スパッタリングチャンバのためのスパッタリングターゲットは、スパッタリングプレートが装着されたバッキングプレートを備えている。１つの変形において、バッキングプレートは、環状溝を含む前面を有する円形プレートで構成される。スパッタリングプレートは、スパッタリング面と、バッキングプレートの環状溝に適合する形状及びサイズにされた円形峰を有する裏面とを含むディスクで構成される。 （もっと読む）

【課題】基板サイズの大型化に伴うターゲットサイズの大型化により問題となる膜厚と比抵抗の基板内分布で該特性の良好な薄膜を形成することを可能とするスパッタリング装置のマルチカソード構造を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置のマルチカソード構造は、ターゲット９を備えた裏板１２が絶縁板１９を介して取り付けられた複数の隔壁板１４を有する。隔壁板１４の外周部をフレーム１８に直接固定することにより、膜厚と比抵抗の基板内分布の良好な薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット、バッキングプレート、スパッタリング装置内の機器の、不要な膜が堆積する面から発生する堆積物の剥離・飛散を防止できるパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器及び放電加工による粗化方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング中の不要な膜が堆積する面に放電加工痕を形成したスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器であって、該放電加工痕は９０°未満の俯角を有する傾斜した多数の突起からなることを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器。 （もっと読む）

本発明は、４４ミクロン未満の微細で均一な等軸粒構造を備え、電子後方散乱回折（「ＥＢＳＤ」）によって測定されたときに、選択されたテクスチャ配向が無く、ターゲット本体の全体を通して粒径のバンディングまたはテクスチャのバンディングを示さない、スパッタリングターゲットに関する。本発明は、レンズ状または扁平な粒構造を伴い、ＥＢＳＤによって測定されたときに、選択されたテクスチャ配向が無く、ターゲット本体の全体を通して粒径またはテクスチャのバンディングを示さない、スパッタリングターゲットに関し、ターゲットが、スパッタリング材料の層および少なくとも１つの付加層をバッキングプレートの界面において組み込む層状組織を有し、該層は、バッキングプレートの熱膨張係数（「ＣＴＥ」）とスパッタリング材料の層のＣＴＥとの間のＣＴＥ値を有する。 （もっと読む）

【課題】酸素等からなる不純物を除去した、純度の高いＧａスパッタターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】バッキングプレート１１にＧａもしくはＧａ合金を液体状態にして流し込み、液体Ｇａ保持バッキングプレート２８とした後、前記液体Ｇａ保持バッキングプレート２８を、減圧状態または水素ガス雰囲気中で、前記Ｇａもしくは前記Ｇａ合金の融点以上の温度で熱処理してから、前記Ｇａもしくは前記Ｇａ合金を固体状態となるまで冷却させて製造することを特徴とするＧａスパッタターゲット１１１の製造方法を用いることにより上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、有機電界発光素子作製において、電極、水分吸着膜、環境遮断膜からなる複数の膜を、環境雰囲気に素子特性が影響されずに、容易に連続成膜することが可能なスパッタリング装置及び成膜方法を提供することを課題とした。
【解決手段】
チャンバー内に、筒状のバッキングプレートと、バッキングプレートの高さ方向を回転軸方向とするバッキングプレート回転手段と、バッキングプレートの外面に配置された複数のターゲット設置部と、各ターゲット設置部の背面位置に設置された極性の異なる対のカソードマグネットと、基板と、基板と対向する位置に具備されたターゲットに接続する機構を有するスパッタリング用電源とを有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】トップエミッション型有機電界発光素子及びその製造方法において、上部透明電極形成時、スパッタリングターゲット表面から基板被成膜面へ入射するプラズマ荷電粒子を捕捉して、発光ポテンシャル低下を抑制することを目的とする。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲット４は大径開口部４ａと、小径開口部４ｂと、それら開口部４ａ，４ｂを接続する周面４ｃとを有し、バッキングプレート５には、ターゲット４を、その大径開口部４ａが基板２に向けられた状態で収容する凹部５ａが設けられ、この凹部５ａを構成する内周壁面５ｂは、ターゲット４の周面４ｃが嵌め込まれるすり鉢形状に形成され、この凹部５ａにターゲット４を入れ子式に嵌め合わせる。これにより、基板への副生成荷電粒子の入射も大幅に減少する。 （もっと読む）

【課題】冷却媒体液が真空中に流入し且つこの真空を不純物で負荷することを防止する。
【解決手段】各シール装置が、半径方向で間隔を置いて配置されたシールリングから成っており、これらのシールリング間にリング室が形成されており、該リング室が通風穿孔を介して、支持プレートの、当該バックプレートとは反対の側に接続されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、（Ａ）少なくともＣｏを含有する金属相、（Ｂ）長軸粒径１０μｍ以下の粒子を形成してなるセラミックス相、および（Ｃ）少なくともＣｏを含有してなるセラミックス−金属反応相を有し、前記（Ｂ）セラミックス相が前記（Ａ）金属相内に散在されてなり、かつ、前記（Ｂ）セラミックス相と前記（Ａ）金属相との間に、前記（Ｃ）セラミックス−金属反応相により形成される層が介在してなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、Ｇａが固体状態および液体状態のいずれの状態においても、Ｇａとバッキングプレートとの間の熱伝導を均一に行うことによって、成膜を安定して行なわせる。また、Ｇａが液体状態のときには、バッキングプレートのスパッタ面に液体状態のＧａを均一に広げ、成膜を行わせることによって、不純物を含まないＧａ窒化物化合物半導体を形成させることである。
【解決手段】Ｇａを含むターゲット材料を保持するバッキングプレートを具備してなり、少なくとも前記バッキングプレートの前記ターゲット材料と接する接触面が、液体状態のＧａとの接触角が９０°以下となる易濡れ性材料で構成されていることを特徴とするスパッタ成膜装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを大型化してもそのクラックや破壊を未然に防止できる新規なコーティング装置およびスパッタリング成膜方法の提供。
【解決手段】チャンバー10内に設置されるバッキングプレート90に当該バッキングプレート90と線膨張係数の異なる板状のターゲット40を備えたコーティング装置100であって、前記ターゲット40を複数の分割ターゲット40aで構成すると共に当該各分割ターゲット40a同士を元の形状を維持すべく互いに所定の隙間を隔てて配置し、各々前記バッキングプレート90に取り付ける。これによって、各分割ターゲット40a間の隙間が適宜拡大縮小することでその膨張収縮量の差を吸収できるため、大型のターゲット40を用いた場合でも、これにクラックや破壊が生ずるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット形状を複雑にした場合に、スパッタ成膜中にターゲットの変形が生じてもターゲットとバッキングプレートとの良好な接触性が保たれるバッキングプレート及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】バッキングプレートは、固定プレート部と、この固定プレート部におけるターゲット保持面側に設けられたバネ部と、このバネ部を介して固定プレート部に保持され、エロージョン形状に合わせて凹凸が設けられたターゲットの背面が接触される可動プレート部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
ターゲットのベーキング作業や交換作業を容易に行うことができるスパッタソースを提供する。
【解決手段】
スパッタソース２のターゲット４の下方にはバッキングプレート６が配置される。バッキングプレート６の下方には環状水路１８が設けられ、下方側には水冷パイプ２０が接続される。バッキングプレート６の下方には、円柱磁石３４および環状磁石３６が配置される。環状磁石３６および磁石保持部材３８には、切り欠き部４５が設けられ、切り欠き部４５の中を水冷パイプ２０が通過している。 （もっと読む）

【課題】冷却板としてのバッキングプレ−トの変形を防止し、バッキングプレ−トとタ−ゲットの熱線膨張率の差を少なくし、タ−ゲットの割れを無くす。
【解決手段】スパッタリング装置で使用するカソ−ドのバッキングプレ−トに、炭素、酸化物、金属のいずれかでなる心材と、前記心材を包み込む金属とを一体化させた構造を持たせる。このことにより、電気伝導性及び熱伝導性を損なわず、かつ心材の剛性により心材を包み込んでいる冷却板としてのバッキングプレ−トの変形を防止する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングチャンバのためのターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングチャンバは、熱伝導率が少なくとも約２００Ｗ／ｍＫで、電気抵抗率が約２〜５μΩｃｍのバッキングプレート１４１及びスパッタリングプレート１３７で構成されるスパッタリングターゲット１３６を有する。バッキングプレートは、溝を有する。スパッタリングプレート１３７は、平面を有する円柱状メサと、この円柱状メサを取り巻く環状の傾斜リムとを備えている。１つの変形例において、バッキングプレートは、高い熱伝導率と、低い電気抵抗率とを有する材料で構成される。別の変形例において、バッキングプレートは、単一の溝又は複数の溝をもつ背面を含む。スパッタリングチャンバ用のプロセスキットは、スパッタリングチャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リング、カバーリング及びシールドアッセンブリを備えている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ要素上や基板の張り出しエッジ上のプロセス堆積物の堆積を減少させるプロセスキットの提供。
【解決手段】基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが該支持体の周囲壁を囲む環状バンド２１６であって、該環状バンドから横に伸長し、該支持体の周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる内部リップ２１８と、隆起リッジ２２４と、内部リップと隆起リッジとの間に、基板の張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネル２３０と、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジ２３６と、を備えている前記環状バンドを備えている防着リングを配置する。 （もっと読む）

【課題】高周波マグネトロンスパッタリングにより、同じ特性で、熱的安定性に優れた誘電体薄膜を、安定した成膜速度で形成する方法を提供する。
【解決手段】高周波マグネトロンスパッタリングでは、ターゲットに印加された高周波電力により、ターゲットに直流電圧が誘起される。本発明の形成方法によれば、ターゲットに誘起される電圧の直流成分の絶対値を５０Ｖ以上として成膜をおこなうことにより、誘電体薄膜を安定した成膜速度で成膜することが可能になるとともに、一定の屈折率値の膜が得られるようになり、さらに、得られた膜の熱的安定性が向上する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置用部品、ターゲットおよびバッキングプレートにおいて、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止する。
【解決手段】真空成膜装置用部品１は、部品本体２の表面に形成された溶射膜３を具備する。溶射膜３は溶射形成後に還元雰囲気中にて1073〜1373Kの加熱温度で脱ガス処理が施されたＷ溶射膜またはＭｏ溶射膜からなり、かつガス残存量が10Torr・cc/g以下とされている。ターゲットおよびバッキングプレートは同様な溶射膜を具備する。 （もっと読む）

【課題】変形が生じにくく、熱伝導性、０．２％耐力、ヤング率、および耐酸化性に優れた特性を兼ね備えた銅合金製バッキングプレートとその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｎｉ：１．０〜５．０質量％、Ｓｉ：０．２〜１．０質量％を質量比Ｎｉ／Ｓｉが３．５〜５．５の範囲で含むとともに、さらにＺｎ、Ｓｎ、Ｐ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ａｇの少なくとも１種以上を総量０．０１〜３．０質量％含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなり、結晶粒径の最大が０．０６ｍｍ以下であり、直径が０．００５ｍｍを超える介在物を含まず、熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるバッキングプレート用銅合金を、鋳造工程、熱間圧延工程、溶体化処理工程、冷間圧延工程及び時効処理工程を経ることにより製造する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材の冷却効率を向上させることができるとともに、ターゲット材の交換作業をし易くすることができるバッキングプレートを提供する。
【解決手段】 バッキングプレート１６は、ターゲット材１４を固定するとともに、ターゲット材１４を冷却するための底部３１を有する。底部３１は、第１底部３３と、第２底部３４とを有する。第１底部３３の下面３３ａ側には、金属製ハンダを介してターゲット材１４が固定される。第２底部３４は、多孔質状の金属であるポーラス金属によって構成されている。ポーラス金属には、冷却孔３５が形成されており、冷却水２７が入り込むことが可能となっている。詳しくは、冷却水２７は、冷却孔３５の口元である第１冷却孔３５ａにかけて入り込み、これにより、第１冷却孔３５ａにある冷却水２７ａと新しい冷却水２７とを置換することが可能となり、バッキングプレート１６の冷却効率が高められる。 （もっと読む）