【課題】磁界によって感度が変化する真空計の測定子を、磁界中の最適位置に配するように構成された真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１００は、真空ポンプ３６により内部が減圧された真空処理室３０と、真空処理室３０内に磁界を形成する一対の磁界形成手段３２、３３と、真空処理室３０内の圧力を測定できる真空計５０と、を備え、真空計５０の測定子は、磁界形成手段の対３２、３３の一方による磁界の強度が、磁界形成手段の対３２、３３の他方による磁界の強度によって相殺される取り付け空間に配されている。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス性を損なうことなく、従来のスパッタリング装置に比べて省スペース化を図れるスパッタリング装置、このスパッタリング装置に用いるターゲット組立ユニットを提供する。
【解決手段】ターゲット組立ユニット１１０は、スパッタリング用のターゲット３６と、ターゲット３６の裏面に接触しているバッキングプレート３５と、を備える。平面視において、バッキングプレート３５は、ターゲット３６が接合された接合部３５Ｂと、接合部３５Ｂを囲む環状の周縁部３５Ａと、によって構成され、バッキングプレート３５の周縁部３５Ａの外形は、バッキングプレート３５の中心を通る仮想直線２００に平行な直線部３５Ｎと、直線部３５Ｎの両端から延びる曲線部３５Ｗとによって形作られており、バッキングプレート３５の直線部３５Ｎでの幅寸法Ｌ１が、バッキングプレート３５の仮想直線２００上での幅寸法Ｌ２よりも短い。 （もっと読む）

付着チャンバをｉｎ−ｓｉｔｕプラズマ洗浄する方法および装置が提供される。一実施形態では、真空を中絶させることなく付着チャンバをプラズマ洗浄する方法が提供される。この方法は、付着チャンバ内に配置されたサセプタであり、電気的浮動状態にある付着リングによって周囲を取り囲まれたサセプタ上に基板を配置すること、付着チャンバ内の基板上および付着リング上に金属膜を付着させること、付着リング上に付着した金属膜を、真空を中絶させることなく接地すること、ならびに付着チャンバ内に形成されたプラズマによって、付着リング上の接地された金属膜を再スパッタすることなく、かつ真空を中絶させることなしに、付着チャンバから汚染物質を除去することを含む。 （もっと読む）

【課題】成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることを目的とする。
【解決手段】チャンバと、第１の材料で形成された第１のターゲットをチャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、第２の材料で形成された第２のターゲットをチャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、成膜処理時に第１のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面に第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、コーティング処理時に第２のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面以外の部分の第１の材料を覆うように第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備える。 （もっと読む）

【課題】機械の運転時における材料経費が低減されるコーティング機及びコーティング機の動作方法を提供すること。
【解決手段】スパッタリングによって基板をコーティングするためのコーティング機はプロセスチャンバを備えており、プロセスチャンバ内では、基板をコーティングするために、ターゲット３，３’からターゲット材料を基板の方向にスパッタ可能である。コーティング機は、ターゲットをプレスパッタするためにスパッタ方向Ｓから離れるように向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるとともに、ターゲットから材料をスパッタすることによって基板をコーティングするために基板に向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるための手段を特徴としている。アライメントの変化は、例えば、フラットカソード２，２’の長軸を中心に９０°又は１８０°の角度にわたってカソードを回転させることにより行なわれてもよい。 （もっと読む）

【課題】 基体に対するターゲットの角度を調整する。
【解決手段】
スパッタリング装置は、ターゲット１２ａ，１２ｂ，１２ｃが取り付けられる回転自在な回転部材２０と、接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃと、給電端子２２と、を有している。接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、回転部材２０の回転軸１０に沿った方向における回転部材２０の端部に配置し、ターゲットと電気的に接続される。給電端子２２は、接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃを介してターゲット１２ａ，１２ｂ，１２ｃに電力を供給する。そして、給電端子２２が回転部材２０の端部に接触した状態で、回転部材２０が回転することで、給電端子２２と接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃとの導通または絶縁が切り替わる。 （もっと読む）

閉ドリフトイオン源の電気絶縁アノード電極に電子を供給するステップを含む、基板の表面を改質するプロセスが、提供される。アノード電極は、正のアノード電極帯電バイアスを有するが、閉ドリフトイオン源の他の構成要素は、電気的に接地され、または電気的浮動電圧を保持する。電子は、イオン形成を誘導する閉ドリフト磁場と交差する。アノード汚染は、ガスの存在下で電極帯電バイアスを負に切り替えることによって防止され、プラズマが、アノード電極の近傍に生成され、アノード電極から汚染堆積物を浄化する。次に、電極帯電バイアスは、反復電子源の存在下で正に戻され、反復イオン形成を誘導し、基板の表面を再び改質する。このプロセスによって基板の表面を改質する装置が、提供される。
（もっと読む）

【課題】プラズマアシスト源を用いたイオンプレーティング法による成膜を行いながら、第３元素を膜中に添加することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜空間に所定ガスのプラズマ105を生成し、成膜材料12の蒸気をプラズマ105を通過させた後、基板14上に堆積させることにより圧電膜を成膜する。圧電膜に添加すべき元素を含む部材16をプラズマ105から所定の距離に配置し、部材16に所定のバイアス電圧を印加することにより。プラズマ105により部材16をスパッタリングし、スパッタ蒸発した元素を圧電膜に添加する。 （もっと読む）

【課題】第１部材と第２部材とを締結部材を用いて締結する際にこれらの間に介在された部材（すなわち絶縁フランジ）が破壊されるのを防止する。
【解決手段】真空成膜装置１０の一部を構成する絶縁フランジ構造Ｆ１は、「第１部材」としての中間電極４８と「第２部材」としての第１筒状部２６とを絶縁性を確保しつつ接合するものであり、絶縁性を有し、中間電極４８と第１筒状部２６との間に配設された環状の絶縁フランジ５６と、絶縁フランジ５６よりも弾性が高く、かつ、靭性が高い材料によって形成され、中間電極４８および第１筒状部２６のそれぞれと絶縁フランジ５６との間に隙間Ｇを確保するようにしてこれらの間に配設された環状の弾性フランジ５８ａ，５８ｂと、中間電極４８と第１筒状部２６とを絶縁フランジ５６を介して締結するボルト６２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング堆積膜のカバレッジ性を適切かつ充分に改善できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、基板７０およびターゲット３５Ｂが配された真空成膜室３０と、基板７０とターゲット３５Ｂとの間の真空成膜室３０の成膜空間３０Ａにプラズマ２７を誘導するプラズマガン４０と、成膜空間３０Ａに配された偏向電極６０と、偏向電極６０に正電圧を印加する第１電源５０と、ターゲット３５Ｂに負電圧を印加する第２電源５２と、を備える。そして、このような正負電圧に基づいて、プラズマ２７からターゲット３５ＢにドリフトするＡｒ⁺のターゲット３５Ｂへの入射方向が制御されている。 （もっと読む）

スパッタリング装置は，少なくとも１つの側壁と，基板と，覆部とによって形成された真空チャンバーと，真空チャンバー内に配置された面を有する少なくとも１つの第１の電極と，真空チャンバー内に配置された面を有する対向電極と，高周波発生器とを備える。高周波発生器は，少なくとも第１の電極と対向電極間でプラズマを点火するように第１の電極と対向電極へ高周波電場を印加するよう構成されている。対向電極は，真空チャンバーの側壁及び／または基板の一部及び付加的な導電部材を備える。この付加的な導電部材は互いに一般的に平行に配置されると共に互いにある距離離隔した少なくとも２つの面を有している。 （もっと読む）

【課題】高周波スパッタリング装置の自己バイアスを制御する手法により高品質の磁気抵抗薄膜を提供する。
【解決手段】基板電位を調整することで基板に対する自己バイアスの制御を行うために、本発明に従った高周波スパッタリング装置は、チャンバと、チャンバの内部を排気する排気手段と、チャンバ内にガスを供給するガス導入手段と、基板載置台を備える基板ホルダと、基板ホルダを回転させることが可能な回転駆動手段と、ターゲット載置台を備えるスパッタリングカソードであって、基板載置台の表面とターゲット載置台の表面とが非平行となるように配置されることを特徴とするスパッタリングカソードと、基板ホルダ内部に設けられた電極と、電極と電気的に接続されており基板ホルダ上の基板電位を調整する可変インピーダンス機構と、を有する。 （もっと読む）

【課題】透明な基板上に光学特性に応じた膜層を形成する際に、膜厚さが漸減するグラデーション領域層を安定してバラツキなく同時に反射特性に優れた減光フィルタの提供する。
【解決手段】基板と、前記基板に異なる物質をスパッタリングして積層状に形成された金属膜層と誘電体膜層から構成されるグラデーション層を形成して成り、前記金属膜層と前記誘電体膜層は共に前記基板に対し勾配角を有し、しかも前記誘電体膜層の勾配角は前記金属膜層の前記基板との勾配角に対し小さく、且つ前記金属膜層形成領域内でほぼ均一な膜厚さを形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ状態を安定させ、かつ、好適な成膜条件によって、良質な膜を成膜できる成膜装置および成膜方法、これらによって成膜した圧電膜、および、この圧電膜を用いる液体吐出装置を提供することにある。
【解決手段】真空容器と、ターゲットホルダと、基板ホルダと、アノードとを有し、前記アノードは、前記基板ホルダの外周を取り囲むように設けられた筒状部材と、前記筒状部材の内周面に、前記基板ホルダと直交する方向に互いに離間した状態で取り付けられ、かつ、前記成膜用基板よりも大きい中心開口を持つ環状である複数枚の板状部材とを有し、前記真空容器内に前記ガスを導入し、前記ターゲットホルダと基板ホルダとの間に、電圧をかけてプラズマを生成し、前記成膜用基板上に前記成膜材料の薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ状態を安定させ、かつ、好適な成膜条件によって、良質な膜を成膜できる成膜装置および成膜方法、これらによって成膜した圧電膜、および、この圧電膜を用いる液体吐出装置を提供することにある。
【解決手段】真空容器と、ターゲットホルダと、基板ホルダと、ターゲットホルダと基板ホルダとの間に、プラズマ中のイオンを補足するために、基板ホルダのターゲットホルダ側の外周を取り囲むように設けられたアノードとを有し、アノードは、板状部材を１枚または複数枚重ねたものであり、真空容器内にガスを導入し、ターゲットホルダと基板ホルダとの間に、電圧をかけてプラズマを生成し、成膜用基板上に成膜材料の薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】装置を拡大することなく、かつ、アノードの簡便なクリーニングのみで、安定したプラズマ放電を実現し、安定した膜質お薄膜を成膜することのできる成膜装置および成膜方法、並びに、これらによって成膜した圧電膜を用いる液体吐出装置を提供する。
【解決手段】真空容器と、ターゲットホルダと、基板ホルダと、前記ターゲットホルダと前記基板ホルダとの間に、前記基板ホルダの前記ターゲットホルダ側の外周を取り囲むように設けられたアノードとを有し、前記アノードは、複数の貫通孔を持つ板状部材を１枚または複数枚重ねたものであり、前記真空容器内に前記ガスを導入し、前記ターゲットホルダと基板ホルダとの間に、電圧をかけてプラズマを生成し、前記成膜用基板上に前記成膜材料の薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の大きく低ダメージで、かつ、安定した放電が可能なスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空槽２内において基板２０を保持して移動可能な基板ホルダー３と、真空槽２内において第１及び第２のカソード部６、７を有するスパッタ源４と、スパッタ粒子４０を通過させるための開口部１０を有するスリット機構９とを備える。第１のカソード部６は、第１のターゲット２１の粒子放出面２１ａが基板２０の成膜面２０ａに対して対向せず、かつ、第１のターゲット２１の粒子放出面２１ａが基板２０の成膜面２０ａに対して鋭角となるように配置構成され、第２のカソード部７は、第２のターゲット２２の粒子放出面２２ａが基板２０の成膜面２０ａに対して対向するように配置構成され、スリット機構９は開口部１０が基板２０の成膜面２０ａに対向する位置で第１のカソード部６の第１のターゲット２１から放出される低エネルギーのスパッタ粒子４０ａの飛翔領域に配置されている。 （もっと読む）

【解決課題】磁性を有する粉末の表面に、スパッタリング法で種々の金属をコーティングすることができる磁性粉末コーティング用スパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】真空に保持された回転ドラム内で、磁性を有する粉末をスパッタ粒子でコーティングする粉末コーティング用スパッタリング装置であって、半円筒状ケーシングとハウジングとによって形成される半円筒状の空洞部に非磁性でかつ導磁率が１．２以下の特性を有するオーステナイト系ステンレス鋼の粉末が充填され、バッキングプレート、マグネット及び冷却水通路と、ターゲットプレート及び粉末付着防止用スカートとを備えたスパッタリングユニットがハウジングの下側に取り付けられ、ターゲットプレートの表面が装入された磁性粉末に対して回転ドラムの回転中心点よりも遠い位置に設置されており、回転ドラム内に粉末撹拌翼が設置されている。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の成膜後に別な工程を付加することなく透明導電膜にテクスチャを形成することを可能にし、テクスチャを備えた透明導電膜を容易に形成することが可能な透明導電膜の製造装置を提供する。
【解決手段】互いに対面するバッキングプレート（第一電極）２３と基板トレイ２２との間、即ち、ターゲット２４と基板２１との間には、第二電極２７が形成される。この第二電極２７は、例えば、ターゲット２４の周縁と基板２１の周縁とを結ぶ面Ｓによって区画された領域Ｅよりも外側で、側端がこの面Ｓに臨むように配されていれば良い。この第二電極２７は、負電位の電圧が印加するための第二電源１６に接続され、スパッタリング時に負電位の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング現象を用いて基板に薄膜、特に絶縁膜を形成する装置において、プラズマ放電の安定維持の実現、およびプラズマ放電の安定性が崩れることによって引き起こされる放電空間内に配置された構成物のエッチングによる不純物の膜中への混入を防止する。
【解決手段】ターゲット３の裏面に配置された磁気回路の内側磁石５と外側磁石６によって形成される磁場の磁力線５２のうち、ターゲット３に対して垂直方向の成分がゼロとなる点の集合からなる線５３が、対向電極などの機能を有する構造物１０から少なくとも５５ｍｍ以上離れるように構成する。 （もっと読む）