【課題】 保磁力などの磁気特性が効果的に向上または回復し、かつ、耐食性や耐候性を有する永久磁石を高い量産性で製造できる永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 処理室７０を画成する処理箱７内に焼結磁石と、Ｄｙ、Ｔｂの少なくとも一方を含む金属蒸発材料ｖとを配置した後、真空チャンバ３内に収納する。そして、真空中にて処理箱を加熱して金属蒸発材料を蒸発させ、蒸発した金属原子を焼結磁石表面に付着させ、前記付着した金属原子を焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に拡散させる。処理室内の昇温過程で金属蒸発材料が蒸発しないように処理室内に不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に堆積した膜の剥離などにより生ずるパーティクルの問題を解決する手法を提供する。
【解決手段】成膜済みの基板９を基板保持具９０から回収するアンロードロックチャンバー２と、未成膜の基板９を基板保持具９０に搭載するロードロックチャンバー１との間のリターン移動路上に、膜剥離防止チャンバー７１０が、アンロードロックチャンバー２及びロードロックチャンバー１に対して気密に接続されている。膜剥離防止チャンバー７１０内には、基板保持具９０及び保持爪９１の表面の堆積膜の上にコーティングをする膜コーティング手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制してクリーニング処理の頻度を減少させると共に、クリーニング処理時間を短くし、これにより装置の使用効率を上げてスループットを大幅に向上させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４と、保持手段を冷却する内部冷却手段４０と、処理容器の側壁と保持手段との間の温度差が所定の温度差以上になるように制御する温度制御部６２とを備える。これにより、処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 処理基板の成膜する側の面とターゲットプレートとを、平行に対向させ、マグネトロンスパッタ方式でスパッタを行うスパッタ装置で、ノジュールの発生をできるだけ抑え、且つ、処理基板の大型化に対応できるスパッタ装置を提供する。そして、そのようなスパッタ装置用のターゲットプレートを提供する。
【解決手段】 バッキングプレートの一面に沿い配され、且つ、長手方向の中央と、長手方向の両端側において、それぞれ、長手方向に直交する方向に、０．２ｍｍ〜０．４ｍｍの範囲で隙間をあけて分割されている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に同時に蒸着するときに、複数の基板に均質な膜を成膜することができる真空蒸着方法及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】この蒸着装置は、複数の基板３を保持する基板保持部材２と、基板３上に成膜される蒸着物質を保持する蒸着源４と、基板３面にガスイオンを放射するためのイオン銃５と、イオン銃５から照射されるガスイオンの放射方向Ｄ１を整流するための補正板６とを有している。そして、補正板６を調整することにより、基板保持部材２内のガスイオンの濃度分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ効率的で、金型や固定治具等の被洗浄部材に対するダメージが少ない、被洗浄部材の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】光学素子製造装置から光学材料成分が付着した被洗浄部材４１を取り出す工程と、取り出された被洗浄部材４１を、光学材料成分を除去する洗浄装置４０に設置する工程と、洗浄装置４０にて、設置された被洗浄部材４１の周囲環境に所定のガスを導入する工程と、導入された所定のガスに高周波電圧を印加してプラズマ化し、被洗浄部材４１の表面をプラズマ化されたガスに晒し、光学材料成分をハロゲン化物にして気化させ除去する工程と、を含む被洗浄部材４１の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】基材の被膜形成面に、膜厚が漸増乃至は漸減する金属膜からなる被膜を、スパッタリングにより形成可能な技術を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１１内に、基材３Ｂの被膜形成面４をターゲット２２の放出面２４に対して傾斜して対向位置せしめられるように、該基材３Ｂを支持する支持部材５０を設けると共に、該基材３Ｂの被膜形成面４と該ターゲット２２の放出面２４との間に挟まれた空間：α内に、該放出面２４から放出されるスパッタ粒子の一部が該被膜形成面４に到達するのを阻止する遮蔽部材３Ａを設けて、構成した。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットと処理基板とを立てた状態で対向させて、搬送しながらスパッタ処理を行う縦型のインラインスパッタ装置に用いられる基板ホルダー部で、Ｇ６世代以上の大サイズの処理基板を、処理する場合において、接触して処理基板を支持する基板ホルダー部による、処理基板のキズや割れ等の損傷が発生しない、更には、目視できないレベルの汚れ、キズが処理基板のピンと接触する表面に付着しない、基板ホルダー部を、提供する。
【解決手段】 処理基板の下側面部と面接触して、該処理基板を支持する基板受け部を備えている。更に、該基板受け部は、衝撃吸収性の高い材質からなる。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薄膜層を蒸着することが出来る真空スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ガス導入手段及びガス排気手段とを有する真空チャンバー１、回転可能な基板支持テーブル２で、基板支持テーブル２の平面に直角な、少なくとも一つの軸を中心に基板支持テーブルを回転させるための手段、真空チャンバーの壁に沿って間隔を空けて配置されている複数のスパッタリング用ターゲット５で、かつ複数のターゲットの一つに対して基板支持テーブルの位置を変更するための手段は、使用に際して、基板支持テーブル上に置かれた基板は、複数個のターゲット５の少なくとも一つからスパッタリングされた膜を有していても良く、その後、基板支持テーブルの位置の変更の後に、その上に、複数個のターゲットの少なくとも他の一つからスパッタリングされた別の一つの膜を有する様に構成されている変更手段、とから構成されている真空スパッタリング装置。 （もっと読む）

本発明の装置は、真空室内の面上に配置されたライナーを有する。この面は、真空室内の構成素子により規定されている。このライナーは、ワークピースを汚染から保護するか、又は原子又はイオンを面内に注入することにより生じる面のブリスタリング現象を阻止するように構成されている。ライナーは、ある実施例では、使い捨てしうるようにでき、真空室内の面から除去して、新たなライナーと交換するようにしうる。このライナーは、ある実施例では、粗面を有するポリマとするか、炭素を基とするか、又はカーボンナノチューブを以て構成することができる。
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システムを横断して搬送される基板に複数のコーティングを塗布するマルチパスコーティングシステムおよび方法。本システムは、システム内で大気圧より低い圧力を確立すべく本システムに結合された少なくとも１個の真空ポンプを含んでいる。本システムはまた、基板にコーティング層を塗布するための少なくとも１個のコーティングゾーンを含み、基板が通過することによりシステム外部の大気圧とシステム内部の大気圧より低い圧力との間を遷移する少なくとも１個の転送ロックを含んでいる。本システムは、システムを通過して基板を搬送するために、基板がシステムから出る前にコーティングゾーンを少なくとも２回通過して基板を搬送すべく構成された搬送機構を含んでいる。
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【課題】成膜処理工程において、成膜領域を限定することなくウエハとクランプリングの癒着を防止し、チッピングを防止した上でウエハを確実に固定することのできるクランプリングを提供する。
【解決手段】ウエハの主面上に膜を堆積する際に、前記ウエハを前記主面側から押さえつけて固定するウエハ用クランプリングであって、前記ウエハの固定時に、前記主面の外周部の全周に当接する当接部と、前記当接部の上部から前記ウエハの内側に延び、前記ウエハの固定時においても前記主面と接しないように設けられた、ひさし部と、を具備し、前記当接部は、第１当接部と第２当接部とからなり、前記当接部における内外方向の幅は、前記第１当接部の方が前記第２当接部よりも広い。 （もっと読む）

【課題】スペース効率が良好でコンパクトな基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハにスパッタリングを施すスパッタリング室１２と、スパッタリング室
１２内に収納されウエハ１を保持するウエハチャック２０と、ウエハ１を保持したウエハ
チャック２０を回転させる回転機構２１と、ウエハ１に向けてイオンビーム３６を照射す
るミリング用イオン源３０とを備えており、ミリング用イオン源３０のミリング用電極３
２を短辺側がウエハの外径より小さい矩形形状に形成し、このミリング用電極３２の開口部３３の開口率をウエハの中心側より周辺側が大きくなるように設定する。ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ熱を充分に抑制することができ、連続膜形成における被処理体に形成される膜質の変化およびターゲットの表面荒れを抑制し、安定した膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 ターゲット５を冷却するターゲット冷却手段１５２と、被処理体４を冷却する被処理体冷却手段１２４と、被処理体保持手段とターゲット保持手段との間に設けられ、被処理体４の膜形成部分を除く残余の部分への膜の形成を阻止するシールド２と、シールド２を冷却するシールド冷却手段１５０と、被処理体保持手段とターゲット保持手段との間に介在され、被処理体保持手段に保持される被処理体４の膜形成部分への膜の形成を阻止する阻止位置と、阻止位置から退避した退避位置とにわたって変位可能に設けられるシャッタ３と、シャッタ３を冷却するシャッタ冷却手段１５１とを含むスパッタリング装置１で、被処理体４に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来非球面レンズ或いは反射鏡は、型によるプレス加工又は研磨加工で製造していた。しかしながら加工精度を上げるには問題が多くあった。そこでスパッタ蒸着を用いて、時間がかかるが人手の必要としない高精度の加工により非球面光学部品を提供することを目的とする。
【解決手段】 従来のスパッタ蒸着流により堆積膜を形成させる方法は均一な膜厚の多層膜を形成して、それを研磨して製造する方法であったが、本発明はターゲットと堆積基板との間に回転するマスクを外周から駆動して、中心対称の補正収差が行える光学系の堆積膜厚変化に対応するマスキング羽根の形状を設計し、そのマスクを用いて所望の非球面膜をスパッタ蒸着で形成する製造装置により各種非球面光学部品を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、基板ホルダの基板受け治具に被処理基板を嵌め込む際に、被処理基板を浮きなく嵌め込め、その結果、被処理基板の外周縁に割れ、欠けが発生しない基板ホルダおよびそれを備えた成膜装置を提供することである。
【解決手段】本発明の基板ホルダ２１および蒸着装置２０は、筒体２２ａの下端に内向きに張り出す内側フランジ２２ｃを有し、筒体２２ａに嵌め込まれた半導体基板４の外周縁を内側フランジ２２ｃで支持する基板受け治具２２を備え、内側フランジ２２ｃに、半導体基板４の外周縁に対する逃げ溝２３を設けた基板ホルダ２１およびそれを備えた蒸着装置２０である。 （もっと読む）

【課題】クリーニング性を向上させた静電チャックのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】静電チャックのクリーニングを実行する際、まず、金属ベースプレートの外周面と弾性プレートの外周面とに付着した成膜残渣を研磨して除去する（研磨工程：ステップＳ１）。そして、研磨工程で研磨された金属ベースプレートと弾性プレートとを洗浄し（洗浄工程：ステップＳ２）、洗浄工程で洗浄された金属ベースプレートと弾性プレートとを脱ガスさせる（脱ガス工程：ステップＳ３）。 （もっと読む）

【課題】強誘電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】オンアクシス方式スパッタリングにより結晶性及び表面粗さに優れ、かつ蒸着率が顕著に改善された強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。本発明の強誘電体製造方法は、ＳｒＴｉＯ_３（ＳＴＯ）基板上にＳｒＲｕＯ_３（ＳＲＯ）薄膜を蒸着する工程と、同蒸着されたＳＲＯ薄膜にＢｉＦｅＯ_３（ＢＦＯ）薄膜を蒸着する工程とを含み、各薄膜の蒸着はＳＴＯ基板を接地から絶縁した状態で蒸着する。本発明の強誘電体製造方法によると、大量生産が可能で蒸着率が顕著に向上するのみならず、強誘電体薄膜の表面が均一に形成されて漏洩電流が顕著に低減し、かつ残留分極が大きくなるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】 粉末状担体の全体に金属ナノ粒子を均等に担持させることができる金属蒸着装置および粉末状担体の撹拌方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ１１内で容器４１を水平な状態とし内部の粉体状アルミナＡへ施す例えば１００回の真空アーク放電による白金の蒸着と間欠的な次の同様な蒸着との間において、容器４１を揺動軸４５の回りに第１の方向（例えば右方向）へ揺動させ、傾斜する容器４１の底面４２上で粉体状アルミナＡを容器４１の端部の方へ滑落させて撹拌し、容器４１の右側の端部が下方の衝突部材を兼ねる衝突検知センサ４７によって所定の傾斜角度に達したことが検知されると、直ちに揺動の方向を逆にして容器４１を水平にすると同時に、端部の方へ滑落している粉体状アルミナＡを容器４１の中央側へ跳ね戻し粉体状アルミナＡを裏返しにするように撹拌する。 （もっと読む）

【課題】成膜元素が半導体デバイスの反成膜源側端面に回り込むことを確実に防止する半導体デバイスの成膜用ホルダを提供する。
【解決手段】半導体デバイスの被成膜面を露出させ、半導体デバイスを保持するホルダ本体と、半導体デバイスの被成膜面を露出させた状態で、半導体デバイス及びホルダ本体の間に形成される間隙を半導体デバイスの被成膜源側から遮蔽する遮蔽体１７とを備えた。これにより、成膜源３から間隙に向かう成膜元素１６は、遮蔽体１７に進行を遮断される。 （もっと読む）