【課題】有機EL表示装置において、有機EL層、上部電極、補助電極等、蒸着によって形成する薄膜の形成精度を向上させる。
【解決手段】回路基板101に近接させて蒸着マスク21を設置する。回路基板101の上側には、マグネット103、磁界強度を調整するための中間板102が配置されている。蒸着マスク21はマスクシート23とマスクフレーム22から構成されている。回路基板101の熱膨張係数をα(S)とし、マスクフレーム22の熱膨張係数をα(F)とした場合、(α(S) -5×10^-6℃^-1) ≦ α(F) ≦ (α(S) +10×10^-6℃^-1)の関係とし、かつ、マスクフレーム22の熱膨張係数を前記マスクシート23の熱膨張係数よりも大きくすることによって高精度のマスク蒸着を可能とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面でのプラズマの閉じ込めを向上し、基板の近くでのプラズマを減少して、低ダメージで低温成膜が可能なスパッタ装置を提供すること。
【解決手段】真空維持可能な真空槽と、真空槽内に配置されかつ基板を載置する基板ホルダーと、基板に対し垂直方向でかつ互いに対向して２つのターゲットを配置するようにしたターゲットホルダーと、ターゲットホルダーに、直流または交流を印加するスパッタ電源と、真空槽内にガスを導入あるいは排気するガス供排気手段を備えたスパッタ装置において、２つのターゲットの後方に、向い合う極性が同じ磁石対を載置したターゲットホルダーを設けることで解決できる。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜装置に含まれる基体を保持するキャリアを工夫することで、磁気記録媒体の成膜工程において基体の温度をそれぞれの成膜工程に適した温度に近づけることが可能となるため、磁気記録媒体の品質の向上を図ることができる。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体としての垂直磁気記録媒体１００の製造方法は、真空成膜装置としてのＤＣマグネトロンスパッタリング装置２００を用いて、ディスク基体１１０上に少なくとも磁気記録層１２２を成膜する成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜工程では、キャリア２０８に取り付けられたグリッパ２１６をディスク基体に接触させてディスク基体を保持し、グリッパは複数の金属からなる積層構造であって、グリッパの表層２１６ａを構成する金属はグリッパの下層２１６ｂを構成する金属より熱伝導率が高いことを特徴としている。 （もっと読む）

【解決課題】磁性を有する粉末の表面に、スパッタリング法で種々の金属をコーティングすることができる磁性粉末コーティング用スパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】真空に保持された回転ドラム内で、磁性を有する粉末をスパッタ粒子でコーティングする粉末コーティング用スパッタリング装置であって、半円筒状ケーシングとハウジングとによって形成される半円筒状の空洞部に非磁性でかつ導磁率が１．２以下の特性を有するオーステナイト系ステンレス鋼の粉末が充填され、バッキングプレート、マグネット及び冷却水通路と、ターゲットプレート及び粉末付着防止用スカートとを備えたスパッタリングユニットがハウジングの下側に取り付けられ、ターゲットプレートの表面が装入された磁性粉末に対して回転ドラムの回転中心点よりも遠い位置に設置されており、回転ドラム内に粉末撹拌翼が設置されている。 （もっと読む）

【課題】キッカーの設定を容易、確実に行うことができ、キッカーによる被駆動輪のキックミス発生が抑制できる膜形成対象物品の支持装置を提供する。
【解決手段】この支持装置２は、回転駆動されるテーブル３０と、テーブル３０に立設され、テーブル３０の回転に伴いテーブル３０の回転中心線のまわりを円運動する複数本の外側パイプ１０２と、各外側パイプ１０２に沿って複数段に配置され、テーブル３０の回転に連動して外側パイプ１０２を中心に回転する小テーブル１０３と、各小テーブル１０３に立設され、小テーブル１０３の回転に伴い外側パイプ１０２のまわりを円運動する複数のホルダ１０４と、外側パイプ１０２が回転しても回転しない内側パイプ１０５に設けられ、ホルダ１０４と連動回転するギヤ１１０に接触してホルダ１０４を回転させるキッカーとを含む。 （もっと読む）

【課題】共有結合やイオン結合によって構成されている硬質被膜に、生産性や被膜性能を大きく損なうことなく所定の導電性を持たせて、通電センサ等によって通電の有無を検出する場合にも使用できるようにする。
【解決手段】共有結合またはイオン結合によって構成されている機能層３４の上に、機能層３４と同じ組成であるが非金属元素の割合が機能層３４よりも低い導電層３６を設け、所定の導電性が得られるようにする。すなわち、非金属元素の割合が減ることで共有結合或いはイオン結合の割合が減少し、その分だけ金属結合の割合が増加して導電性が高くなる。これにより、通電センサ等によって検出される通電の有無などで位置を検出したり異常を検知したりする場合にも用いることができる。しかも、導電層３６は、機能層３４と同じ組成で非金属元素の割合を低くしただけであるため、被膜性能や生産性の低下を最小限に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜時においてシャドウエリアの少ない基板ホルダーを備える成膜装置を提供すること。
【解決手段】 成膜装置の基板ホルダーは、開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、開口部の内周から開口部内に向けて突出して形成されており、絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備える第１の支持部材と、絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、開口部内に向けて突出し、または開口部内から退避するように移動可能な第２の支持部材と、を有する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】膜質の良い有機薄膜を成膜可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダ４０は基板７が水平にされた水平状態から起こされ、基板ホルダ４０に保持された基板７は、基板ホルダ４０と一緒に起立し、水平面から傾いた起立状態にされる。放出装置５０は起立状態の基板７と対面し、該基板７に有機材料の蒸気を噴出して、基板７表面に有機薄膜が成長する。有機薄膜が成長する間、基板７を起立状態にしておけば、有機薄膜に塵等の不純物が混入しない。 （もっと読む）

本発明の実施形態は概して、半導体処理チャンバのための処理キット及びキットを有する半導体処理チャンバに関する。より具体的には、本明細書に記載の実施形態は、物理的堆積チャンバで使用するためのカバーリング、シールド及びアイソレータを含む処理キットに関する。処理キットの構成材は単体で及び他の部品と協働することによって粒子の発生及び漂遊プラズマを大幅に減少させる。処理キャビティ外での漂遊プラズマを引き起こすＲＦ高調波の一因となる長いＲＦリターンパスをもたらす既存の複数部品から成るシールドと比較すると、本発明の処理キットの構成材ではＲＦリターンパスが短くなることから、内部処理領域内にプラズマがより良好に閉じ込められる。
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【課題】
充填したＡｒガスの漏れ量を精度良くモニターして、基板温度異常を防ぐことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明による真空処理装置は、真空チャンバー内に、一対の電極を備え、上面に基板を吸着する静電チャックを配置し、静電チャックの表面にシール部材を設け、少なくとも一つの熱媒体導入系を介して基板と静電チャックとの間に熱媒体を導入し、基板と静電チャックとの間に導入される熱媒体の圧力を圧力監視手段で監視し、熱媒体導入系を介して基板と静電チャックとの間に導入される熱媒体の圧力が予め設定されている所定圧力になるように圧力監視手段を制御する制御手段を設け、そしてシール部と基板との間から真空チャンバーへの熱媒体の漏洩を検知する検知手段を設けている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、被成膜物における未成膜部分を低減させることができる成膜装置の支持機構を提供する。
【解決手段】成膜面Ｗａが下方に向けられた状態にガラス基板Ｗを支持して成膜面Ｗａに成膜物質を付着堆積させる成膜装置１におけるガラス基板Ｗの搬送トレイ４０であって、成膜面Ｗａと同等以上の広さの開口部４２を内部に有する枠体４３と、枠体４３の内方に備えられ、開口部４２の周方向における縦断面を上方から下方に向けて狭めるテーパー状支持部４４とを備え、このテーパー状支持部４４のテーパー側面４４ｂは、成膜面Ｗａを囲むガラス基板Ｗの稜線Ｗｂに線接触するようになっている。このようなテーパー側面４４ｂを有するテーパー状支持部４４によってガラス基板Ｗを支持することにより、ガラス基板Ｗの未成膜部分が低減できる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、簡単な制御で、逆スパッタの防止による膜の高品質化、組成ズレの制御および成膜の再現性向上を図り、膜質の変化のない高品質な圧電膜、絶縁膜や導電体膜などの薄膜を成膜することができるスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、ターゲット材を保持するスパッタ電極およびスパッタ電極と対向離間配置され、基板を保持する基板ホルダを有し、さらに基板ホルダのインピーダンスを調整するための調整可能なインピーダンス回路を備えるインピーダンス調整回路とを有し、インピーダンス回路のインピーダンスが調整されることにより、基板ホルダのインピーダンスが調整され、基板の電位が調整されることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダーが移動しても、整合状態が大きく変化することなく、インピーダンスの整合状態が維持されることを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本願に係わる基板処理装置は、処理チャンバー、前記処理チャンバー内に位置し、基板を保持するための基板ホルダー、前記基板ホルダーに高周波電力を供給するための高周波電源、前記基板ホルダーと前記高周波電源との電気的に間に位置する整合器及び前記基板ホルダーと前記整合器を一体に移動させる移動機構を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】対象物の所望の領域に簡単に金属膜を成膜することができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置１に、金属を収納する金属収納器と、金属収納器に収納された金属を加熱して金属蒸気を発生させるヒータと、金属蒸気を送出する送出口９において開口するとともに金属蒸気を送出口９まで誘導する中空部を形成され、中空部に面する内表面部が金属蒸気の蒸着を抑制する蒸着抑制材により形成された蒸気誘導器４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】装置の簡素化及びメンテナンスの容易化を図った上で、パーティクルの発生を防ぐことができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】キャリア５０には、キャリア５０の外周部分から基板Ｗの外周部分を覆うように防着板７０が着脱可能に設けられ、防着板７０はチャンバ２２内で着脱されるとともに、チャンバ２２内を循環するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、被成膜物における未成膜部分を低減させることができる成膜装置の支持機構を提供する。
【解決手段】成膜面Ｗ１ａが下方に向けられた状態にガラス基板Ｗ１を支持して成膜面Ｗ１ａに成膜物質を付着堆積させる成膜装置１におけるガラス基板Ｗ１の搬送トレイ４０であって、成膜面Ｗ１ａと同等以上の広さを有する開口部４２を内部に備えると共に開口部４２を囲む外枠４３から構成される枠体４４と、外枠４３から内に突出してガラス基板Ｗ１を複数の箇所で支持すると共に、複数の箇所を結んで形成される領域Ｒ１内にガラス基板Ｗ１の重心Ｇが位置するように配置された複数のワイヤー状の線状支持部材４５，・・・とを備える。このようなワイヤー状の線状支持部材４５でガラス基板Ｗ１を支持することにより、ガラス基板Ｗ１の未成膜部分が低減される。 （もっと読む）

【課題】特に蒸着重合膜を形成するに際し、原料モノマーが基板の裏面側や支持台側に入り込むことによる、前記基板裏面側及び前記支持台等における重合膜の形成を抑制し、前記原料モノマーの使用効率を向上させるとともに、ゴミの発生及び混入による前記重合膜の製造歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】基板１４の外周端部１４Ａを露出させるようにして支持台１１上に前記基板１４を支持し、前記基板１４の前記外周端部１４Ａをヒータ１２で加熱するとともに、前記基板１４の中央部に位置する膜形成領域を温度調節機構１３で所定温度に保持する。 （もっと読む）

【課題】よりバリア性の高いバリア性フィルム基板を提供する。
【解決手段】支持体上に有機領域と無機領域とを有するバリア性フィルム基板を、支持体を搬送しながら製造する方法であって、有機領域を設ける工程と、無機領域を設ける工程と、支持体上の一部または全部に磁性層を設ける工程とを含み、かつ、支持体を搬送する工程の全部または一部を、前記磁性層と反対の磁極を示す磁性部分３１を有する搬送体を用いて、磁性層の磁力と磁性部分の磁力とが引き合うようにしながら行うことを特徴とする、製造方法。 （もっと読む）

【課題】被処理体がクランプリング部材と接触していても、被処理体の面内温度の均一性を高くして、熱処理の面内均一性を向上させることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために被処理体を載置するための載置台構造において、内部に被処理体を加熱する加熱手段３８が収容された透明材料よりなる載置台３２と、載置台の上面に設けられると共に、その直径が載置台の直径よりも小さく設定されて上面に被処理体を直接的に載置するための不透明材料よりなる均熱板４２と、 載置台の周辺部の上方に昇降可能に設けられて、被処理体を載置台側へ押し付けるための不透明材料よりなるクランプリング部材５０を有するクランプ機構４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】搬送トレイに搭載された複数の基板の位置ずれを低減できるアンロードチャンバ及びその運転方法を提供する。
【解決手段】アンロードチャンバ３は、複数の基板Ｗ，・・・が二次元状に配列搭載された搬送トレイＴを減圧状態で搬入しチャンバ内を昇圧可能なアンロードチャンバ３であり、減圧状態から昇圧させるための気体吹出し装置１５を備えている。この気体吹出し装置１５は、複数の基板Ｗ，・・・それぞれに対向するように二次元状に配置された複数の気体吹出し口１８，・・・を有している。このため、気体吹出し口１８から吹き出される気体の気流と搬送トレイＴとで仮想的な保持機構を形成することができ、各基板Ｗ，・・・の位置ずれを低減できる。このような位置ずれの低減により、下流工程での基板Ｗの取り上げ等の設備における安定性も向上する。 （もっと読む）