【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料の埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、スパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマ２２を磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４ＢとＡｌターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってＡｌターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ堆積膜２００のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤ、ターゲットバイアス電圧ＶＢ、および、ターゲット−基板間距離Ｌに基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層２と、当該グラファイト層２の表面上に設けられ、当該グラファイト層２の表面を成長面とする半導体層４とを備えた半導体基板１。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料のコンタクト埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、Ａｌからなるターゲット３５Ｂおよび開口部が形成された基板３４Ｂを格納可能なスパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４Ｂとターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤおよび基板バイアス電圧ＶＡに基づいて調整されている。 （もっと読む）

【課題】 真空状態にある容器の内部で、直流放電によりプラズマを発生させた場合であっても、プラズマの状態変化を、精度良くかつ高い自由度で検出できる技術を提供する。
【解決手段】 アノード１２およびカソード１３の間となるプラズマ処理容器１１の側壁の外面に、磁気センサ２１を設け、プラズマ処理容器１１のプラズマ生成空間に生成したプラズマＰの流れの周囲に発生する磁界を計測する。磁界変化量生成部は、磁気センサ２１で計測された磁界の初期値と当該初期値から変化した変化値との差分である、電磁界の変化量を生成し、プラズマ変化情報としてプラズマ処理制御部１７に出力する。プラズマ処理制御部１７は、取得したプラズマ変化情報に基づいて、例えば、プラズマ生成用電源１４の印加電圧を変化させる等の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング堆積膜のカバレッジ性を適切かつ充分に改善できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、基板７０およびターゲット３５Ｂが配された真空成膜室３０と、基板７０とターゲット３５Ｂとの間の真空成膜室３０の成膜空間３０Ａにプラズマ２７を誘導するプラズマガン４０と、成膜空間３０Ａに配された偏向電極６０と、偏向電極６０に正電圧を印加する第１電源５０と、ターゲット３５Ｂに負電圧を印加する第２電源５２と、を備える。そして、このような正負電圧に基づいて、プラズマ２７からターゲット３５ＢにドリフトするＡｒ⁺のターゲット３５Ｂへの入射方向が制御されている。 （もっと読む）

【課題】透過率が９０％以上であり、さらに抵抗値の変動を抑える。
【解決手段】 基板８１の表面８３に透明導電膜８２が積層形成されている。基板８１の表面８３に形成された透明導電膜８２は、ＩＴＯＣ（Indium Tin Oxide Carbon）膜からなる。このＩＴＯＣ膜の基板８１への形成には、プラズマ発生装置を用いた成膜装置１であるＭＰＤ（Multi Plasma deposition）装置が用いられている。 （もっと読む）

【課題】電子トンネリングを防止するのに十分な厚さにおいても、要求されるキャパシタンス値を満たすことができる高誘電率の誘電定数を有し、誘電損失が非常に低く、常誘電特性を示す線形的なＢＳＴＯ誘電体薄膜組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）誘電体薄膜に錫酸化物（ＳｎＯ_２）が連続組成拡散法によって添加され、一般式Ｂａ_{（１−ｘ）}Ｓｒ_ｘＴｉ_{（１−ｙ）}Ｓｎ_ｙＯ_３（式中、モル分率ｘは０．０６≦ｘ≦０．８２の範囲であり、モル分率ｙは０．０５≦ｙ≦０．２８の範囲である）（ＢＳＴＳＯ）である誘電体薄膜組成物とする。これにより、電界によるキャパシタンスの変化がほとんどなく、要求されるキャパシタンス値を示し誘電損失は非常に低く、既存の誘電体素材であるＳｉＯ_２のような常誘電（paraelectric）特性を示す。 （もっと読む）

【課題】発電所などの高温環境で使われる部品の磨耗および擦り傷などの損傷を効果的に防止することが可能な、高温用部品の潤滑コーティング装置を提供すること。
【解決手段】高温用部品がセットされるセッティング部、および前記高温用部品に対するスパッタリング空間を形成する蓋を備えたチャンバーと、前記セッティング部にセットされた高温用部品を回転駆動させる回転駆動手段と、前記チャンバーのスパッタリング空間を真空に保つための真空ポンプと、前記チャンバーのスパッタリング空間を不活性気体雰囲気に造成するための不活性気体供給部と、前記蓋の上面部と前・後面部に前記高温用部品を向いて複数設置されたターゲットと、前記ターゲットに対応するように前記蓋の上面部と前・後面部に設置され、ターゲットの原子を放出させて前記高温用部品に蒸着させる複数のスパッタガンと、前記回転駆動手段、前記真空ポンプ、前記不活性気体供給部および前記スパッタガンを制御する制御部とを含んでなる、高温用部品の潤滑コーティング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
永久磁石による反発磁界の幅を狭めることなく、シートプラズマの傾きを調整できるシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係るシートプラズマ成膜装置１は、円柱状のプラズマＰを出射するプラズマガン２と、円柱状のプラズマＰを挟んでＮ極の磁極面が対向するように配置された一対の永久磁石７Ａ、７Ｂで構成され、円柱状のプラズマＰをシート状に変形させる永久磁石対７と、少なくとも一方の永久磁石７Ａ、７ＢのプラズマPに対向する面に配置され、かつ、一対の永久磁石７Ａ、７Ｂの対向方向（Ｙ方向）からみて円柱状のプラズマＰの中心軸Ｔに対し非対称に配置された磁性部材８と、シート状のプラズマＰを利用して成膜が行われる成膜室９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】実質的なクラスター生成効率を高めたクラスター生成装置を提供する。
【解決手段】エネルギー照射を受けてクラスター構成物質を放出する放出源を減圧室内に配置し、該放出されたクラスター構成物質のイオンを冷却ガスとの接触下でクラスター化させてイオンクラスターとし、生成した該イオンクラスターを該減圧室のクラスター出口から室外へ供給するクラスター生成装置において、
上記放出源から上記クラスター出口に至る軸線を取り巻く環状の電極、および
上記イオンクラスターの帯電極性と同じ極性の電位を上記電極に印加する直流電源
を備えたことを特徴とするクラスター生成装置。 （もっと読む）

【課題】既存装置の大幅な設計変更を必要とせず、同装置の製造コストが抑えられ、それと共に平行状態にできるシート状の電子ビームの傾き角度の範囲が大きく、且つシート状への変形領域の幅が小さくならないスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】対の棒磁石１１Ａ、１１Ｂで変形初期のシート状プラズマ１２を、輸送中心Ｐ１を軸として傾け、ターゲット１４等に対応する位置でのシート状プラズマ１２が当該ターゲット１４等と平行状態となるようにする。 （もっと読む）

【課題】陽極に形成された反応生成物を取り除くことができるシートプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明のシートプラズマ装置１００は、内部を減圧可能な減圧容器６０と、プラズマガン１０と、減圧容器の内部においてプラズマを受ける平板状の陽極５１と、減圧容器の一部を成すように形成され、その内部に円柱状のプラズマ２２を流動させかつこの円柱状のプラズマをシート状のプラズマ２７に変形させるシートプラズマ変形槽２０と、減圧容器の一部を成すように形成された成膜槽３０と、陽極を回転させる回転機構７５と、陽極の背後にかつ円柱状のプラズマの中心軸２２Ａ上に配置された永久磁石５２と、シート状のプラズマと離れた位置に陽極の前面に対向するように配置された清掃部材７６と、清掃部材を陽極に押し付ける押付機構８１と、清掃部材とシート状のプラズマとの間に配置された遮蔽板８２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】超電導体から出る強い磁場の分布を調整するのに有利な超電導磁場発生装置及びスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】超電導磁場発生装置１は、超電導遷移温度以下で外部に磁場を発する超電導体３と、超電導体３を冷却する冷却装置４と、超電導体３を収容する断熱容器５と、電流を通電して超電導体３から発せられる磁場分布４００の形状を制御する磁場制御コイル９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】技術を複雑化することなく、基板のスパッタ・エッチング時のプラズマ強度を高める装置および方法を提供する。
【解決手段】被覆対象である基板を収容した被覆反応器内、特にＰＶＤ被複システム内で、該基板と少なくとも１つの別の電極との間に直流または交流の電圧を印加して一次プラズマを発生させる際に、該プラズマの活性を向上させる装置において、
熱電子放出器、望ましくはフィラメントを備え、該フィラメントは１本の長いフィラメントであるか、または数本の短いフィラメントを直列または並列またはその組合せにより接続したフィラメントであって、直流または交流またはその組合せによって加熱されることを特徴とするプラズマ活性を向上させる装置。 （もっと読む）

【課題】 プラズマスパッタ蒸着による、ガラス基板上への透明なかつ導電性に優れた薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 圧力：３×１０^−５Ｐａ以下の真空容器中に、周期表における０族の元素でアルゴン以上の元素の少なくとも１種からなる不活性ガスを０.７×１０^−１Ｐａ〜１.８×１０^−１Ｐａの圧力となるまで導入し、該不活性ガスに０.６％〜１％の水素および／または重水素を含有せしめた雰囲気下に、アルカリフリーガラス基板をターゲットに対向配置しプラズマ内で電気的にフローティング状態として、金属フィラメントの存在下に低ガス圧プラズマスパッタ法によって基板上に１００ｎｍ以上の厚さの高機能透明導電性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】超電導体からの強い磁場をプレートの前面側に発生させることができる超電導磁場発生装置、スパッタガン及びスパッタリング成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】超電導磁場発生装置は、超電導遷移温度以下で外部に磁場を発する超電導体３と、超電導体３を冷却する冷却装置４と、超電導体３を収容する断熱容器５とを有する中央磁極２を有する。超電導体３の周囲に配置された強磁性体で形成された周縁磁極６と、中央磁極２と周縁磁極６とが存在する空間と磁場作用空間とを仕切るプレート７とを有する。プレート７のうち超電導体３に対面する中央部７１は、窪み７０を有するように、当該中央部７１の周囲よりも厚みが薄く設定されている。 （もっと読む）

基板上の積層複合材料であって、前記積層複合材料の少なくとも１つの単一層が立方晶窒化ホウ素を含有し、かつ堆積を通じて製造されている。課題は、改善された接着強さを有するそのような積層複合材料を提案することである。前記課題は、立方晶窒化ホウ素が堆積の間に添加される酸素を含有することにより解決される。
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プラズマ処理システム(10)と方法は、金属流動シールド(42)が誘電体ウインドウを保護する時ほどでない制限的要件を持てる方法で、内部の高濃度プラズマ(30)を維持する真空チャンバ(12)の内部コイル(40)を提供する。シールドはコイルをプラズマ熱負荷からも保護する。コイルは積極的に冷却しなくてよい。若干の金属がシールドを通過できコイル上に蒸着できる。これは、外部コイル形態のシールドほど複雑でないスロット(43)を備えた薄いシールドをもたらす。シールドの良好なＲＦ透明性は、遥かに簡単なシールド形状の結果である。コイルはスパッタリングされず消耗品でない。コイルは小さな導電空間に囲まれ、インダクタンスを減らし、コイル電流と電圧を減少し、調整回路(22a)とＲＦコネクタの設計と構成を順に単純化する。スティフナ(45)はコイルを支持し、金属蒸着による導電性通路の形成を避けるよう作られる。
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高アスペクト比形体内に金属又は他のコーティング材料のコンフォーマルな膜を蒸着するための蒸着システム１００及びその作動方法が開示される。蒸着システムはプラズマを形成し蒸着システム１００に金属蒸気を導入するためのプラズマ源１２０及び分散型金属源１３０を備える。蒸着システムは一つのプラズマ密度を有するプラズマを形成し、一つの金属密度を有する金属蒸気を生成するように設計されており、基板近傍での金属密度対プラズマ密度の比は一以下である。基板の直径の略２０％の長さである基板１１４の表面からの距離内において、このような比となっている。実質的に基板表面に亘りプラスマイナス２５パーセント内でこの比は一様である。１０^１２ｃｍ^−３を越えるプラズマ密度に対してと、膜の最大の厚さが例えば形体の幅の１０パーセントといった形体の幅の半分以下であるナノスケール形体を有する基板上の薄膜蒸着に対して、この比は特に有効である。
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