多層膜ＮＤフィルターチップを製造する方法を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルムの少なくとも片面に酸化物誘電体膜層と吸収膜層とを交互に積層させて吸収型多層膜ＮＤフィルターシートを作製し、得られた吸収型多層膜ＮＤフィルターシートをプレス加工して吸収型多層膜ＮＤフィルターチップ２０を得た後、その吸収型多層膜ＮＤフィルターチップ２０の切断面に発生した樹脂フィルムのヒゲ状欠陥２１を火炎処理もしくは赤外線ランプ処理により融解除去する。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有しない強誘電体からなる圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料を提供する。
【解決手段】ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と、第１電極６０と、前記第１電極上に形成された圧電体層７０と、前記圧電体層上に形成された第２電極８０とを備えた圧電素子３００と、を具備し、前記圧電体層は、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、強誘電体である液体噴射ヘッドＩとする。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することを可能にした真空成膜装置用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置用部品１の製造方法は、部品本体２の表面にＷおよびＭｏから選ばれる高融点金属からなる溶射膜３を形成する工程と、溶射膜３を還元雰囲気中にて１０７３〜１３７３Ｋの温度で加熱し、溶射膜３の表面に存在する酸化被膜を除去しつつ脱ガス処理する工程とを具備する。脱ガス処理後の溶射膜は、ガス残存量が１０Ｔｏｒｒ・ｃｃ／ｇ以下とされている。 （もっと読む）

２つの直線部、および前記直線部を接続する、少なくとも１つの末端転回部を有するレーストラック型プラズマ源を含む、基材にコーティングする装置が提供される。コーティングの構成要素を形成する、ターゲット材料で形成されたチューブ状ターゲットは、終端部を有する。ターゲットは、ターゲット材料のスパッタリングのためにプラズマ源の近位にある。ターゲットはチューブ状の裏当てカソードに固定され、両者は中心軸を中心として回転可能である。ターゲットがコーティングを基材上に堆積するために利用されるのにともない、磁石の組が、カソードの内側に、ターゲットの終端部に向かう末端転回に整列された侵食ゾーンを移動するために配設される。ターゲットの初期重量の最高８７重量％の、ターゲットの利用が達成される。
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【課題】曲面を有する基板に対して成膜の均一性を向上させるために、マスクや遮蔽板を用いることなく基板の角度を変える方法を用いた技術において、成膜工程ごとに角度変更のための部材（ギヤ等）を交換しなければならず、成膜中に所望の角度に変更したい時に変更することが困難であった。
【解決手段】スパッタリング等の成膜装置で、基板を自転するための第１回転機構、基板の中心線と薄膜形成手段の中心線によりなす角度を変更する角度変更手段、
基板を薄膜形成手段の中心線の回りで公転するための第２回転機構を有し、薄膜形成中に、自公転する基板に対して、膜厚計測手段の計測結果に基づいて角度変更手段を駆動させ、基板の薄膜形成手段に対する角度を変更させながら成膜する構造を有する。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】フィルム幅方向の伸びに起因するシワの発生が低減される金属膜付耐熱性樹脂フィルムの製造装置等を提供する。
【解決手段】長尺耐熱性樹脂フィルムをキャンロール１３表面に接触させながら搬送する搬送機構と、キャンロールと接触していないフィルム面に金属膜を成膜するスパッタリング等の成膜機構を備える金属膜付耐熱性樹脂フィルムの製造装置であって、キャンロールが、軸方向と略平行に設けられた複数の周期的な溝３０をロール表面に有していることを特徴とする。この装置を用いて金属膜を成膜する際、フィルムに大きな熱負荷が印加されたとしても、フィルムの長手方向にはキャンロールが滑り難く、フィルムの幅方向にはキャンロールが滑り易くなっているため、フィルムの搬送性に支障を来たすことなく耐熱性樹脂フィルムのシワの発生を低減させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 酸化物を一定量含んだＣｕ系スパッタリングターゲットについて、Ｃｕ酸化物の凝集を抑制し、Ｃｕ酸化物の微細分散を実現できる製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ粉末を酸素含有雰囲気中で加熱処理して得た７．０原子％以上の酸素を導入した酸素含有Ｃｕ粉末を、不活性ガス雰囲気中で加圧焼結して酸素含有Ｃｕ焼結体とし、該酸素含有Ｃｕ焼結体を５００〜１０８０℃の温度範囲において熱間塑性加工を行なうスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）