【課題】簡単な構成で、簡単な制御で、逆スパッタの防止による膜の高品質化、組成ズレの制御および成膜の再現性向上を図り、膜質の変化のない高品質な圧電膜、絶縁膜や導電体膜などの薄膜を成膜することができるスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、ターゲット材を保持するスパッタ電極およびスパッタ電極と対向離間配置され、基板を保持する基板ホルダを有し、さらに基板ホルダのインピーダンスを調整するための調整可能なインピーダンス回路を備えるインピーダンス調整回路とを有し、インピーダンス回路のインピーダンスが調整されることにより、基板ホルダのインピーダンスが調整され、基板の電位が調整されることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対してターゲット表面を任意の角度で傾斜することができ、材料に適した傾斜角度を見出し、良質の薄膜を再現性良く作製し、生産に結びつけることができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１１内に配置されたターゲット電極１２及び基板ホルダ１３と、ターゲット電極１２に保持されたターゲット１４と、基板ホルダ１３に保持された基板１５と、真空チャンバ１１の内外に跨り且つ軸線Ｏ１を中心として回転可能な導入パイプ１６と、導入パイプ１６の先端とターゲット電極１２とを接続すると共にターゲット１４を基板１５に対して傾斜状態で対向させるエルボパイプ１７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同時スパッタ数の多い多元スパッタリング装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板とターゲット電極との間に、第１及び第２のシャッター板を設け、該シャッター板によって対象となるターゲットと基板との間を遮断してプリスパッタ工程を行う。また、本スパッタ工程に移行する際に、第１及び第２のシャッター板を適宜回転させて、該シャッター板に設けた貫通孔を重ねることで対象となるターゲットと基板との間を開放して本スパッタ工程を行う。 （もっと読む）

【課題】装置小型化やコスト削減化に伴い、カソード面に対するアノード面の面積比率が小さくなり、さらに処理の高速化により、短期間でアノード面のすべてを絶縁膜が覆ってしまい、アノード面への電子の流れが阻害されて放電が安定に持続しなくなってしまうことを防止することにより、安定した放電を長時間にわたって持続可能なスパッタ装置を提供する。
【解決手段】アノード体１３及びターゲット１１によって囲まれる放電空間に臨んでターゲット１１に対向される成膜対象物に絶縁膜をスパッタ成膜するスパッタ装置であって、アノード体１３の内壁面の放電空間に対する露出面を遮蔽体１４により変化させる。 （もっと読む）

【課題】基板への被覆層が、長い時間期間に亘って良好な安定性を有し、その上、その層の特性、例えば、シート抵抗及びシート均一性が改善された装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２には、ｎ個のカソード７−１０と、各々カソード７−１０に隣接したｎ＋１個のアノード２８−３２と、が配置される。上記ｎ個のカソード７−１０の各々及び上記アノードのうちの、ｎ個の割り当てられたアノード２９−３２は、電力供給源１１−１４に接続される。上記アノードのうちの、カソード７−１０に割り当てられていない１つのアノード２８は、上記アノード２８−３２の各々を接続している電気ライン６３に接続される。プルダウン抵抗器３４の一端が上記ライン６３に接続され、そのプルダウン抵抗器３４の他端が接地３３に接続される。 （もっと読む）

少なくとも１つのコイル、少なくとも１つのコイルセット、少なくとも１つのコイル関連装置、少なくとも１つのターゲット関連装置、またはそれらの組合せを含む蒸着装置を本明細書において説明する。ここでは、少なくとも１つのコイル、少なくとも１つのコイルセット、少なくとも１つのコイル関連装置、少なくとも１つのターゲット関連装置、またはそれらの組合せは表面を有し、表面の少なくとも一部分は規則的な深さパターンを有する。また、コイル、コイルセットまたはコイル関連装置、少なくとも１つのターゲット関連装置の製造方法も本明細書で開示され、この製造方法は、少なくとも１つのコイル、少なくとも１つのコイルセット、少なくとも１つのコイル関連装置、少なくとも１つのターゲット関連装置、またはそれらの組合せを用意するステップであって、少なくとも１つのコイル、少なくとも１つのコイルセット、少なくとも１つのコイル関連装置、少なくとも１つのターゲット関連装置、またはそれらの組合せが表面を有する、ステップと、パターン成形工具を用意するステップと、表面の少なくとも一部分に規則的な深さパターンを形成するためにパターン成形工具を使用するステップとを含む。
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【課題】ターゲットの使用効率を向上させる成膜源、スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット２１には孔２６が形成され、磁石装置２０は磁石移動装置４により、ターゲット２１の孔２６の周囲を移動する。従って、磁石装置２０により形成されるエロージョン領域は、孔２６の周囲に形成され、非エロージョン領域になるべき部分にはターゲット２１が存在しないから、ターゲット２１の使用効率が高い。孔２６の底面上には接地電極２５が配置されているから、孔２６の内部に露出する部材がスパッタリングされない。 （もっと読む）

直流電力供給装置を用いるプラズマベースのスパッタリング堆積の装置と方法が開示される。一実施形態において、プラズマは、複数の電極を電流の供給装置に接続することによって発生され、プロセシングチャンバー内の複数の電極の各々に印加される電圧の極性は、複数の電極の少なくとも一つの電極が材料を基板上にスパッタリングするように周期的に逆転される。そして、複数の電極の少なくとも一つの電極に印加される電力の量は、調節されることにより、静止した基板上に材料を所望の特質を備えて堆積する。一部の実施形態において、基板は、プロセシングの間、チャンバー内に静的に配置される。そして、多くの実施形態は、堆積の状態を示すフィードバックを利用することにより、一つ以上の電極に印加される電力の量を調節する。
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【課題】大サイズの基板に透明導電膜を成膜するスパッタ装置において、棒状電極がその自重による撓み及び基板の枚数増加に伴いう電極に堆積する透明導電膜の応力による撓みを抑制して膜厚分布の均一性を確保するスパッタ装置の提供にある。
【解決手段】
基板１３を垂直方向に対し傾けて立てた状態で透明導電膜１４を成膜し、ターゲット１１と棒状電極１２を備えたチムニーが前記基板１３と平行に配置されたスパッタ装置において、前記棒状電極１２の上端が固定され、その下部が電極保持部２１に穿設された棒状電極の径より大きめの貫通孔２２を通り、前記電極保持部２１と下端に固定されたバネ押さえ板２３とで挟まれたコイル状の圧縮バネ３０を設けたスパッタ装置１である。 （もっと読む）

【課題】電子電流が増加した際に高電圧側にシフトする基板電流の飽和領域を、低電圧側へシフトさせ、低温でスパッタリングできるようにする。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング成膜装置は、気密な処理室９と、処理室９内に配設され、且つ基板８を支持する第１保持部材１０と、処理室９内に配設された第２保持部材１１と、第２保持部材１１に保持されたターゲット７と、ターゲット７の裏面側中央部に配設され該ターゲット７の裏面に一方の磁極が向けられた中心磁石１と、ターゲット７の裏面側外周縁部に配設され該ターゲットの裏面に他方の磁極が向けられた複数の外周磁石２と、コイル５と、コイル５に高周波電力を付与する高周波電力付与手段１３と、コイル５と基板８間に配置された陽極部材２０と、陽極部材２０に電力を付与する陽極電力付与手段と、ターゲット７及び基板８間に電力を印加する電力印加手段１８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ヘリカル磁気共振コイルを利用したイオン化物理的気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】処理基板を支持する基板ホルダを有した工程チャンバと、工程チャンバに基板ホルダと対向するように設けられて処理基板上に蒸着される物質を提供する蒸着物質ソースと、工程チャンバ内部に工程ガスを注入するためのガス注入ユニットと、基板ホルダにバイアス電位を印加するためのバイアス電源と、工程チャンバ内部に蒸着物質をイオン化させるためのプラズマを発生させ、一端は接地されて他端は電気的に開放されたヘリカル磁気共振コイルと、ヘリカル磁気共振コイルにＲＦ電力を供給するためのＲＦジェネレータとを備えるイオン化物理的気相蒸着装置である。これにより、ヘリカル磁気共振コイルにより非常に低い圧力下、例えばほぼ０．１ｍＴｏｒｒでもプラズマの点火及び保持が可能であり、従来に比べて高密度のプラズマを効率的に発生させられるので、蒸着物質のイオン化率が高まるようになる。 （もっと読む）

【課題】回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転自在とされた円筒状ターゲット１３を有し、前記円筒状ターゲット１３の内側に設けられ、その長さ方向に沿って配置された磁場発生部材１４を有するスパッタ蒸発源２の一対と、前記一対のスパッタ蒸発源２のそれぞれの円筒状ターゲット１３を共にカソードとしてこれらに放電電力を供給するスパッタ電源３を備える。前記一対のスパッタ蒸発源２，２は、それぞれの円筒状ターゲット１３が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材１４，１４は円筒状ターゲット１３，１３の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。 （もっと読む）

【課題】 形成する膜の物性を容易に制御でき、また、生産性良く膜の形成が可能な制御性の良い成膜装置を提供する。
【解決手段】 膜を形成すべき基板５をアノード電極３に載置し、反応室１中に原料ガスを供給し、前記アノード電極３と、該アノード電極３に対向して配置してあるカソード電極４との間に高周波電圧を印加して原料ガスのプラズマを発生させ、制御部９を用いて駆動部８を制御することによって、成膜中にカソード電極４をアノード電極３に接近又は離隔させる。 （もっと読む）

【課題】陽極に形成された反応生成物を取り除くことができるシートプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明のシートプラズマ装置１００は、内部を減圧可能な減圧容器６０と、プラズマガン１０と、減圧容器の内部においてプラズマを受ける平板状の陽極５１と、減圧容器の一部を成すように形成され、その内部に円柱状のプラズマ２２を流動させかつこの円柱状のプラズマをシート状のプラズマ２７に変形させるシートプラズマ変形槽２０と、減圧容器の一部を成すように形成された成膜槽３０と、陽極を回転させる回転機構７５と、陽極の背後にかつ円柱状のプラズマの中心軸２２Ａ上に配置された永久磁石５２と、シート状のプラズマと離れた位置に陽極の前面に対向するように配置された清掃部材７６と、清掃部材を陽極に押し付ける押付機構８１と、清掃部材とシート状のプラズマとの間に配置された遮蔽板８２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の材料の混合物から構成され、かつ、予め決められた屈折率を有する層を堆積させるための方法およびスパッタ堆積システムを提供する。
【解決手段】スパッタ堆積システムは、単一のＤＣ電源によって電力が供給される、それぞれ異なる組成を有するターゲット材料からなる複数のターゲット陰極を備えている。複数の材料の混合物から構成される層を基板に堆積させるために、複数のターゲット陰極が共スパッタされる。層の複合屈折率は、複数のターゲット陰極の動作パラメータを調整することによって制御される。適切な動作パラメータには、陰極電力、陰極電圧、陰極電流、陰極サポートと基板の間の角度、および反応性ガスの流量がある。 （もっと読む）

基板堆積のためのシステムを提供する。このシステムはウェハパレット及びアノードを含む。ウェハパレットは下部及び上部を有する。ウェハパレットの上部は基板ウェハを保持するように構成される。アノードはウェハパレットに対して実質的に固定した位置を有し、堆積チャンバを通ってウェハパレットと共に移動するように構成される。アノードは基板ウェハから電気的に絶縁される。 （もっと読む）

【課題】被堆積面がダメージを受け難くかつ膜組成の変更が容易なマグネトロンスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、各々が方向５１に延びた形状を有するターゲット部２１および２２を方向５２に並べてなりかつターゲット部２１および２２は組成が異なるスパッタリングターゲット２と、カソードマグネット１１と、基板３と、枠体１４１とこれに支持されたトラップマグネット１４３ａおよび１４３ｂとを備えたスパッタリングトラップ１４とを、ターゲット２と基板３とが枠体１４１の開口部１４２を挟んで向き合いかつターゲット２がカソードマグネット１１と基板３との間に介在するように配置し、カソードマグネット１１がターゲット部２１および２２と順次向き合うようにカソードマグネット１１をターゲット２に対して方向５２に相対的に移動させながらマグネトロンスパッタリング法により基板３上に膜を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】大幅な装置構成の変更や、処理条件の変更を要することなく、処理レート分布を制御可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電源と、放電空間に臨んで設けられ、電源から電力が印加されるカソード体と、互いに絶縁分離されて放電空間に臨んで設けられた複数のアノード体と、を備え、各々のアノード体を介して放電空間の外部に流れる電流の経路のうち少なくとも２つの経路間でコンダクタンスを異ならせた。 （もっと読む）

真空被覆装置が、被覆チャンバ（２）と、該被覆チャンバ（２）内に配置された２つまたはそれ以上のマグネトロンスパッタ源（３）またはアーク蒸発源と、サブストレート（４）を保持するためのサブストレート担体（６）と、真空ポンプ（８）と、電圧源（１５，１６，１７，１８，１９）とを有する。個別のアノード（５）が被覆チャンバ（２）内でカソード（３）の間に中央で配置されており、サブストレート（４）はアノード（５）とカソード（３）との間に配置されている。アノード（５）とカソード（３）との間でそれぞれ、プラズマ（１４）を伴うガス放電が点弧される。サブストレート（４）は定置して保持されるか、または１つまたは複数の軸を中心に回転され、その際にプラズマ（１４）に曝される。
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【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 （もっと読む）