【課題】ターゲットの損傷を防止しつつ、高品質の成膜を実現することができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】内部に配置された基板１３にスパッタによる成膜を行う成膜室１と、成膜室１内に配置されたターゲット２ａ、２ｂの前面側にプラズマを生成するための電源５と、閉じ込め磁場を生成する永久磁石８ａ、８ｂと、成膜室１内に配置されたターゲット２ａ、２ｂの周縁部を覆うリングプレート６ａ、６ｂとを備え、リングプレート６ａ、６ｂは、少なくとも表層部が例えばセラミックスなどの絶縁材料で構成されており、異常放電の原因および発塵源となるスパッタ粒子が、非エロージョン領域でターゲット上に堆積するのを防止でき、ターゲットの損傷を防止しつつ高品質の成膜を実現する。 （もっと読む）

【解決課題】 真空コーティング装置およびナノ・コンポジット被膜を堆積する方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ（３１）と、少なくとも１対の対向カソード（１および４）と、この対向カソードにＡＣ電圧を供給してこれをデュアル・マグネトロン・スパッタリング・モードで動作させる電源（８）とを備え、ＰＶＤコーティングのための少なくとも１のさらなるカソードが真空チャンバ内に提供された真空コーティング装置および方法は、少なくとも１のさらなるカソード（６および／または７）がマグネトロン・カソードとされ、マグネトロン・カソードまたはアーク・カソードに接続可能なパルス化電源またはＤＣ電源の形態としてさらなる電源（４２，４４）が提供されている。 （もっと読む）

【課題】回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転自在とされた円筒状ターゲット１３を有し、前記円筒状ターゲット１３の内側に設けられ、その長さ方向に沿って配置された磁場発生部材１４を有するスパッタ蒸発源２の一対と、前記一対のスパッタ蒸発源２のそれぞれの円筒状ターゲット１３を共にカソードとしてこれらに放電電力を供給するスパッタ電源３を備える。前記一対のスパッタ蒸発源２，２は、それぞれの円筒状ターゲット１３が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材１４，１４は円筒状ターゲット１３，１３の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。前記スパッタ電源は前記円筒状ターゲット間にペニング放電を発生させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置におけるアノード消失を防止する。
【解決手段】処理室２内でターゲットのスパッタリングによって基板１５上に電気的に絶縁物である薄膜を形成するためのスパッタ装置において、処理室２内に、薄膜の原料となるターゲット１０ａ、１０ｂとアノード板２０、２２、２４を備え、ターゲット１０ａ、１０ｂとアノード板２０、２２、２４との間に電圧を印加する電源部１２を備え、アノード板２０、２２、２４の少なくとも一部の表面に、大きさ０．５ｍｍ〜１０ｍｍ、深さ１ｍｍ〜５０ｍｍの穴３０を複数形成することで、スパッタリング中にアノードに電気的な絶縁物が堆積してアノードの導電性を損なうのを防止し、長期に亘って良好なスパッタリングを行うことを可能にする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の１つの酸化物膜の製造方法は、酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅（Ｃｕ）からなる第１ターゲット３０ａ，３０ａとニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種類の遷移元素からなる第２ターゲット３０ｂ，３０ｂとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板１０上に第１酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程、及びその第１酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより第２酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程を含む。従って、この製造方法によって形成された酸化物膜は、大型基板上への膜の形成が容易になることから、量産性に優れている。 （もっと読む）

【課題】スループットの優れた成膜装置、および製造装置を提供する。
【解決手段】一対をなすスパッタリングターゲット１１，１２の間に複数の基板１３を配置して一括に成膜する。ＥＬ層は蒸着装置で形成し、その後の電極層や保護層をスパッタ装置で一括に成膜する。少なくとも一方のスパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行う。なお、少なくとも基板の周縁にはスパッタ成膜を行わないようにマスクを用いて電極層や保護層を選択的に形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い無機配向膜を低コストで形成する。
【解決手段】プラズマ生成領域を挟むように対向配置された２つのターゲット５を備えるスパッタ粒子放出部３と、基板１０を水平方向に搬送する搬送手段６ａを収容する成膜室２と、を備えるスパッタ装置１を用いて、搬送される基板１０にスパッタ粒子２７を入射させて、１０基板に接する下層配向膜１３２と液晶分子３７に接し液晶分子３７の配向を制御する上層配向膜１３１を含む無機配向膜３１を形成する方法であって、スパッタ粒子２７の基板１０に対する入射角の範囲を入射角範囲と定義した場合において、下層配向膜１３２を形成する工程である第１の工程における入射角範囲である第１の入射角範囲が、上層配向膜１３１を形成する工程である第２の工程における入射角範囲である第２の入射角範囲に比べて広いことを特徴とする無機配向膜３１の形成方法。 （もっと読む）

【課題】平面性に優れ且つ生産性にも優れる両面金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムを効率よく製造できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】巻出ロール１１１から巻き出された耐熱性樹脂フィルム１１２は駆動ロール１１８、１１９、１２０、１２１、１２２、１２３により折り返された間で、耐熱性樹脂フィルム１１２方向に開口部がある２つの開口部を有する少なくとも４ユニットの対向スパッタリングユニット１２９、１３０、１３１，１３２により、耐熱性樹脂フィルム１１２の第１成膜面と第２成膜面に同時に成膜が進行する。両端の対向スパッタリングユニット１２９、１３２の片側は片面成膜である。 （もっと読む）

【課題】対向して配置されるターゲットを有するスパッタ装置において、その対向するターゲットの間に形成される空間内への反応ガスの流入防止を図ること。
【解決手段】本発明は、対向配置されるターゲット５、６を備えるスパッタ源１と、スパッタ源１と連通され処理対象である基板Ｗが収容される成膜室２と、を備えている。スパッタ源１の開口部３には、成膜室２の反応ガスがスパッタ源１内へ侵入するのを防止する括れ部２０が形成されている。括れ部２０は、開口部３の対向する内壁３１、３２からそれぞれ突出する突出部２２、２４により形成されている。 （もっと読む）

【課題】対向ターゲット式スパッタ装置において、磁性体膜の成膜速度を高速化するとともに、長時間の成膜安定性を実現する。
【解決手段】スパッタ装置のターゲットモジュールは、スパッタされる表面を対向して設けられる一対のターゲット部材を交換可能に保持する一対のターゲット保持部と、一方のターゲット部材の表面から他方のターゲット部材の表面に向かう磁束を発生する磁場発生手段と、ターゲット部材の表面上で周辺部分よりも中央部分の磁束密度が低下するように磁束密度を分布させる磁束密度分布調整手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧電体を用いた素子の特性と信頼性を向上させるものである。
【解決手段】本発明は、真空チャンバ内に一対のターゲットを対向させることで対向空間を設け、前記ターゲットの対向方向に対して略直交するように基板と鉛供給源を設置し、前記対向方向に沿って磁界を発生させるとともに、前記ターゲットに電圧を印加することでプラズマを発生させて前記基板に圧電体膜を形成するものであって、前記圧電体膜を形成する際、前記鉛供給源から鉛蒸気を前記対向空間に供給するとともに、前記真空チャンバ内の圧力を０．１３Ｐａ以下とすることを特徴とする圧電体膜の製造方法であり、圧電体素子の強誘電特性、圧電特性、焦電特性と信頼性を向上させるものである。 （もっと読む）

【課題】単に機械的性質が高温で低下しないというだけでなく、大気中の加熱によって塑性硬さが成膜直後よりも向上するという優れた自己硬化性を有し、成膜後のアニール処理により、成膜硬さをコントロールでき、耐酸化性にも優れる加工工具用硬質保護膜を提供する。
【解決手段】Cr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。さらに、ＢＮ含有率が８〜２８（vol％）であるCr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。 （もっと読む）

【課題】離型剤の塗布をなくす方向への改善を可能とするために、高硬度性、密着性（金型に対するもの）、耐ヒートクラック性、耐圧性、耐熱性（耐酸化性）、耐食性（耐溶損性）、低濡れ性（耐溶着性）の特性を満足する鋳造金型表面用保護膜を提供すること。
【解決手段】金属基材表面に形成される保護膜本体を備え、その保護膜本体はCrAlN相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜であることを特徴とする鋳造金型表面用保護膜。又、その表面に向かうほどBN含有量率（vol％）が連続的に多くなる傾斜膜もしくは段階的に多くなる多層膜、又はこれらを組み合わせた膜である。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物に形成される膜の膜質の低下が抑えられたスパッタリング装置を得ること。
【解決手段】複数の第１小型マグネトロンカソード３１ａおよび第２小型マグネトロンカソード３１ｂの中央磁石３２ａ，３２ｂ付近に生じる非エロージョン領域は、分断されて個々で存在するので、連続した一体の中央磁石で構成されたマグネトロンカソードと比較して狭くできる。個々の非エロージョン領域が狭いことで、非エロージョン領域に形成された厚膜に発生する応力を緩和でき、膜応力等による剥がれが減少することで、パーティクルの発生を抑えることができる。したがって、基板に形成される膜に取り込まれるパーティクルを減少でき、膜質の低下が抑えられるスパッタリング装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】均一なスパッタリング及び蒸着効果を得ることができるスパッタリングシステムを提供する。
【解決手段】スパッタリングシステムは、互いに対向するターゲット１０，２０，３０，４０を持つスパッタ装置１，２が並列に配され、スパッタ装置の間の両側からガス供給管５０，６０によりガスが供給され、また、スパッタ装置の両側の開口を通じて２つの蒸着基板７１，８１に対する薄膜蒸着が同時に行われ、プラズマ領域が、ターゲットが互いに対向する空間に限定される。 （もっと読む）

【課題】電圧降下を防止して、輝度の均一性が改善された有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に形成されている第１電極１２と、第１電極上に形成されている発光層１５と、発光層上に形成されている第２電極１７とを含み、第２電極は、半透過導電層及び導電性酸化物層を含む。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの周囲に飛行するスパッタリング粒子が捕獲されるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板２を保持する基板ホルダー８を備えた成膜室３と、成膜室３に接続し筐体１４に第１ターゲット１２と第２ターゲット１３とが対向して配置されるスパッタリング粒子放出部４と、を備え、第１ターゲット１２及び第２ターゲット１３の側面とスパッタリング粒子３１を放出する放出面１２ａの外周部１２ｃ及び放出面１３ａの外周部を覆う防着カバー２５を備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、省スペースにおいて高品質の多層膜を作成するのに適したスパッタ源およびスパッタ装置ならびにこれを用いた多層膜の製造方法に関する。より詳しくは、プラズマを効率よく電極間隙に閉じ込めることと、効率よくスパッタ粒子を取り出すことを両立した、開口幅の狭い対向型スパッタ源であって、かつ省スペースに複数組み合わせて用いることができるスパッタ源に関する。
【解決手段】
Ｖ字型に対向する電極面と、前記電極面を挟んで平行またはハの字型に対向する磁極面を有し、前記磁極面はお互いに逆極性であることを特徴とする、スパッタカソード。 （もっと読む）

【課題】アルミナを原料に用いながらも少なくとも塑性硬さが30GPa以上得られる硬質保護膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 何れも結晶粒径が20nm以下であるAlN微結晶とAl_1-xO_xN_y微結晶との複合体からなる硬質保護膜。Al₂O₃ターゲットを用いて高周波電源によってAr及びN₂の混合ガス中で放電させる高周波反応スパッタ法を用い、その際に印加するバイアス電圧と金属母材の温度との関係を調整することによって、硬質保護膜を30GPa以上の塑性変形硬さに形成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明では対向ターゲット式スパッタにおいて、成膜速度の向上と基板へのダメージの抑制とを両立可能とする対向型スパッタカソードを提供する。具体的には、対向する電極面の角度に依らず電極間隙の磁束をほぼ平行にすることで、スパッタ粒子の取り出し効率を向上するとともにプラズマを電極間隙に閉じ込める手段を実現する。
【解決手段】
Ｖ字型に対向する電極面と、前記電極面を挟んで平行またはハの字型に対向する磁極面を有し、前記磁極面はお互いに逆極性であることを特徴とする、スパッタカソード。 （もっと読む）