【課題】はんだ等の低融点金属を含有する合金膜を、含有金属組成のずれを生じることなく、かつ成膜レートを低下させることなく成膜できる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした空間内に、低融点金属を含有する合金ターゲットを設けたカソード電極と基板を設けたアノード電極とを対向して配置し、前記基板の一方の面に、前記低融点金属を含有する合金膜をスパッタ法により形成する成膜装置であって、前記カソード電極にＤＣパルス電圧Ｅｋを印加する電源手段を少なくとも備えたことを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

コーティングシステム１は、ロックインチャンバ３とロックアウトチャンバ４を含む。更に、コーティングシステムは、ロックインチャンバ３及びロックアウトチャンバ４に接続された第１搬送チャンバ５を含む。搬送チャンバ５内には、第１可回転搬送モジュール６が配置されている。基板ホルダー７ａ、７ｂは、ロックインチャンバ３及びロックアウトチャンバ４にそれぞれ整列して配置されるように、中心軸の周りに回転してもよい。コーティングステーション１は、第１プロセスチャンバ８と第２プロセスチャンバ９を更に含んでいる。更に、コーティングシステム１は、第３基板ホルダー１２ａ及び第４基板ホルダー１２ｂを含む第２可回転搬送モジュール１１を有する第２搬送チャンバ１０を含んでいる。第２搬送チャンバは、第３プロセスチャンバ１３及び第４プロセスチャンバ１４のみならず第１プロセスチャンバ８及び第２プロセスチャンバ９に接続される。第３プロセスチャンバ１３及び第４プロセスチャンバ１４は、第２搬送チャンバ１０において並列に、即ち、クラスタ配置のように配置される。本発明は、フォワードパスＦからリターンパスＲまで、及びその逆に、基板を移動するために構成される２つの搬送チャンバ５及び１０間において、フォワードパスＦ及びリターンパスＲ上にそれぞれ配置される２つの並列なコーティングチャンバ８及び９のサンドイッチアレンジメントによってシステムの利便性を向上させる可能性を提供する。
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【課題】第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。
【解決手段】第一ターゲット１７ａと第二ターゲット１７ｂとの間の空間の搬送経路１５側への延長領域を挟んで、搬送経路１５と、第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂとの間に、少なくとも基板６の搬送方向に対向するシールド１９ａ，１９ｂを設ける。 （もっと読む）

コーティングシステム１は、スイングモジュール及びチャンバ配列を含むスイングステーション２を含む。チャンバ配列は、ロックチャンバ３及び第１コーティングチャンバ４を含む。ロックチャンバ３は、結合されたロックイン／ロックアウトチャンバとして構成される。チャンバ配列は、破線で示される第１実質的直線搬送経路Ｔ１及び破線で示される第２実質的直線搬送経路Ｔ２を有する。経路Ｔ１、Ｔ２の配置は、デュアルトラックを確立する。システム１は、矢印で示されるように、チャンバ配列３、４を通って、第１搬送経路Ｔ１に沿って、及び／又は、第２搬送経路Ｔ２に沿って、基板を移動させるための搬送システムを含む。１又は特に両方のチャンバ３、４は、デュアル又はトリプルトラックセクションの横移動によって、第１経路Ｔ１から第２経路Ｔ２へ、及び／又は、第２経路Ｔ２から第１経路Ｔ１へ基板／キャリヤを移動させるための移動手段を含む。
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【課題】産業廃棄物が発生せず、コーティングの膜厚や状態の変化が小さく、コーティング能力の経時劣化や粒子同士の融着、金属の残渣など、アルミ発生源である金属に起因する作業性問題を解決することが可能なアルミコーティング方法を提供する。
【解決手段】真空中で被コーティング部材３の表面にアルミニウムをコーティングするアルミコーティング方法において、真空中で、カーボンと接触させた状態でアルミナ５を１３００℃以上に加熱してアルミナ５を分解させると共に、発生したアルミガスを被コーティング部材３の表面にコーティングする。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムを短縮でき、生産量を増大させることが可能な真空装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能なチャンバー１と、チャンバー１の内部において移動可能に設けられた第１及び第２のサセプタ１１，２１とを備える。チャンバー１の上部の一部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかが仕切ることにより、処理室４が定義され、チャンバー１の上部の他の一部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより、ロードロック室７が定義される。第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかをロードロック室７側から処理室４側に、相補的に第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかを、処理室４側からロードロック室７側に搬送し、第１及び第２のサセプタ１１，２１上に載置された被処理基板１０ａ〜１０ｃ，２０ａ〜ｃを、処理室４において順次処理する。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置のガスディフューザー取り付け部のメンテナンス性向上させることによって、異物粒子の発生量を低減する。
【解決手段】真空処理装置に、ガスディフューザーを収納するためのガスディフューザーチャンバーを設置した。 （もっと読む）

【課題】ヒートマスの大きなヒータを有する大型の真空装置のヒータの昇温時間、降温時間を短縮して、メンテナンス前後の非生産時間を短縮し、生産効率を向上させることが可能な真空装置の動作方法を提供する。
【解決手段】被処理体２２を載置していない複数の搬送部１１〜１ｎを順次加熱する。主加熱部１ａ，１ｂよりも高温に加熱された各搬送部１１〜１ｎは、処理室１内に順次搬送される。搬送部１１〜１ｎが、順次、主加熱部１ａ，１ｂに熱量を順次与えるので、熱エネルギーの移動により、主加熱部１ａ，１ｂにおける加熱が促進され、主加熱部１ａ，１ｂの設定温度までの昇温時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】膜質が良好な有機層および無機層を、高い生産効率で成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺の基板を長手方向に所定の搬送経路で搬送しながら、基板の表面に有機層を形成し、有機層上に無機層を形成するものである。この成膜装置は、基板を長手方向に所定の搬送経路で搬送する搬送手段と、有機層を基板の表面に形成する第１の成膜手段が設けられた第１の成膜室と、第１の成膜室の搬送経路の下流側に配置されるとともに有機層上に無機層を形成する第２の成膜手段が設けられた第２の成膜室と、第１の成膜室内および第２の成膜室内を所定の圧力に減圧する真空排気手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ₆薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ₆薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。
【解決手段】ターゲット１１には、高周波電源１９３からの高周波電力と、第一直流電源１９４からの高周波成分をカットした結果の第一直流電力とを印加し、基板ホルダー１３には、該高周波電力及び第一直流電力の印加中に、第二直流電源２１からの直流電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】装置の高いスループットを維持しつつ、バリアメタルの酸化工程の追加や異なる種類のシード層の積層、バリア層の積層等を行い配線の信頼性を向上させる。
【解決手段】薄膜の合金シード層を成長させるチャンバー、または、薄膜のバリアメタルを成長させるチャンバーのうち、最も短いタクト時間のチャンバー数を最も少なくして、あるいは、統一して１台の装置で専用に用い、タクト時間の長い工程のチャンバーを２または、３チャンバー以上にすることにより、薄膜工程のチャンバー間バラツキを無くして、装置のスループットを向上させる。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している大気の成分を除去する。
【解決手段】ロードロック室に基板が搬入されると、ロードロック室の中は、まず排気され、その後パージガスが導入されて圧力が上昇する。そしてロードロック室は再び排気される。これにより、基板上に付着している大気の成分は除去される。その後、基板はロードロック室から処理室に搬送され、処理室の中で処理される。基板を処理する工程は、例えば大気に含まれる成分と反応するガスを用いて基板に膜を成膜する工程である。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダーが移動しても、整合状態が大きく変化することなく、インピーダンスの整合状態が維持されることを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本願に係わる基板処理装置は、処理チャンバー、前記処理チャンバー内に位置し、基板を保持するための基板ホルダー、前記基板ホルダーに高周波電力を供給するための高周波電源、前記基板ホルダーと前記高周波電源との電気的に間に位置する整合器及び前記基板ホルダーと前記整合器を一体に移動させる移動機構を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】光学的品質の薄膜を製造することに関し、特に非線形光学デバイス及び有機発光デバイスで利用されるそのような薄膜の低圧製造を提供する。
【解決手段】基体５８上に有機薄膜を形成する方法であって、その方法は、複数の有機前駆物質（１４、４８）を気相で与え、前記複数の有機前駆物質（１４、４８）を減圧下で反応させる工程を有する。そのような方法により製造された薄膜及びそのような方法を実施するのに用いられる装置も含む。本方法は、有機発光デバイスの形成及び他のディスプレイ関連技術によく適している。 （もっと読む）

【課題】複合材料開発用のマルチチャンバシステムの小型化に貢献できる、試料をチャンバ内で搬送させる基板搬送機構を提供する。
【解決手段】複数のプロセスチャンバを周囲に接続した試料搬送用のトランスファーチャンバ５に設けられる試料搬送用の機構１０であって、試料を支持するホルダー４０と、トランスファーチャンバ５内で水平方向へ直線状に延びてホルダー４０を先端部で支持する支持手段３０と、支持手段３０の延出方向をガイドするガイド手段２０と、複数のプロセスチャンバに対するガイド手段２０の臨む方向を変えるようガイド手段２０を回転する回転手段６０と、ガイド手段２０から繰り出される支持手段３０の長さＬを調整する調整手段７０と、を備えている。支持手段３０は長尺な板ばねで構成されている。 （もっと読む）

【課題】装置の簡素化及びメンテナンスの容易化を図った上で、パーティクルの発生を防ぐことができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】キャリア５０には、キャリア５０の外周部分から基板Ｗの外周部分を覆うように防着板７０が着脱可能に設けられ、防着板７０はチャンバ２２内で着脱されるとともに、チャンバ２２内を循環するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望の領域の材料のみが成膜されることを可能にし、微細パターンの形成を可能にすることを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により従来よりもバリア性が高い無機層を成膜すること。
【解決手段】無機層を成膜する面の面積がａ（単位：ｃｍ²）である支持体を、容積が１００ａ（単位：ｃｍ³）以下である第１真空槽へ搬入して真空状態とし、真空状態を維持したまま支持体を第２真空槽へ搬送して、第２真空槽内にて支持体上に無機層を真空成膜する。 （もっと読む）

基板を装填するための装填チャンバ、基板を処理するためのプロセスチャンバ、プロセスチャンバを装填チャンバから分離する封止面、および基板を垂直に装填チャンバからプロセスチャンバに移動させるための手段を含む、基板を処理するためのプロセス装置、ならびに、基板を処理するための方法を提供する。装填チャンバはプロセス装置の下部および上部の一方に位置し、プロセスチャンバはプロセス装置の下部および上部の他方に位置する。この発明のプロセス装置および方法は、基板を装填するための移動数を低減することにより容易なメンテナンスおよびコストの低減を達成する。
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【課題】装置構成を大規模にすることなく、タクトタイムを短縮可能な有機ＥＬ製造技術を提供する。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ製造装置１は、第１〜第４の搬送室２ａ〜２ｄ間を真空中で基板７を順次搬送するように構成された搬送ユニット２と、搬送ユニット２の各搬送室２ａ〜２ｄに接続された第１〜第８の成膜ユニット１０〜８０とを備え、各成膜ユニット１０〜８０は、マスク付きパレット９を収容するマスクストック室１１〜８１と、基板７とマスク付きパレット９のマスク８とを位置合わせする位置合わせ室１５〜８５と、マスク付きパレット９に装着された基板７上に成膜を行う成膜室１３〜８３とを有する。マスクストック室１４〜８４と成膜室１３〜８３とが同一の成膜搬送ラインＭ上に配置される一方で、アライメント室１５〜８５が、成膜搬送ラインＭから分岐した退避位置に配置される。 （もっと読む）