反応性スパッタリングによって基板（１４）を被覆するための装置（１）は、軸（８）と、前記軸（８）に対して対称的に配置される少なくとも２つのターゲット（１１、１２）と、ターゲット（１１、１２）に接続される電源とを備え、ターゲットはカソードおよびアノードとして代替的に動作可能である。方法は、軸（８）を備える装置（１）において、反応性スパッタリングによって基板（１４）を被覆することにより、被覆された基板（１４）を製造するための方法である。本方法は、ａ）被覆する基板（１４）を設け；ｂ）前記軸（８）に対して対称的な配置で少なくとも２つのターゲット（１１、１２）を設け；ｃ）被覆の際に前記ターゲット（１１、１２）を代替的にカソードおよびアノードとして動作させることを含む。好ましくは、ターゲット（１１、１２）はスパッタリングの際回転させられる、および／またはターゲットは同心円的に配置され、最も内側の円形ターゲットは少なくとも１つのリング状外側ターゲットによって囲まれる。
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【課題】鉄、コバルト、ニッケル等の磁性体材料を成膜する場合に、基板の中心に対するその周囲の部分の膜厚比を大きくする。
【解決手段】ターゲットの表面付近のエロージョン領域に形成されるリング状の磁場以外にターゲットと基板とが対向したエリアの側方の特に基板に近い側に磁場を形成する。マグネトロンスパッタリング装置は、希薄ガス雰囲気に維持される真空空間内にターゲットと基板とを対向して配置すると共に、ターゲットの表面付近に磁場を形成するための磁場形成手段を配置し、さらにターゲットと基板とが対向したエリアの側方に補助的な磁場形成手段を配置し、ターゲットの表面付近のエロージョン領域に形成される磁場以外に基板の表面に近い部分に補助的な磁場を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】被接合物への付着物を低減し、良好な接合状態を実現することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波（例えばビーム照射部１１，１２による原子ビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれを活性化する。その後、表面活性化処理が施された両被接合物９１，９２の少なくとも一方を移動する。移動後において対向状態を有する両被接合物９１，９２の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波（例えばビーム照射部３１によるイオンビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面を活性化するとともに、両被接合物９１，９２を接近させて当該両被接合物を接合する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いる場合に問題となる電極やチャンバー壁面の汚染によるアーキング等のロングランの安定性、大面積化、ロール・ツー・ロール化の困難さを解決し、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、ガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧下の成膜チャンバー内に、基材を搬送する機構と、電極に電圧を印加することでプラズマ化した成膜ガスを該基材表面に噴出させる成膜手段とを少なくとも具備する成膜装置で、該電極は、成膜ガスをプラズマ化する内部空間１８と、該内部空間１８へ成膜ガスを導入するガス導入路１７と、該内部空間１８から該基材表面へプラズマ化した成膜ガスを噴出させる穴部１５とを少なくとも具備し、該電極は、一対で成膜チャンバー内に設置され、該一対の電極は、電気的に接続され、カソード又はアノードに交互に切り替わる。 （もっと読む）

【課題】 透明かつ低比抵抗の薄膜積層体を提供すること。
【解決手段】 基板上に成膜したＺｎＯ薄膜層、その上に成膜した金属ナノ粒子層、更にその上に成膜したＺｎＯ薄膜層からなる薄膜積層体であって、結晶質である２つのＺｎＯ薄膜層が挟んだ金属ナノ粒子層は金属ナノ粒子を連結した金属ナノ層からなる構造をしており、比抵抗が８．０×１０^-４Ωｃｍ以下であり、かつ可視光透過率が７０％以上の薄膜積層体を得た。本発明の薄膜積層体は、透明導電膜、太陽光発電電極、電磁波シールド材等として使用できる。 （もっと読む）

【課題】スループット良くＥＬ発光を利用した照明装置を製造することが可能な製造装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】真空室と、真空室を減圧あるいは高真空状態とする排気系と、真空室へ基板を搬送する搬送室と、を有する照明装置の製造装置を提供する。この製造装置において、真空室は、搬送室から搬送された基板上に第１の電極を成膜する成膜室と、第１の電極上に少なくとも発光層を有する第１の発光ユニットを成膜する成膜室と、第１の発光ユニット上に中間層を成膜する成膜室と、中間層上に少なくとも発光層を有する第２の発光ユニットを成膜する成膜室と、第２の発光ユニット上に第２の電極を成膜する成膜室と、第２の電極が設けられた基板上に封止膜を成膜する成膜室と、成膜室のそれぞれに基板を順次搬送するための基板搬送手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】所望の硬さを維持しつつ基材への密着性に優れた高硬度の硬質皮膜で被覆された硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に下地層２としてクロム皮膜が形成され、この下地層２上に応力緩和層としてのクロム皮膜３と硬質層としての窒素含有クロム皮膜４が交互に配置されるように複数のクロム皮膜３と複数の窒素含有クロム皮膜４を形成する硬質皮膜被覆部材の製造方法において、バイアス電圧−３０Ｖ〜−７０Ｖ、好ましくは−３０Ｖ〜−５０Ｖでスパッタリングして、略同一の厚さ１０〜５０ｎｍ、好ましくは２０〜４０ｎｍのクロム皮膜３と、略同一の厚さ１０〜５０ｎｍ、好ましくは２０〜４０ｎｍの窒素含有クロム皮膜４を交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、内部応力が小さい酸化スズ薄膜を提供することを課題とする。
【解決手段】透明基材上に蒸着プロセスを経て形成される非結晶性の酸化スズ薄膜であり、該薄膜はＣｕＫα線を用いたＸ線反射率法により該薄膜の緻密化度（ρ／ρ_０）×１００が９０〜９５％とすること。酸化スズ薄膜の波長５５０ｎｍにおける屈折率が２．０３以下である特徴も持つ。当該薄膜は内部応力が小さいため、基板との密着性が向上し、膜自体の剥離や基板の反り発生を抑制するため、低放射膜の部材として有用である。 （もっと読む）

【課題】パーティクルや異常放電現象の原因となる不純物を低減させると同時に、ハイパワースパッタリング（高速スパッタリング）時においても亀裂や割れの発生がなく、スパッタリング特性を安定させ、成膜時のパーティクルの発生を効果的に抑えることのできる高品質のスパッタリング用チタンターゲットを提供する。
【解決手段】高純度チタンターゲットであって、添加成分として、Ｓ：３〜１０質量ｐｐｍ及びＳｉ：０．５〜３質量ｐｐｍを含有し、添加成分とガス成分を除き、ターゲットの純度が９９．９９５質量％以上であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。 （もっと読む）

【課題】Ｃｒを用いることなく絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適したプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、
（１）該被覆層は銅箔基材表面から順に積層したＮｉ層及びＡｌ層で構成され、
（２）該被覆層にはＡｌが１００〜１３００μｇ／ｄｍ²、Ｎｉが４０〜６００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在する、
プリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】 第１軟磁性層と第２軟磁性層の結晶性を略等しくし、軟磁性層の面内磁気異方性を大きくすることにより、ＯＷ特性およびＳＮＲを向上させた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成は、ディスク基体１１０上に少なくとも、軟磁性層１１４と、磁気記録層１２２を備える垂直磁気記録媒体１００であって、軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄと、第１軟磁性層１１４ｂの下に設けられた結晶調整層１１４ａと、第１軟磁性層１１４ｂと前記第２軟磁性層１１４ｄの間に第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄが反強磁性交換結合相互作用を及ぼすように設けられたスペーサ層１１４ｃとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と耐熱性とに優れたγ−アルミナベースの硬質皮膜を１０００℃以下で形成でき、その皮膜を備えた耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】アルミニウム酸化物を基とする硬質皮膜を基材に被覆した硬質皮膜形成部材であって、硬質皮膜は、Ａｌ_1-xＭ_x(Ｏ_1-yＮ_y)_z（０≦ｘ≦０．５、０＜ｙ≦０．４、ｚ＞０）で表される組成を有し、この組成におけるＭは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｙ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂから選択される少なくとも１種の元素であることを特微とする。このような硬質皮膜は、基材の温度を４００〜６００℃として形成できる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、被処理基板外周部の膜だれを防止し、膜厚分布を均一化するスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】少なくとも３対のターゲット対を同一平面上に並設し、このターゲット３０１ａ〜３０３ｂの後方に磁気回路３０１ｃ〜３０３ｄを平行配置し、上記並設方向両端のターゲット対３０１ａ〜３０１ｂ、３０３ａ〜３０３ｂに接続されたスパッタ電源Ｅ１、Ｅ３から、所定の電力比にしたがって、上記両端のターゲット対に挟まれたターゲット対３０２ａ、３０２ｂに接続されたスパッタ電源Ｅ２よりも大きな電力を供給し、さらに、上記磁気回路の並設方向と直交する方向の両端部の磁場強度を上げるスパッタリング方法。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ基材へのＡｕ層又はＡｕ合金層の密着性に優れ、燃料電池作動環境下でも耐食性や耐久性が高く、導電性も確保した燃料電池用セパレータ材料、それを用いた燃料電池スタックを提供する。
【解決手段】Ｔｉ基材と、Ａｕ層又はＡｕ合金層との間に、Ｏが２０質量％以上含まれる酸化層が５〜３０ｎｍの厚みで形成されている燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することを可能にした真空成膜装置用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置の構成部品本体２の表面に、アーク溶射法でＡｌ溶射膜３を形成する。Ａｌ溶射膜３を真空中で加熱して脱ガス処理することによって、脱ガス処理後のＡｌ溶射膜を真空中で常温から７７３Ｋまで１時間で加熱した後、１時間保持して放出される総ガス量を加熱後の真空度の低下から測定した値で表されるガス残存量が１０Ｔｏｒｒ・ｃｃ／ｇ以下であるＡｌ溶射膜３を得る。 （もっと読む）

【課題】膜の結晶配向性及び結晶粒度を適宜に調節可能とする。
【解決手段】非平衡マグネトロンスパッタ装置１は、ターゲットＴから放出させたスパッタ粒子を基板Ｓ上に付着させて膜を形成する。非平衡マグネトロンスパッタ装置１は、処理室１１が形成された真空容器１０と、処理室１１内に配設され、基板Ｓを保持する基板保持部２と、処理室１１内に配設され、ターゲットＴを保持すると共にターゲットＴの表面側に磁界を形成するマグネトロン電極３と、基板Ｓに電圧を印加するバイポーラパルス電源１５と、マグネトロン電極３を介してターゲットＴに電圧を印加する可変直流電源１７とを備えている。バイポーラパルス電源１５は、基板Ｓに対して、負の電圧と正の電圧とを交互に印加する。 （もっと読む）

本発明は、耐火金属、抵抗性酸化物及び揮発性酸化物から選択される少なくとも１つの化合物を含むターゲットを、溶射、特にはプラズマ溶射によって製造するための方法に関する。当該方法は、粉末組成物の形態の前記化合物の少なくとも一部が、制御された雰囲気中で溶射によって前記ターゲットの表面の少なくとも一部に噴射され、及びその構築の際に前記ターゲットに向けられる強力な極低温の冷却ジェットが使用されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】低温で結晶半導体を形成可能な結晶半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】８０〜２４０ｎｍの膜厚を有するａ−Ｇｅ膜２が基板１上に形成される（工程（ｂ）参照）。そして、約１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ_２膜３がａ−Ｇｅ膜２上に形成される（工程（ｃ）参照）。その後、約９０ｎｍの膜厚を有するＰｔ薄膜４がスパッタリングまたは蒸着によってＳｉＯ_２膜３上に形成される（工程（ｄ）参照）。そして、Ｐｔ薄膜４は、水素リモートプラズマによって処理される（工程（ｅ）参照）。 （もっと読む）

物理蒸着法によって、柔らかく多孔質の材料に多層セラミックコーティングをコーティングする。このようにしてコーティングされた材料は、フードウェア、具体的にはプレーンな銅の基板、基コーティング、および、セラミックコーティングを含む銅製フードウェア物品として使用するのに適している。基コーティングは、スパッタリングと陰極アークとの組み合わせによって堆積され、優れた耐食性、および、基板への付着を提供することができる。セラミックコーティングは物理蒸着窒化物または炭窒化物層を含み、変色しにくい表面、優れた耐久性、および、熱安定性を提供することができる。コーティングされた銅製フードウェア物品は、純銅と同じ熱伝導性、優れた耐食性、高い耐久性、優れた調理性能、および、クリーニングの容易さを示す。また、多層コーティングを有する金属製物品、および、このような金属製物品の製造方法も説明される。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐欠損性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる硬質被覆層を蒸着形成した被覆ｃＢＮ基焼結工具において、工具基体と上記硬質被覆層の間に、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分であるバインダーの非晶質層、非晶質ほう化チタン層、非晶質窒化珪素層の何れかからなる非晶質密着層を形成する。 （もっと読む）