【課題】スパッタリング装置の省スペース化と高スループット化を図る。
【解決手段】複数のカソード６０ａ〜６０ｃを有し、基板１２の被成膜面１２ａと対向する位置に、中心軸回りに回転可能に設けられており、各カソード６０ａ〜６０ｃにそれぞれ取り付けられたターゲット７０ａ〜７０ｃから、前記中心軸回りの回転により、前記基板１２の被成膜面１２ａに対向させるターゲット７０ａ，７０ｂ又は７０ｃを選択可能な支持体５０と、前記基板１２の被成膜面１２ａとの対向方向に設けられた開口部８０ａを残して、前記支持体５０の周囲を囲んでいると共に、前記支持体５０の回転と連動した回転と該連動の解除とが可能に設けられたシールド８０との組み合わせを複数組備えたスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】交流電源が接続されたターゲット対を複数並設し、異なる交流電源に接続された相互に隣接するターゲット間の出力電位差を原因とするグロー放電の揺らぎを抑えて安定したプラズマ雰囲気を形成するとともに、異常放電が生じた場合に発生する大きなアークエネルギーを抑えることができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】並設したターゲット対のうち、異なる交流電源に接続された相互に隣接するターゲット間の出力を比較し、出力電位差が所定値を超えた場合に、上記交流電源の出力を調整して出力電位差を上記所定値以下に収束させる薄膜形成方法とこの薄膜形成方法を実施する薄膜形成装置を提供する。
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【課題】マルチカソード大面積ＰＶＤ装置用の冷却暗部シールドが開示されている。
【解決手段】マルチカソードシステムについては、近接するカソード／ターゲット間に暗部シールドがあると有益である。シールドは接地してもよく、スパッタリングプラズマ内に存在する電子の接地経路を提供する。シールドは近接するターゲット間にあるため、接地されたシールドは、アノードとして作用することにより処理空間内で均一なプラズマの形成に寄与する。チャンバ内の温度は処理温度とダウンタイム温度の間で変動するため、シールドは膨張及び収縮する。シールドを冷却すると、膨張及び収縮の可能性が減じ、生じる恐れのあるフレーキングの量を減じる。シールドの表面をエンボス加工すると、シールドに蒸着する材料の量が減じ、シールドの膨張及び収縮が制御される。 （もっと読む）

【課題】物理気相蒸着（ＰＶＤ）装置とＰＶＤ法を開示する。
【解決手段】ターゲットと基板との間の処理空間にアノードを延ばすことで、基板への堆積の均一度が上昇する。アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく、処理空間全体にわたって均一に分散させる。プラズマ内で電子を均一に分散させることで、基板上に材料が均一に堆積される。アノードを冷却液で冷却してアノードの温度を制御し、剥離を軽減してもよい。アノードは処理空間全体にわたって、スパッタリングターゲットの背面全体を二次元方向に走査するマグネトロンの長辺に直角に配置してもよい。走査マグネトロンによりアノードの局所的な加熱が軽減される。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜製造時の物理的なダメージを抑制し、残留能力が小さく良好な結晶性を有し、透明性及び導電性等の性状に優れたＺｎＯ透明導電膜、及びその低コストで効率の良い製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯを主材料として、アルミニウム及びフッ素を共ドープすることによりＺｎＯ透明導電膜を構成する。このＺｎＯ透明導電膜は、基板を配置した陽極と、Ａｌ_２Ｏ_３を含有するＺｎＯとＺｎＦ_２をターゲットとして配置した陰極の間にメッシュ状のグリッド電極を設け、陰極に高周波電力を印加することにより基板上に形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、概して、１つ以上のガス導入管を隠す１つ以上の冷却アノードを含み、冷却アノードとガス導入管の両方が、スパッタリングチャンバ内で、１つ以上のスパッタリングターゲットと１つ以上の基板の間で画定された処理空間にまたがっている。ガス導入管は、ガス出口を有しており、導入されたガスが、１つ以上の基板から離れる方向に向いている。ガス導入管は、酸素等の反応性ガスを、スパッタリングチャンバに導入し、反応性スパッタリングによりＴＣＯフィルムを堆積する。複数工程のスパッタリングプロセス中、ガスフロー（即ち、ガスの量とガスの種類）、ターゲットと基板の間の間隔及びＤＣ電力を変更して所望の結果を得る。
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【課題】 方向性及び無方向性のプロセス・ステップを統合し、その結果、得られるシリサイドが最小限のシート抵抗を有し、かつパイプ欠陥を回避する、ニッケル堆積プロセス及びツールを提供すること。
【解決手段】 無方向性及び方向性の金属（例えば、Ｎｉ）堆積ステップが同一のプロセス・チャンバ内で実行される、方法及び装置が提供される。第１のプラズマは、ターゲットから材料を取り出すために形成され、材料のイオン密度を増大させる第２のプラズマは、ＲＦ発生器に接続された環状電極（例えば、Ｎｉ環）の内側に形成される。材料は、第２のプラズマ及び基板への電気的バイアスが存在しない場合、基板上に無方向性の堆積をされ、第２のプラズマが存在し、基板に電気的にバイアスがかけられている場合、方向性の堆積をされる。堆積された金属から形成されるニッケルシリサイドは、方向性プロセスのみで堆積された金属から形成されるＮｉＳｉよりも、ゲートポリシリコンの低シート抵抗を有し、より低いパイプ欠陥密度を有することができ、かつ無方向性堆積のみで堆積された金属から形成されたＮｉＳｉよりも低いソース／ドレイン接触抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着とエッチングを組み合わせる同時的および連続的な処理における均一なプラズマ処理に寄与するように、プラズマを生成および調整する。また、ｉＰＶＤにより、高アスペクト比の被覆性に対し、均一なプラズマ処理を提供する。
【解決手段】開口端が処理スペースに面する状態で、中空体をチャンバ軸の上に位置決めすることによって、処理チャンバの軸へのピークに対する傾向を持ったプラズマ分布の均一性が改善される。中空体は中央から離れたプラズマの分布を制御し、プラズマの中央への配置を可能にする。中空体の幾何学構成は、所与の状態にプラズマを均一化ならしめるよう最適化できる。同時的および連続的なエッチングとｉＰＶＤ処理のような、組み合わせられた蒸着とエッチング処理において、中空体はエッチングのための均一なプラズマを提供する一方で、蒸着のために蒸着パラメータを最適化することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。
【解決手段】一般に、本発明の様々な側面はフラットパネルディスプレイ処理、半導体処理、太陽電池処理、又はその他あらゆる基板処理に使用できる。１の態様において、処理チャンバは、陽極の表面積を増やして、それを処理チャンバの処理領域全体により均一に分布させるために使う１又は複数の陽極アセンブリを含む。１の態様において、陽極アセンブリは、導電部材と導電部材支持部とを含む。１の態様において、処理チャンバは、処理チャンバから大型の要素を取り外さなくても、導電部材を処理チャンバから取り出せるようになされている。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素膜の成膜速度を向上し得、非晶質炭素膜を高速で成膜し得る非晶質炭素膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 アンバランストマグネトロンスパッタリング蒸発源を２個以上、または、アンバランストマグネトロンスパッタリング蒸発源および磁場印可方式のアーク放電式蒸発源を各々１個以上設け、これらの蒸発源の中、少なくとも１個のアンバランストマグネトロンスパッタリング蒸発源のスパッタリングターゲット材に固体炭素を用い、雰囲気をスパッタ用不活性ガスと炭素含有ガスの混合ガス雰囲気とし、非晶質炭素膜を成膜する非晶質炭素膜の成膜方法であって、前記蒸発源のそれぞれの磁場を隣の蒸発源の磁場と逆極にし、且つ、前記アンバランストマグネトロンスパッタリング蒸発源に周波数５０〜４００ＫＨｚのパルス電位を付与することを特徴とする非晶質炭素膜の成膜方法等。 （もっと読む）

【課題】 装置本体のチャンバー部大きくなるか又は、２室以上の真空槽必要となる為、装置が大型化したり、装置費用が高額になるというコストの問題が発生していた。
【解決手段】 円筒状のターゲットユニットにおいて２種以上の膜形成を行なう為に、円筒状のターゲットを連なって配置し、円筒状のカソード電極及び、アノード電極を共にスムースさせてプラズマを発生させる事により、従来１元ごとに構成していたターゲットユニットを簡略化することで、装置コストを大幅に削減する事が可能になる。 （もっと読む）

本発明は、工作物をプラズマ処理および／またはコーティングするためのデバイスに関する。前記デバイスは、真空排気可能なチャンバ（２）と、チャンバ（２）内に回転可能に装着されている処理対象の工作物用の保持装置（３）と、プラズマ源（４）とを備える。本発明の目的は、デバイスのサイズと比較した場合、比較的大型の工作物を処理することができるデバイスを提供することである。本発明は、プラズマ源（４）がチャンバ（２）内に配置されることを特徴とする。この目的のために、プラズマ源（４）の少なくとも１つのカソード（５）および少なくとも１つのアノード（６）が、チャンバ（２）内の頂部または底部（７，８）のところに位置する。
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【課題】 複数のスパッタリングターゲットを備えたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係るスパッタリング装置は、被成膜基板１３にスパッタリングにより薄膜を成膜するスパッタリング装置であって、真空容器１０と、前記真空容器１０内に配置された第１乃至第３のスパッタリングターゲット２４〜２６と、前記第１乃至第３のスパッタリングターゲット２４〜２６それぞれに高周波電流を出力する高周波電源３３〜３５と、前記真空容器内に配置され、被成膜基板を保持するサセプタ１４と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な生産性で、全面にわたって均一かつ目的とする電気特性および光学特性を有する透明導電膜を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺な可撓性の基板にスパッタリングで透明導電膜を成膜するに際し、放電によって生じる発光を前記基板の幅方向の１０００ｍｍに１カ所以上の間隔で測定し、この測定結果に応じて、前記発光測定点に対応する領域毎に独立して反応ガスの導入量を調整して、前記基板を長手方向に搬送しつつ、基板に透明導電膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】長尺にスパッタリングで成膜を行うに際し、密着性および強度に優れ、かつ、ピンホール等のない表面性状が良好な薄膜を安定して成膜することができる成膜方法、および、これに最適な成膜装置を提供する。
【解決手段】パルス電力を印加できる複数の放電電源とターゲットを有するカソードを複数組み合わせて、前記基板を長手方向に搬送しつつ、少なくとも２以上のカソードを２つ以上のグループに分割し、各カソードのターゲットに対応させて所定の周波数のパルス電圧を印加して前記基板に薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 蒸着面が汚染されることがなく、それ故蒸着不良による品質の低下がなく、また在庫管理も格別に必要としない、表面に薄膜を有する成形品の成形方法を提供する。
【解決手段】
固定側金型（２）と、スライド金型（１５）とを使用して、第１の成形位置で第１の基板（Ｋ１）を、第２の成形位置で第２の基板（Ｋ２）を成形する。そして、第２の基板（Ｋ２）を成形中にその前に成形された第１の基板（Ｋ１）の表面に蒸着し、第１の基板（Ｋ１）を成形中にその前に成形された第２の基板（Ｋ２）の表面に蒸着する。このとき、内部にターゲット電極、基板電極、真空吸引管等の蒸着要素が設けられている蒸着用チャンバー（２５）により、スライド金型（１５）の凹部（１６、１７）に残っている状態の基板を覆って、金型内で蒸着条件を出して蒸着する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム蒸着による金属薄膜の形成において、２次電子等の被成膜面への到達を防止すると共に、陽イオンの被成膜面への到達を防止して、金属薄膜が帯電状態になることを回避する。
【解決手段】 基板１の被成膜面１ａに電子ビーム蒸着によってＡｌ等の金属薄膜を形成する成膜装置であって、成膜源２内に収容された金属材料３に電子ビーム発生器（電子銃）より電子ビームＥ_Ｂを照射させる電子ビーム照射手段４を備えると共に、成膜源２への電子ビーム照射によって発生する電子Ｅｓ及び陽イオンＰｏの進行軌道を被成膜面１ａへ到達しないように変更する電荷軌道変更手段５を備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板全体に広範にバイアス電圧を印加することができるとともに、不純物の発生及び成膜装置用基板台の減耗を防止することができる、成膜装置用基板台、成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 絶縁体で構成され、基板が保持される保持面を有する保持台１と、保持台１の保持面に露出して配置された電極片２と、保持台１内を貫通して、電極片２に接続された導体９と、を備えている。 （もっと読む）

本発明によって、連続モードの動作で絶縁材料をスパッタリング堆積する装置（１）が提供される。この装置は、少なくとも２つのスパッタリングアノード（１１、１２）および１つのカソード（４）とを有し、このカソード（４）は、プラズマに対して負電位にターゲットカソードを維持するために、センタタップ付き導体に接続されている。ここで、交流電源（１４）は、各アノード（１１、１２）を交互に、スパッタリングアノード（１１、１２）がプラズマに対して負である半サイクルにおいてイオンを引き付ける、イオン収集状態と、スパッタリングアノード（１１、１２）がプラズマ（２）電位またはプラズマ（２）電位に比較的近い小さな電位である半サイクルにおいて電子を引き付ける、電子収集状態とを交互に駆動する。代替の実施形態において、センタタップ付き導体は、一対の直列接続ダイオードと置換される。
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【課題】従来試みられることのなかった新規な方法で担体に触媒材料を担持してなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに該触媒構造体を用いた水素の貯蔵及び発生方法を提供する。
【解決手段】担体表面に反応性スパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 （もっと読む）