【課題】ターゲット材とバッキングプレートをボンディング材を介してターゲット接合体とする際の反りの発生を抑制し、さらにはスパッタリング中の温度上昇に起因するターゲット材とバッキングプレートとの剥離や破壊を効果的に防止し、且つ導電性に優れたターゲット接合体を提供する。
【解決手段】ターゲット接合体１において、ボンディング材は、室温から１５０℃までにおける粘着力Ｓ（Ｎ／ｃｍ^２）が０．４以上である耐熱性粘着材４であり、ターゲット材２とバッキングプレート３の接合面積に対する耐熱性粘着材を貼着した面積率（Ａ％）が８０％以下であると共に、当該面積率（Ａ％）と、単位面積あたりのターゲット材の自重Ｆ（Ｎ／ｃｍ^２）との関係が１．０≦［（Ｓ×Ａ／Ｆ）］を満たし、且つ耐熱性粘着材が貼着していない接合面の少なくとも一部に、耐熱性及び導電性のスペーサー５が介在している。 （もっと読む）

【課題】粉末焼結法で作製されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットにおいて、大きなスパッタ電力を投入しても、スパッタ膜にパーティクルが発生することを抑制することができる高品質なＣｕ−Ｇａ合金ターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末及びＧａが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で加熱しながら撹拌し合金化して得られた平均粒径が１５０μｍ以下のＣｕ−Ｇａ合金粉末を、ホットプレス焼結することにより、断面組織に平均結晶粒径４０μｍ以下の粒子が含有されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末が不活性雰囲気中で３０℃以上４００℃以下の温度で合金化されて得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末１を真空又は不活性雰囲気中で４００℃以上９００℃以下の温度で熱処理した後に、加圧して焼結する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品の製造方法であって、部品本体の表面にＣｕの含有比率が６５〜９５質量％の範囲のＣｕ−Ａｌ合金からなるＣｕ−Ａｌ合金膜を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ａｌ合金膜に１．３３×１０^−３Ｐａ以下の真空雰囲気中で３００〜８００℃の温度でアニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸素含有量が少ないＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの際のパーティクルの発生を効果的に低減し、かつ、Ｎａを始めとするアルカリ金属不純物による汚染防止を図ることができるバッキングプレートを簡便に得られるバッキングプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット２を保持するバッキングプレート１を製造する方法において、前記バッキングプレート１表面の前記スパッタリングターゲットが接合される領域以外、すなわち、外周部１ａ及び側周面１ｂの少なくとも一部を、レーザ加工により凹凸を形成して粗面化する工程を経る。 （もっと読む）

【課題】インジウムターゲットへの不純物の混入が良好に抑制された積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成されたＦｅ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｅ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓ及びＳｉから選択された１種類以上の金属で構成された薄膜からなる不純物拡散防止層、及び、不純物拡散防止層上に形成されたインジウムターゲットを備える。 （もっと読む）

【課題】
スパッタリング法で薄膜を形成する際に、ターゲットを指示するバッキングプレート上の付着物によるダストの発生を簡便に低減できる方法を提供する。
【解決手段】
ターゲット部材とバッキングプレートから成るスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットのバッキングプレート表面にメッキ法によって銅薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する成膜の生産性を向上させることが可能な成膜装置およびターゲット装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、成膜材料であるターゲット２５と当該ターゲット２５に接触して冷却する板状の冷却板２２とを備えており、ターゲット２５と冷却板２２とはクランプ２７によって固定され、冷却板２２は、ターゲット２５と対向する面である第１の面２２ａとは反対側の面である第２の面２２ｂが第１の面２２ａよりも高圧の雰囲気に曝されると共に、第１の面２２ｂにおける中央部２２ｃがターゲット２５側に変位してターゲット２５を押圧する。 （もっと読む）

【課題】非晶質であって、かつ高仕事関数であって、可視域での屈折率が低く、摺動や曲げによる剥離、割れなどが起こりにくく、膜面が極めて平坦であり、さらには室温近傍で成膜可能な透明導電膜を製造するのに好適な透明導電膜製造用焼結体ターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、主としてＧａ、ＩｎおよびＯからなり、Ｇａを全金属原子に対して４９．１原子％以上６５原子％以下含有し、主としてβ−ＧａＩｎＯ₃相とＩｎ₂Ｏ₃相から構成され、Ｉｎ₂Ｏ₃相（４００）／β−ＧａＩｎＯ₃相（１１１）Ｘ線回折ピーク強度比が１５％以下であり、さらに密度が５．８ｇ／ｃｍ³以上である。 （もっと読む）

【課題】
半田材起因で発生するＩＴＯターゲット表面に発生するノジュール量を低減すると同時に、溶融した半田材がフラットパネルディスプレイ等の膜面に付着することによる製品の歩留まりの低下を防止できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
酸化インジウムおよび酸化スズを含むＩＴＯからなる１以上のターゲット部材をバッキングプレート上にインジウム半田材を用いて接合して成るスパッタリングターゲットであって、ターゲット−バッキングプレート接合体から露出している前記インジウム半田材の一部または全部を融点２００℃以上の金属メッキ膜で覆ったことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができる有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 Ｉｎ：０．１〜１．５質量％とＣａ：０．００５〜０．０５質量％とを含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金ターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、前記結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットである。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内の雰囲気を維持しつつ順次複数のターゲットによる成膜が可能であるとともに、構造がシンプルで小型化、低コスト化に優れたマルチターゲットスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１２内に配置された基板２０の下方に配置される導電性の板体であって、略水平に回転可能に支持され、回転中心から一定の距離の円周に沿って開口した複数の貫通孔を有する回転板体３２と、回転板体に設けられ、貫通孔の略真下にターゲット板２３を略水平に支持するターゲット支持部４０と、ターゲット支持部に設けられ、ターゲット板の裏面に当接する導電性のプレートであって、回転板体から絶縁されたバッキングプレートと、バッキングプレートを介してターゲット板を所定の電位とするターゲット電極７０と、ターゲット電極を昇降させる昇降部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲットのスパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）を良好にするとともに、ターゲットの寿命が長い高使用効率ターゲット、ターゲットの製造方法及びターゲット−バッキングプレートを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング用ターゲットバッキングプレート組立体であって、ターゲット１のエロージョン面とターゲットの背面に配置したマグネット及びターゲットに対向する基板面との距離がそれぞれ一定であり、当該ターゲットはスパッタリングによりエロージョンを受ける部位が厚くなるようにバッキングプレート面側に厚さを変化させた凹凸形状を備え、バッキングプレートと凹凸形状を有するターゲット間のターゲットの肉薄部分に導電性の材料からなるスペーサーを備えていることを特徴とするターゲットバッキングプレート組立体。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】大幅なコスト増につながるターゲットアセンブリの損傷に起因する交換とパフォーマンスの低下に関して改良されたターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】スパッタリング用の回転ターゲットは、外面を有するターゲットバッキングチューブ２０５と、ターゲットバッキングチューブ２０５の外面と接触しており、かつ電気伝導性であり非熱伝導性であるバッキング層と、ターゲットバッキングチューブ２０５の周囲に位置しており、かつバッキング層と接触している複数のターゲット円筒体と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 円筒形ターゲットと円筒形支持管とが強固に結合された回転ターゲットを形成する回転ターゲット組立体を提供する。
【解決手段】 回転ターゲット組立体は、円筒形ターゲットと円筒形支持管とを有する。円筒形ターゲットの内径と円筒形支持管の外径との間の差は、ターゲット材料の降伏ひずみに円筒形ターゲットの内径及びＮを乗じた値に実質的に等しい。ここでＮは１と１０との間の値である。前記差は、ターゲット材料と、円筒形ターゲットの寸法とにより調節することができ、結果として、円筒形ターゲットは円筒形支持管に強固に結合することができる。回転ターゲットの熱伝導率及び導電率は向上する。 （もっと読む）

【課題】向上した冷却能を有し、且つスパッタ材料の撓みを減少させることのできるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ａ）ターゲット表面要素と、ｂ）連結面がターゲット表面要素に連結されている芯裏打要素と、ｃ）芯裏打要素の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を備える。付加的なスパッタリングターゲットは、ａ）ターゲット表面要素および芯裏打要素が同じターゲット材料を備えるかあるいは材料勾配を備える、一体型のターゲット表面要素および芯裏打要素と、ｂ）少なくとも１つの表面積形状を備える。スパッタリングターゲットの形成方法は、ａ）ターゲット表面要素を提供することと、ｂ）芯裏打要素を提供することと、ｃ）芯裏打板の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を提供することと、ｄ）表面ターゲット材料を芯裏打材料の連結面に連結することを備えている。 （もっと読む）

【課題】特に軽元素ターゲットを用いたスパッタリングにおいて、ターゲット材料利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするスパッタリング装置の提供を課題とする。
【解決手段】ターゲット裏面に設置される磁気回路を、磁化方向が概略前記ターゲット面に平行な方向に設置される磁石ユニットからなる構成とすると共に、バッキングプレートの厚みを周辺部より中央部の方を薄くすることにより、中央部の磁石をターゲットに近づけ、前記磁気回路のなかで、ターゲット面と平行に磁化された磁石ユニットのうちターゲットの中心近傍に設置された磁石ユニットとターゲット表面の距離をよりターゲット表面に近づけることにより、ターゲット上の広範囲にわたってプラズマを発生させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することを可能にした真空成膜装置用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置の構成部品本体２の表面に、アーク溶射法でＡｌ溶射膜３を形成する。Ａｌ溶射膜３を真空中で加熱して脱ガス処理することによって、脱ガス処理後のＡｌ溶射膜を真空中で常温から７７３Ｋまで１時間で加熱した後、１時間保持して放出される総ガス量を加熱後の真空度の低下から測定した値で表されるガス残存量が１０Ｔｏｒｒ・ｃｃ／ｇ以下であるＡｌ溶射膜３を得る。 （もっと読む）