【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が均一分散している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット、バッキングプレート、スパッタリング装置内の機器の、不要な膜が堆積する面から発生する堆積物の剥離・飛散を防止できるパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器及び放電加工による粗化方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング中の不要な膜が堆積する面に放電加工痕を形成したスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器であって、該放電加工痕は９０°未満の俯角を有する傾斜した多数の突起からなることを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器。 （もっと読む）

本発明は、４４ミクロン未満の微細で均一な等軸粒構造を備え、電子後方散乱回折（「ＥＢＳＤ」）によって測定されたときに、選択されたテクスチャ配向が無く、ターゲット本体の全体を通して粒径のバンディングまたはテクスチャのバンディングを示さない、スパッタリングターゲットに関する。本発明は、レンズ状または扁平な粒構造を伴い、ＥＢＳＤによって測定されたときに、選択されたテクスチャ配向が無く、ターゲット本体の全体を通して粒径またはテクスチャのバンディングを示さない、スパッタリングターゲットに関し、ターゲットが、スパッタリング材料の層および少なくとも１つの付加層をバッキングプレートの界面において組み込む層状組織を有し、該層は、バッキングプレートの熱膨張係数（「ＣＴＥ」）とスパッタリング材料の層のＣＴＥとの間のＣＴＥ値を有する。 （もっと読む）

30乃至40原子%の金属、2乃至10原子%の窒素、35乃至50原子%の酸素、並びに燐（P）、ホウ素（B）、ケイ素（Si）、ゲルマニウム（Ge）、ガリウム（Ga）、硫黄（S）、及びアルミニウム（Al）を含む群より選択される少なくとも1つの元素によって構成される、100％までの残部を含む、陰極スパッタリングターゲット。このターゲットからの薄膜の製造方法、並びにこの薄膜を含む電気化学的装置。 （もっと読む）

ある厚さのスパッターターゲット表面変形層を除去するための方法を提案する。この方法により、スパッタリング作業時のバーンイン時間の短縮が実現される。この方法は、粘弾性研磨媒体による、ターゲット表面の押出しホーンポリッシングから成る。 （もっと読む）

【課題】スピッティングを生じないようにした非金属を含む複数の物質から成るスパッタターゲット及びそのようなスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又は鉄（Ｆｅ）から成る第１の物質と、炭素（Ｃ）、炭素（Ｃ）含有物質、炭化物、窒素（Ｎ）含有物質、窒化物、珪素（Ｓｉ）含有物質又は珪化物、酸素（Ｏ）含有物質、酸化物、ホウ素（Ｂ）、ホウ素（Ｂ）含有物質又はホウ化物から成る第２の物質とを少なくとも含む複数の物質から成り、第２の物質は５０ミクロン以下の平均サイズを有する相を構成し、第１の物質を１５原子パーセント以上含有する。前記スパッタターゲットを、物質混合工程、混合物の容器詰め工程及びＨＩＰ圧密化工程を経て製造する。 （もっと読む）

【課題】 加圧容器への原料粉末の充填密度を向上させ焼結体の変形を低減させたＭｏターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 平均粒径２０μｍ以下のＭｏ原料粉末を圧縮成形した圧密体を、粉砕し該原料粉末の平均粒径以上でかつ平均粒径１０ｍｍ以下の二次粉末を作製した後、該二次粉末を加圧容器に充填し、次いで加圧焼結を施し焼結体を得るＭｏターゲット材の製造方法である。また、前記原料粉末は冷間静水圧プレスで圧縮成形するＭｏターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、パーティクルの発生のすくない耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．０５−０．３７}からなる組成の２００メッシュ粉末を合成し、これを１７００℃〜１８３０℃でホットプレスすることによって、ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）

基板上に亜酸化クロムの薄膜を堆積させるためのＡＣまたはＤＣスパッタリングターゲットは、クロムの酸化物、金属クロム、および取込まれた酸素を含有する。ターゲットの抵抗率は、２００オーム．ｃｍ以下である。ターゲットは、クロムの酸化物の粉末と粉末状などの金属クロムとの組合せで作製され得るか、または１００％の酸化クロムもしくは亜酸化物材料で始め、当該材料をターゲット作製処理の前もしくは最中のいずれか一方に還元雰囲気に晒して、酸化クロムおよび／もしくは亜酸化物材料のある割合を金属クロムおよび保持酸素に還元して作製され得る。そのようなターゲットにより、不活性アルゴンガスのみの使用でスパッタリング処理を実行して、酸化クロムの薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットであって、該ターゲットの透磁率が１００以上であることを特徴とするスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット。 （もっと読む）

本発明は、一般に、Cuと、Al、Ag、Co、Cr、Ir、Fe、Mo、Ti、Pd、Ru、Ta、Sc、Hf、Zr、V、Nb、Y、および希土類金属から成るグループから選択される合計で0.001〜10 wt%の一つ以上の合金元素とから成るスパッタリングターゲットを提供する。0.5wt% Alを含む代表的な銅スパッタリングターゲットは、非常に小さな結晶粒径、高い熱安定性および大きなエレクトロマイグレーション抵抗を有しており、必要な薄膜均一性、エレクトロマイグレーションと酸化に対する大きな抵抗、および誘電体中間層への大きな付着力を有する薄膜を形成させることができる。12 ppmのAgを含む代表的な銅スパッタリングターゲットは、非常に小さな結晶粒径を有する。また、本発明は、銅スパッタリングターゲットを製造する方法をも提供する。 （もっと読む）

本発明は、回転可能なスパッタターゲット及びこのようなスパッタターゲットを製造する方法に関する。スパッタターゲットは、ターゲット材料及びターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを備えている。磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定している。ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を備えている。ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を備えると共に、少なくとも端区域において第２の材料を備えている。第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。好ましくは第２の材料は、溶射によって施される。第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
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本発明は、スパッタ材料がＮｂ₂Ｏ₅ １５〜６０mol％を含有する、ＴｉＯ₂をベースとするスパッタ材料を含有するスパッタターゲットに関する。さらに、次の工程：・ＴｉＯ₂粉末及びＮｂ₂Ｏ₅粉末を液状スリップ中で混合する工程 ・このスリップを噴霧造粒してＴｉＯ₂：Ｎｂ₂Ｏ₅混合酸化物グラニュールにする工程 ・このグラニュールをスパッタターゲット基体上へプラズマ溶射する工程を有するスパッタターゲットの製造方法に関する。
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【課題】有機顔料を金属酸化物中に分散させることで、発色を損なわずに、且つ基材に対しての高密着性、耐溶剤性を有する有機顔料分散型薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｚｎの内の少なくとも一つを有する金属からなる低硬度な金属粉末と有機顔料粉末を準備し、これらの粉末を混合して混合粉末を形成し、この混合粉末を冷間等方圧プレス或いは乾式等方圧プレスにより加圧成形することでスパッタリングターゲットを作製し、このスパッタリングターゲットを用いて、酸素と反応させる反応性スパッタリングを直流放電によって行うことにより、基材上に有機顔料分散型薄膜を形成する方法である。前記有機顔料分散型薄膜は金属酸化物中に有機顔料が分散されたものである。 （もっと読む）

【課題】ホットプレスと焼結操作が不用で、そして高電力レベルでも複雑な形状を有する大型のターゲットとして使用可能となるように高い導電性を有するターゲットの製造に適用可能な、半化学量論的ＴｉＯ_２からなるスパッタリングターゲットの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】電気抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下で、ｘが２より小さい半化学量論的な二酸化チタンからなり、必要により酸化ニオブを含むスパッタリングターゲットの製造方法であって、酸素を含まず、かつ酸素含有化合物を含まない雰囲気で回転可能なターゲット基材上に、二酸化チタンＴｉＯ_２、そして必要により酸化ニオブも一緒にプラズマ溶射する工程と、半化学量論的二酸化チタンが酸素と結合しない条件で冷却され凝固してなるＴｉＯ_ｘで上記の回転可能なターゲット基材を被覆する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも２つの成分からなる合金又は材料混合物からなるスパッタ材料を有するスパッタターゲットに関し、その際、前記の２つの成分は熱力学的平衡で存在せず、かつ前記の成分は静水圧又は一軸の冷間圧縮法により緻密化されていることよりなる。 （もっと読む）

【課題】親水性並びに汚染防止、抗菌、消臭作用等の多機能性を増加させた光触媒機能材料を主体とする光触媒コーティング剤及び蒸着加工方法を提供する。
【解決手段】光触媒機能材料に、助触媒として酸化トリウムゲル体又は希有元素類を含む鉱物、或いは酸化トリウムゲル体及び希有元素類を含む鉱物を含有させてなる光触媒作用を増幅させた光触媒コーティング剤を、ガラス、金属、樹脂、セラミック等の基材に蒸着加工した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 生産性に優れ、且つ、ターゲット層の厚みを厚くできる新規な、円筒型Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 （Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ）の１種以上から選択される金属元素を０．５〜５０原子％含有し、残部はＭｏ及び不可避的不純物からなる板状のＭｏ合金素材を、スピニング加工により円筒形状とする円筒型Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。（Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ）の１種以上から選択される金属元素のうち、最も好ましく元素はＮｂである。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一な結晶組織を有するＴａスパッタリングターゲットおよびその製造方法の提供。
【解決手段】Ｔａインゴットに対し、「締め鍛造と据え込み鍛造とを交互に３回以上繰り返して行う１サイクルの冷間鍛造工程」からなる鍛造パターンを３回以上実施し、かつ、各鍛造パターンの間に真空熱処理を実施してビレットを準備し、このビレットからスパッタリングターゲットを製造する。この時、アスペクト比(長さ／直径)＝０．７〜１．５のインゴットを使用し、締め鍛造と据え込み鍛造とにおけるインゴットの形状の変化を、アスペクト比(長さ／直径)＝０．７〜１．５の範囲で行う。さらに、このビレットを、４軸以上の方向から総圧延率６５〜７５％で冷間圧延した後、その圧延板を８５０℃〜９５０℃の範囲で真空熱処理する。このスパッタリングターゲットは、３０〜５０μｍの平均結晶粒径を有し、結晶粒径のばらつきは小さい。 （もっと読む）

本発明は、中空カソードマグネトロンスパッタリングターゲットを成形する方法を含む。金属材料を、処理して約３０ミクロン以下の平均粒径を生成させ、次いで、深絞りする。本発明は、Ｃｕ、Ｔｉ及びＴａから選択される少なくとも１種の元素を含む材料を含む三次元スパッタリングターゲットを含む。ターゲットは、ターゲット全体にわたって約０．２ミクロン〜約３０ミクロンの平均粒径及び１５％（１−σ）以下の粒径標準偏差を有する。本発明は、０．２ミクロンから１５０ミクロン未満の平均粒径及び１５％（１−σ）以下の粒径標準偏差を有する、Ａｌを含む三次元ターゲットを含む。
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