本発明は、少なくとも１つのモリブデン系化合物を含む公称厚さのターゲットであって、ラメラ微細構造、１０００ｐｐｍ未満、好ましくは６００ｐｐｍ未満、特に好ましくは４５０ｐｐｍ未満の酸素量、及び前記化合物の理論電気抵抗率の５倍未満、好ましくは３倍未満、特に好ましくは２倍未満の電気抵抗率を有することを特徴とするターゲットに関する。 （もっと読む）

【課題】ＰＴＦが低く漏れ磁束が小さいターゲットのＰＴＦを高くして、成膜速度を高めるとともに、厚肉のターゲットの使用を可能にし、生産性の向上を図る。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置に用いられるターゲットであって、Ｃｒ及びＰｔを含むＣｏ基焼結合金により構成されたターゲット板１１のスパッタ面とは反対側に、該ターゲット板１１よりも磁束透過率の高い材料である、ＣｏＣｒ合金からなる裏当て板１２を接合した。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタカソードは、ターゲット１０のスパッタ面１０ａに設けられた第２環状溝１４と、ターゲット１０の非スパッタ面１０ｂに設けられた第３環状凸部２３と、非スパッタ面１０ｂの、第３環状凸部２３の外側に設けられた第４環状溝２４と、非スパッタ面１０ｂの、第４環状溝２４の外側に設けられた第４環状凸部２５とを有するターゲットを備える。また、上記マグネトロンスパッタカソードは、非スパッタ面１０ｂ側に、第１磁石５、及び第１磁石５と極性の異なる第２磁石６を備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲット交換の作業効率を向上することができるスパッタリング装置及びその使用方法を提供する。
【解決手段】ターゲット１２が取り付けられたターゲットホルダ１３と、ターゲットホルダ１３を回転可能に支持する支持部材１５と、ターゲットホルダ１３を回転させる回転機構１８，２０と、を具備し、ターゲット１２及びターゲットホルダ１３の重心を合成してなる合成重心が、ターゲット１２の使用開始時にはターゲットホルダ１３を回転させる際の回転中心よりもターゲット１２に近い側に位置し且つターゲット１２の使用終了時には回転中心よりもターゲット１２から遠い側に位置する構成とする。 （もっと読む）

アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッターターゲットと当該ターゲットを製造する方法を提供する。純アルミニウムまたはアルミニウム合金を機械的に加工して円形ブランクとしてから、当該ブランクに再結晶熱処理を加えて、必要な結晶粒径と結晶集合組織とを実現する。この熱処理ステップ後に当該ブランクに10〜50%の追加ひずみを与えて、機械的強度を増大させる。さらに、当該ターゲットのフランジ領域においては、ひずみは他のターゲット領域におけるよりも大きく、当該フランジ領域に約20〜60%の割合のひずみが与えられる。次に、当該ブランクを仕上げ加工して、必要な結晶集合組織と十分な機械的強度とを有するスパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置の大型化に伴った磁石構成体の揺動幅調整の困難さ（揺動幅の設定値からのずれ）に起因する不具合を防止できるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】表面上に平板ターゲット４０を配置するバッキングプレート１０の裏面１０ｂ側に、揺動する磁石構成体２０を配設してマグネトロンカソード電極としたスパッタ装置において、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを低減するためのシールド３０を、平板ターゲット４０の側面周囲に配設し、シールド３０が平板ターゲット４０と同じ材質であるか、あるいはシールド３０がその最表層部に平板ターゲット４０と同じ材質をコーティングしたものである。 （もっと読む）

上部に固体ターゲットシリンダを受け入れるようにされた、スパッタリング装置のための回転可能なターゲットベース装置を提供し、この回転可能なターゲットベース装置は、側面（３）と、中間部（１２）と、第１の端部領域（７）と、第１の端部領域に対向する第２の端部領域（９）とを有するターゲットベースシリンダ（４）を含み、第１及び第２の端部領域の少なくとも一方は、実質的に中間部の外径以下の最大外径を有する。 （もっと読む）

【課題】装置コストを増大せずに、良質な薄膜を、高い成膜速度で形成することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ガスの導入と排気が可能な真空容器と、この真空容器内に配置され、かつ、成膜の材料となるターゲットを保持するバッキングプレートと、前記真空容器内に前記バッキングプレートに対向して配置され、かつ、前記成膜材料の薄膜が形成される成膜用基板を保持する基板ホルダとを有し、前記バッキングプレートは、板状の形状を有し、かつ、焼結により生成する理論上の重さに対する焼結後の実際の重さの比重を表す焼結密度が９５％以上であるターゲットよりも熱膨張係数が小さいことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な膜を手軽に成膜する。
【解決手段】ロータリーマグネトロンスパッタ装置３００において、ターゲット３３０と、そのターゲット３３０のディスク基板２０１側に対する裏側に配置され磁界を発生させる、その磁界は頂点がターゲット３３０のディスク基板２０１側に達するアーチ状の磁界であり、その磁界をターゲット３３０に沿って周回移動させるロータリーマグネトロンカソード３４０との間に挿入され、上記磁界の周回移動経路上の一部でその磁界のターゲット３３０への到達を減らす軟磁性板３６０を備えた。 （もっと読む）

【課題】ターゲットから発生する高周波ノイズの影響を抑えた高周波スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 被スパッタ面が処理チャンバー１内に露出したターゲット３は、高周波電源４によって高周波電圧が印加されてスパッタされる。ターゲット３の背後には絶縁部材３０を介してベース板３３が設けられ、ターゲット３とベース板３３の間の空間に冷却機構８によって純水が供給されて冷却される。ベース板３３は、１０オーム以下の容量性インピーダンスとなるよう軸対称に配置された複数のコンデンサ３６を介して接地されている。ターゲット３とベース板３３の間に設けられた磁石ユニット５を回転させる回転機構７に対しては、ベース板３３がシールドとなり、ターゲット３からの高周波ノイズが遮断される。 （もっと読む）

複合スパッタリングターゲットは、同一又は異なる材料の使用済みスパッタリングターゲットでできる又は、表面に窪みが形成された異なる材料からなるバックプレートの中に金属又は金属含有パウダーを加熱加圧することによって製造される。窪みは同じ幾何学を有するターゲットのエロージョンパターンに相当する。窪みは、例えば機械加工によって形成できる。バックプレートは、グラファイト金型内に装着され、アセンブリを形成するためにスパッタリング材料で覆われる。詰め込み具が加えられたアセンブリは、緻密にされたスパッタリング材料のスパッタリングゾーンを有する複合スパッタリングターゲットを形成するために、真空下で適正な加圧と加温による加熱加圧を行う。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される薄膜の品質及び製造効率の向上を実現するバッキングプレートの製造方法、及びこれらに関する技術を提供すること
【解決手段】バッキングプレート１は、ブラスト材によりブラスト処理され、ブラスト処理部５が形成される。ブラスト処理部５には、付着、固着したブラスト材の他、突き刺さっているブラスト材が存在する。この突き刺さっているブラスト材上に堆積した膜が容易に剥離し、基板上の薄膜に異物として混入してしまう。ブラスト処理部５に突き刺さっているブラスト材は、単純な洗浄方法では除去することができない。そこで、バッキングプレート１は、超音波洗浄→エッチング処理→超音波洗浄の順に洗浄される。この３段階の洗浄により、ブラスト処理部５に突き刺さったブラスト材を除去することができるため、基板上に形成される薄膜の品質及び製造効率の向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率を向上させる成膜源、スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット２１には孔２６が形成され、磁石装置２０は磁石移動装置４により、ターゲット２１の孔２６の周囲を移動する。従って、磁石装置２０により形成されるエロージョン領域は、孔２６の周囲に形成され、非エロージョン領域になるべき部分にはターゲット２１が存在しないから、ターゲット２１の使用効率が高い。孔２６の底面上には接地電極２５が配置されているから、孔２６の内部に露出する部材がスパッタリングされない。 （もっと読む）

【課題】プラズマをターゲット表面の広範囲に発生させることが可能な磁場形状を実現し、ターゲット材料の利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするマグネトロンスパッタ装置、および当該装置を用いたスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】マグネトロン電極の磁気回路１０を、ターゲット２の中央部から外周部へ向かって「中心垂直磁石１０１、内側平行磁石１０３、外側平行磁石１０４、外周垂直磁石１０２を配置した磁気回路１０」として、内側平行磁石１０３をターゲット２に近づける。 （もっと読む）

【課題】投入電力を増大させて成膜速度を高めても、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料のスパッタリングを可能にするターゲット構造とこれを備えたスパッタリング装置。
【解決手段】金属材料からなる保持部の上にガリウムあるいはガリウムを含む材料が配置されてなるターゲット構造であって、前記ガリウムあるいはガリウムを含む材料との界面にあたる前記保持部の表面上に、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料との接触角が３０°以下である薄膜が形成されていることを特徴とするターゲット構造。当該ターゲット構造を有するスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】裏打ち部材による熱伝導性の低下がないとともに、アーキングの発生を確実に防止することができるスパッタリングターゲットを提供し、また、そのようなスパッタリングターゲットとバッキングプレートとの間にボンディング材を密着させることができるターゲット組み立て体を提供する。
【解決手段】複数のターゲット部材４ａ〜４bの側面どうしを継ぎ合わせてなるスパッタリングターゲット２において、ターゲット部材４ａ〜４bの継ぎ目Ｔに裏打ち部材５が設けられるとともに、該裏打ち部材５は、前記継ぎ目Ｔを塞ぐ金属製テープ１１と、該金属製テープ１１の両側部をターゲット部材４ａ〜４bに固定する接着テープ１２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットのエロージョンを均一化することができるマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】反応室に基板とターゲットを互いに対向させ、バッキングプレートの裏面側にターゲットに対して磁界を形成する磁界発生手段を移動可能に配置し、基板とターゲットとの間に高電圧を印加して放電を発生させ、ターゲット材の構成原子を基板上に付着させて薄膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において、バッキングプレートの裏面に沿って駆動操作される磁界発生手段を、磁極の向きが逆極性で、かつ磁化方向がバッキングプレートの裏面に向くようにして配置された第１の永久磁石２１Ａと第２の永久磁石２１Ｂとで構成し、かつ、磁界発生手段の駆動方向と交差する方向に磁界を形成する永久磁石の厚みを、駆動方向に沿って磁界を形成する永久磁石の厚みよりも小さくして、第１の永久磁石と第２の永久磁石の磁界強度を部分的に弱くなるように設定した。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】防着板がスパッタリングされない成膜装置を提供する。
【解決手段】
ターゲット３２と静電吸着装置３１の間のスパッタリング空間を取り囲む防着板３５の内周側面の面積がターゲット３２の表面積よりも小さい成膜装置１の電源装置４０に、直流電圧源４１を設け、負の直流電圧であるバイアス電圧に高周波交流電圧が重畳されたスパッタ電圧をターゲット３２に印加する。ターゲット３２の電位が負電位になるので、接地電位の防着板３５はスパッタされなくなり、薄膜中の汚染物質が減少する。 （もっと読む）

ａ）ターゲット材料を含むターゲット表面構成要素と、ｂ）結合表面、裏面、および少なくとも１つの開いた区域を有するコアバッキング構成要素であって、結合表面がターゲット表面構成要素の少なくとも一部に結合され、ターゲット表面構成要素の少なくとも一部がコアバッキング構成要素の少なくとも１つの開いた区域に嵌合するコアバッキング構成要素とを含むスパッタリングターゲットが説明される。いくつかの実施形態では、ターゲット表面構成要素、コアバッキング構成要素、またはそれらの組合せは、コアバッキング構成要素、ターゲット表面構成要素、またはそれらの組合せの裏面に結合または配置された少なくとも１つの表面区域フィーチャを有し、表面区域フィーチャはターゲット表面構成要素の冷却効率を増大させる。ａ）表面材料を含むターゲット表面構成要素を供給するステップと、ｂ）結合表面、裏面、および少なくとも１つの開いた区域を有するコアバッキング構成要素を供給するステップと、ｃ）結合表面をターゲット表面構成要素の少なくとも一部に結合するステップであって、ターゲット表面構成要素の少なくとも一部がコアバッキング構成要素の少なくとも１つの開いた区域に嵌合するステップとを含むスパッタリングターゲットを形成する方法も説明される。 （もっと読む）

【課題】安価で十分な機械的強度を有するバッキングプレートを提供する。
【解決手段】本発明は、スパッタリングターゲットを保持するためのバッキングプレートであって、銅からなる電極用プレート２Ｃと、ステンレスからなる補強用プレート２Ｓとを接合して積層させた本体部２を有する。本体部２には冷却水を循環させるための水路４が設けられ、電極用プレート２Ｃがスパッタリングターゲット３を保持する側に配置されている。水路４は、その内部空間が電極用プレート２Ｃと接触するように、補強用プレート２Ｓに設けられている。 （もっと読む）