【課題】良好な強誘電体膜を容易に効率よく製造する強誘電体膜の製造方法及び強誘電体膜の製造装置を提供する。
【解決手段】ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】スプレイフォーミング法によるアルミニウム基合金プリフォームの密度のバラツキを低減し、プリフォームを歩留まり良く製造する技術を提供する。
【解決手段】本発明のアルミニウム基合金プリフォームは、相対密度の平均が５０〜６５％で、相対密度の最大値を示す部分と相対密度の最小値を示す部分の差が３０％以下である。上記プリフォームの製造方法は、アルミニウム基合金を（液相温度＋１００℃）〜（液相温度＋４００℃）の範囲内で溶解し、アルミニウム基合金の溶湯を得る工程と、アルミニウム基合金の溶湯をガス／メタル比が４Ｎｍ^３／ｋｇ以上で、対抗するガスアトマイズノズル中心軸のなす角度を２αとしたときαを１〜１０°の条件でガスアトマイズし微細化する工程と、微細化したアルミニウム基合金をスプレイ距離が７００〜１２００ｍｍ、コレクター角度が２０〜４５°の条件でコレクターに堆積しプリフォームを得る工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による硫化モリブデン膜の潤滑特性を向上させる方法及びその方法により製造された硫化モリブデン潤滑膜を提供する。
【解決手段】スパッタリング法により硫化モリブデン膜を所定の基材に付け、その基材と共に同硫化モリブデン膜を所定温度以上、かつ、該基材の焼き戻し温度以下で、所定時間以上、所定の雰囲気で保管処理を行うことを特徴とする。このように処理した硫化モリブデン膜は、すべり摩擦試験で潤滑寿命が著しく向上した。 （もっと読む）

【課題】粉末状ターゲットを含んで構成されるターゲットにおいて、成膜処理時のスパッタ領域を確実に制御することで、成膜レートの面内均一性を向上させ、安定した成膜が可能となるＰＶＤ法による成膜方法及び成膜用ターゲットを提供する。
【解決手段】成膜処理が実施される減圧空間をその内部に形成する処理容器と、上記成膜処理が施される基材を保持する基材保持部と、ターゲットを支持するターゲット支持部と、上記ターゲット支持部に電力を印加して上記減圧空間にプラズマを発生させる電源装置とを備える成膜装置において、粉体材料により構成される粉体ターゲットがその内周面に配置された凹部をその表面に有する上記ターゲットを用いて成膜処理を行うことで、成膜レートの面内均一性を向上させ、安定した成膜を実現する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの相が結晶粒構造を有する、少なくとも２相又は少なくとも２成分を有する材料からなるスパッタターゲットにおいて、少なくとも１つの相の前記結晶粒構造は、最大直径対前記最大直径に対して垂直方向の直径の直径比が２より大で、かつ理論密度の少なくとも９８％の密度を有することを特徴とする、スパッタターゲットに関する。さらに、本発明はスパッタターゲットの製造方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、付加的に少なくともＴｉＯ_xを含有する、主成分としてコバルト系合金を有する材料混合物に関する。 （もっと読む）

本発明は、５０μｇ／ｇ未満の酸素含量と、理論密度で９９％を上回る密度と、１００μｍ未満の平均粒径とを有するＭｏ又はＭｏ合金を含み、支持管に接続される管状ターゲットを製造する方法に関し、フィッシャー法で測定して０．５〜１０μｍの平均粒径を有するＭｏ又はＭｏ合金からなる金属粉末の製造、１００ＭＰａ＜ｐ＜５００ＭＰａの圧力ｐで、コアを使って可撓性の型で金属粉末を冷間等方加圧することによる管素材の形での圧粉体の製造、減圧又は真空中で、１６００℃＜Ｔ＜２５００℃の温度Ｔで前記圧粉体を焼結することによる管素材の製造、前記管素材を、ＤＢＴＴ＜Ｔ＜（Ｔｓ−８００℃）の成形温度Ｔで加熱し且つ心棒上での押出しによる管の製造、前記支持管への前記管の接合および機械加工の各工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤターゲット耐用寿命の終了を検出する検出器の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明は、物理的気相成長法が用いられるＰＶＤターゲット構造体に関するものである。ＰＶＤターゲット構造体は、原料からなる消耗スラブと、原料からなる消耗スラブが、ターゲット構造体の耐用寿命の終点に相当する所定量に接近しているか、または、この所定量にまで減量しているときを指示する一乃至複数の検出器と、を含む。各検出器は筐体を含み、この筐体は、バルク材に複数の孔を形成し、バルク材を、孔を１つずつ含んだ複数の別個の筐体ユニットに分離することによって製造される。あるいは、検出器の筐体は、一乃至複数の成型部材を備えた成型法、押し出し法、鋳造法、電気化学めっき法、及び／またはシート形成法を用いて製造可能である。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングターゲット材のブラスト処理による製造方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリングターゲット材をブラスト加工するに際し、少なくともスパッタリングターゲット材の凸部の外周部に外接する管状の冶具を用い、該冶具を凸部の外周部に置いて凸部のブラストを抑制しながら非凸部をブラスト加工することを特徴とするスパッタリングターゲット材の製造方法。
【効果】 本発明による冶具をスパッタ部および側面にマスキングを施すのみであるのでブラスト処理の作業効率が極めて簡単な作業で効率よく行われる。 （もっと読む）

【課題】 従来の焼結法に比べて格段に低温で得ることができる絶縁性ターゲット材料を提供する。
【解決手段】 絶縁性ターゲット材料は、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で表される絶縁性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料であって、Ａ元素は少なくともＰｂからなり、Ｂ元素はＺｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

本発明は、オプトエレクトロニクス技術の分野に関連し、また透明な導電性層の製造を意図する。より具体的には、本発明は、セラミック材料製造の分野に係り、またセラミックターゲットの製造において利用され、該ターゲットは、マグネトロン、電子-ビーム、イオン-ビーム、および他のマイクロ-、オプト-、ナノエレクトロニクス用材料の源として使用され、本発明は、更にこのようなセラミックターゲットから製造したフィルム、およびこのようなフィルムの製造方法にも関連する。ここには、ガリウムをドープした、酸化亜鉛を主成分とするセラミックターゲットが記載され、該ターゲットは、0.5〜6原子％なる範囲の量のガリウムおよび0.1〜2原子％なる範囲の量のホウ素を含み、該ガリウムおよびホウ素の一部は、置換用の添加物として、酸化亜鉛微結晶中に含まれ、かつ該ガリウムおよびホウ素の残部は、アモルファス粒界相に、亜鉛と共に含まれている。また、本発明は、ガリウムをドープした、好ましい配向(001)を持つ、酸化亜鉛を主成分とする多結晶質フィルムをも提案するものであり、該多結晶質フィルムの構造には、0.1〜2％なる範囲の亜鉛が、ホウ素原子によって置換されており、また0.5〜6％の亜鉛原子は、ガリウム原子によって置換されており、また本発明は、該多結晶質フィルムの製法をも提案する。 （もっと読む）

【課題】スパッタターゲットタイルを溶接して、大型スパッタターゲット及びターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】支持部の表面上に少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂを並べて配置し、少なくとも２個のターゲットタイルの端部は隣接し、ターゲット材料の小片５５２又は粉体５５３上に少なくとも１の境界ライン５２１Ａを形成し、電子ビーム溶接チャンバ内のガスを排出し、少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂ及びターゲット材料の小片５５２又は粉体５５３を、ターゲットタイルの溶融が開始する温度、物理的状態が変化する温度又は実質的に分解する温度以下の予備加熱温度まで予備加熱し、並べて配置された少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂを大型ターゲットに溶接する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングターゲット使用時、特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができるAl系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 (1) スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲットの表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm² あたり45000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット、(2) 上記と同様のスパッタリングターゲットの表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm² あたり15000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

ガス流を、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、ジルコニウム、これらの２種以上の混合物及び少なくとも２種のこれらの相互の又は他の金属との合金からなるグループから選択される材料の、０．５〜１５０μｍの粒子サイズを有する粉末と共に、ガス／粉末混合物を形成させ、その際、超音速を前記ガス流に付与し、かつ超音速のジェットを、再処理又は製造すべき対象物の表面に向ける、スパッタターゲット又はＸ線アノードを再処理又は製造する方法が開示されている。 （もっと読む）

工作物あるいは部品であって、組成（Ａｌ_yＣｒ_1-y）Ｘの少なくとも１層を含む層システムを有し、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯまたはＣＢＮＯでありかつ０．２≦ｙ＜０．７であり、上記層中の層組成は、実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する。さらにその製造方法。
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本発明は金属材料を含有するコンポーネントを含む。金属材料は複数の粒子で構成され、実質的にすべての粒子は実質的に等軸であり、粒子は約３０ミクロン以下の平均粒度を有する。コンポーネントは、３２５メッシュサイズを特徴とする出発金属材料と共に一軸真空ホットプレスを利用することによって形成できる。典型的なコンポーネントはスパッタリングターゲットで、該ターゲットはそのスパッタリング面だけでなくその厚み全体にわたって高度の均一性を有する。 （もっと読む）

【課題】 製造時及び使用時に生じる反り（変形）が小さく、ターゲットを精度良くかつ効率的に製造することができ、また安定した成膜操業を行うことのできるＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｎｉ及び希土類元素を含むＡｌ基合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲット平面に垂直な断面を倍率：２０００倍以上で観察したときに、アスペクト比が２．５以上で円相当直径が０．２μｍ以上の化合物が、５．０×１０⁴個／ｍｍ²以上存在していることを特徴とするＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

（Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｒ）群およびケイ素に属する成分Ｍから特に選択された異なるタイプの原子に基づく少なくとも１種の化合物を含むターゲットを、熱スプレー、特にプラズマスプレーによって製造する方法であって、
共有および／またはイオンおよび／または金属結合により結合する成分である該化合物の少なくとも一部分が該プラズマジェットに、注入され、該ターゲットの表面部分上に該化合物の被膜を堆積させるように、該ターゲットの上に該化合物の成分をスプレーすることを特徴とする方法。 （もっと読む）

i)基板を提供する段階、ii)スパッタリングターゲットを形成するように選択された材料をプラズマ溶解し、溶解材料の溶滴を生じさせる段階、iii)基板上に液滴を蒸着させ、基板上に材料の被覆層からなるスパッタリングターゲットを生じさせる段階を有するスパッタリングターゲットを製造するための方法。いくつかの適用では、基板は一時的な基板で、iv)被覆された一時基板を永久的なターゲット支持材料に前記被覆層を介して接合し、v)前記一時基板を取り外し、永久的なターゲット支持材料上に材料の被覆層からなるスパッタリングターゲットを生じさせることが、望ましい。プラズマ蒸着ステップは、大気圧下、又は直流プラズマ溶射、直流転送アーク蒸着、誘導プラズマ溶射などの軟真空を使用する条件下で行われる。この方法は簡単で、結果としてのターゲット上にその後の作業を必要としない。 （もっと読む）