【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％でＧｅを２０．２〜２４．２％、Ｓｂを２０．２〜２４．２％含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有しかつ六方晶構造のＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５相が質量％で９０％以上占めている組織を有するターゲットであって、このターゲットは前記組成を有するインゴットを熱処理したのち粉砕もしくは前記インゴットを粉砕して得られた合金粉末を熱処理したのち解砕した原料合金粉末を加圧焼結することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】真空容器内において部材を設定温度近傍若しくは設定温度以下に制御することが可能となる真空容器内の温度制御装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気内で所定の処理を行う真空容器内の温度制御装置であって、前記真空容器を構成する部材８の内部に、該処理温度近傍に融点を持つ相変化材料１１が内包されている構成とする。その際、前記相変化材料を、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐｂのいずれかを主成分として、約１０℃以上３２７℃以下の融点を有する低融点合金で構成する。 （もっと読む）

【課題】アーク放電等異常放電を抑えてデブリを防ぎ、効率的で信頼性の高い膜を形成するためのスパッタリング用電源及びシステムを提供する。
【解決手段】真空チャンバ、基板を真空チャンバを通じて搬送するように構成された基板搬送システム、スパッタリングターゲットを支持するカソードであって、少なくとも部分的に真空チャンバ内にあるカソード、およびカソードに電力を供給するように構成された電源であって、変調電力信号を出力するように構成された電源を有するスパッタリングシステムを含む。態様に応じて、振幅変調電力信号、周波数変調電力信号、パルス幅電力信号、パルス位置電力信号、パルス振幅変調電力信号、あるいは他の種類の変調電力またはエネルギー信号を出力するように、この電源を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】既存のマグネトロンスパッタリング装置への広範囲な変更を要求せずに、強磁性体のスパッタリング効率を改善する。
【解決手段】改良されたスパッタリングターゲットを、マグネトロンスパッタリング装置で使用するために提供するものであり、そのスパッタリングターゲットは、ターゲット材料がスパッタされる活性な表面と該活性な表面の反対側に位置した背面とを含んでいる。少なくとも１つの磁石が、ターゲットの活性な表面を通り抜ける磁界を増加させるためにターゲットの背面に埋め込み、配向される。 （もっと読む）

【課題】局所的な変形が少なく、交換寿命が長いバッキングプレートとして使用できる冷却板を提供する。
【解決手段】本発明のバッキングプレート（冷却板）１は、本体２に形成された溝５を蓋３によって閉塞することにより、冷媒を通す流路６を形成し、蓋３は、溝５の幅より大なる幅を有し、少なくとも一面（図１では内側の面）に凸部４を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】幅の広い長尺のフィルムに、複数層の膜を生産性よく、低コストで製造する。
【解決手段】真空槽20中でロール・ツ・ロールでフィルム10をスパッタユニット50と対面領域を通して搬送しつつその上に連続的に成膜するようにした連続スパッタ装置において、スパッタユニット50が、６側面を有しその内の一つを長方形の開口した開口側面とした直方体状の枠体と、該枠体の開口側面に隣接するその長辺側の２側面に対向するように気密に設けられた、ターゲットとこれを冷却するバッキング部とからなるターゲットモジュールを前記開口側面長辺方向に並置した複合ターゲットモジュールと該複合ターゲットモジュールの周囲に設けられたターゲット面に垂直方向の対向モードの磁界を形成する磁界発生手段とからなる一対のターゲット部とを備え、残りの３側面が密閉された箱型スパッタユニットである。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットタイル（３０）を含むターゲットアセンブリで用いられるタイルセットであって、ターゲットタイルはアレイ内で他の物質のバッキングプレート（２４）に接着されているターゲットタイルセットを提供する。
【解決手段】アレイ内部のタイルの端部（３２、３４）は相互的な傾斜端部となるように形成され、これによってタイル間に傾斜間隙（３６）を形成する。間隙はターゲットの垂線に対し１０°と５５°の間、好ましくは１５°と４５°の間の角度で傾斜していてもよい。垂直及び傾斜間隙の両方において、タイルの対向側部はビードブラスト法により荒仕上げ加工されていてもよい。垂直又は傾斜間隙の両方において、間隙の下方のバッキングプレートの領域（４８）は荒仕上げ加工されていてもよく、ターゲット材料の領域でコーティング又は被覆されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体等の製品基板の成膜やプラズマ処理装置内に用いる真空装置の部品において、膜状物質の付着性が高く、しかも異常成長による粒子の脱落のない、長時間の連続使用が可能な優れた部品を提供する。
【解決手段】半導体等の成膜装置及びプラズマ処理装置に用いる真空装置用部品において、表面がセラミック及び又は金属溶射膜で被覆され、該溶射膜の表面にＪＩＳＢ０６０１：２００１及びＪＩＳＢ０６３３：２００１で規定する輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが２０〜７０μｍの範囲、算術平均粗さＲａが８〜１５μｍの範囲で、算術平均うねりＷａが８μｍ以下である表面粗さを有する溶射膜を具備するものは、膜状物質の付着性が高く、しかも異常粒成長による粒子の脱落がないため、長時間の連続使用が可能である。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの交換が容易で、しかもターゲットの冷却を容易に行うことができ、低コストで成膜が可能であり、更には得られる膜の膜厚分布が小さい成膜方法を提供する。
【解決手段】 スパッタ法による成膜方法において、ターゲットとして複数の粒状物を用い、該粒状物がこれを収容可能な凹部５，６を有するターゲットバッキングプレート２内に収容されており、スパッタガス３を、該ガスが粒状物の隙間を通過するように該ターゲットバッキングプレート凹部から供給すること、を特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

スパッタリングのターゲットをスパッタリング装置内において回転可能に支持する単一の直角エンドブロックが開示される。前記エンドブロックは、外部から壁部またはドアの単一の開口部を通して前記スパッタリング装置内のターゲットを駆動し、通電し、回転可能に支持し、および（冷媒および空気に対して）密封するために必要な全ての手段を備えている。前記直角エンドブロックは前記ターゲットが取り付けられる前記壁部と平行の回転軸を中心として前記ターゲットを回転させるように構成されている。好ましくは、前記エンドブロックは容易に前記冷媒を排出できるように、前記ターゲットの下方に配置されている。
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（Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｒ）群およびケイ素に属する成分Ｍから特に選択された異なるタイプの原子に基づく少なくとも１種の化合物を含むターゲットを、熱スプレー、特にプラズマスプレーによって製造する方法であって、
共有および／またはイオンおよび／または金属結合により結合する成分である該化合物の少なくとも一部分が該プラズマジェットに、注入され、該ターゲットの表面部分上に該化合物の被膜を堆積させるように、該ターゲットの上に該化合物の成分をスプレーすることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、冷却効率が高く、又、薄型で、大面積形状の冷却板とその製造方法及びスパッタリングターゲットとその製造方法を提供するにある。
【解決手段】本発明は、本体内部に冷媒の通路となる溝を有し、該溝が該溝より幅の大きい蓋で覆われており、前記蓋が前記本体に摩擦攪拌接合により接合されており、該接合によって形成された接合ビードが前記通路の外側にあることを特徴とする冷却板にある。 （もっと読む）

本発明は１、Ｈｆに、Ｚｒ若しくはＴｉのいずれか、又は双方を総計で１００ｗｔｐｐｍ−１０ｗｔ％含有することを特徴とするハフニウム合金ターゲットであり、平均結晶粒径が１−１００μｍ、不純物であるＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、さらに｛００２｝とこの面から３５°以内にある｛１０３｝、｛０１４｝、｛０１５｝の４つの面の晶癖面配同率が５５％以上で、かつ場所による４つの面の強度比の総和のばらつきが２０％以下であるハフニウム合金ターゲットに関する。成膜特性や成膜速度が良好であり、パーティクルの発生が少なく、ＨｆＯ又はＨｆＯＮ膜等の高誘電体ゲート絶縁膜の形成に好適なハフニウム合金ターゲット及びその製造方法を得る。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ−Ｎｄ合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体の、ボンディングやＡｌ−Ｎｄ合金薄膜の成膜で生じる反りを抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるＡｌ−Ｎｄ合金スパッタリング用積層体を提供する。
【解決手段】Ｎｄを０．１〜３原子％含むＡｌ合金からなるＡｌ−Ｎｄ合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体であって、前記Ａｌ−Ｎｄ合金スパッタリングターゲット材の２５〜１００℃の平均線膨張係数：Ａと、前記支持体の２５〜１００℃の平均線膨張係数：Ｂが、下記式（１）を満たすことを特徴とするＡｌ−Ｎｄ合金スパッタリング用積層体。 −０．１５ ≦ （Ｂ−Ａ）／Ａ ≦ ０．１５ …（１） （もっと読む）

【課題】できるだけ薄く構成されている一方で、十分な剛性を有している、冷却されたバックプレートを提供する。
【解決手段】当該バックプレート２，３，４において、当該バックプレートの裏側に向かって開放している少なくとも１つの溝５が、冷却媒体流入部と冷却媒体流出部との間に延びており、溝５が、当該バックプレート２，３，４の外側のフレーム６によって取り囲まれており、フレーム６の内側で、該フレームから離れた少なくとも１つのウェブ７が延びており、該ウェブ７が、２つの溝区分同士を互いに分離しており、溝５の開放している側が、横断面で見て閉じた冷却通路を形成するために、閉鎖シート・バー９によって閉鎖されており、該閉鎖シート・バー９が、フレーム６およびウェブ７に溶接されているようにした。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材料を損傷させることなく成膜速度を上げることができる円筒状ターゲット及び成膜方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の円筒状ターゲットによれば、まず、バッキングチューブ１８とターゲット材料２０を接合する接合材を、カーボンシート２２又はインジウム金属とする。次に、ＪＩＳ Ｒ１６１８の規定による２０〜６００℃での平均線膨張率がターゲット材料２０よりも高く、且つ１２×１０^-6／Ｋ以下の材料、例えばチタンによってバッキングチューブ１８を製作する。ターゲット材料２０は、前記平均線膨張率が３．５〜５．５×１０^-6／ＫのＳｉ含浸ＳｉＣで製作されている。 （もっと読む）

本発明は、スパッタターゲットを製造する方法に関する。この方法は、ある熱膨張係数を有するターゲットホルダーを提供する工程と、ある熱膨張係数を有するターゲット材料を提供する工程と、ターゲット材料をターゲットホルダーに結合させる工程とを含む。このターゲット材料は、少なくとも第一の化合物と第二の化合物を含む。この第一の化合物は第一の熱膨張係数を有し、それに対して第二の化合物は第二の熱膨張係数を有する。第二の熱膨張係数は第一の熱膨張係数よりも高く、第二の熱膨張係数はターゲットホルダーの熱膨張係数よりも高い。本発明はさらに、これにより得られるスパッタターゲットに関する。 （もっと読む）

【課題】 磁場設計をして安価且つ簡単にバランス型/アンバランス型に切替え可能なスパッタリング陰極を提供、実現しようというものである。
【解決手段】 バランス型磁束配置を有するスパッタリング陰極の原料ターゲット保持面近傍に室温で強磁性を示す物体を設置することにより磁束配置をアンバランス型に変更、取り外すことでバランス型に戻すことによって、切替可能とする。 （もっと読む）

【課題】 スパッタターゲット集成体の部品（例えば、使用済、新しい、不良品）を回収する方法、および回収したスパッタターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 バッキングプレートに結合したタンタルまたはニオブターゲットを含むスパッタターゲット集成体の部品の回収方法において、前記方法が、前記タンタルまたはニオブターゲットを水素化して、それぞれ、タンタル水素化物またはニオブ水素化物を形成する工程、そして、前記バッキングプレートから前記タンタル水素化物またはニオブ水素化物を分離する工程を含む回収方法によって、課題が解決する。 （もっと読む）

スパッタ用ターゲット組立体２０を製造する方法、及びその製品が提供される。本方法はバッキングプレート２６を製造するステップを含み、バッキングプレートは平坦な上面とそこに円筒形状凹部２８を備える。次に、バッキングプレート２６の円筒形状凹部に対応する円錐台背面２４及び前面を有する最終形状に近いターゲットインサート２２が製造される。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の降伏強度よりも大きな降伏強度を有し、かつバッキングプレート２６の円筒形状凹部の深さよりも高さが大きい。その後、バッキングプレート２６にターゲットインサート２２を拡散接合し、ターゲット組立体を形成するために、塑性変形の状態までターゲット２２をバッキングプレート２６の円筒形状凹部２８へ加温圧縮する。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の平坦な面上に突出する。
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