本発明の実施形態は、原子層堆積法（ＡＬＤ）などの気相堆積プロセス中に基板上に誘電材料を堆積するための方法を提供する。一例では、方法は、基板をハフニウム前駆体および酸化ガスに順次暴露して、その上に酸化ハフニウム材料を堆積するステップを含む。別の例では、ケイ酸ハフニウム材料が、基板を該酸化ガスと、ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体を含有するプロセスガスとに順次暴露することによって堆積される。該酸化ガスは、水素源ガスおよび酸素源ガスを水蒸気発生器を介して流すことによって形成された水蒸気を含有する。 （もっと読む）

【課題】 原子層堆積を実行するための方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 原子層堆積（ＡＬＤ）を実行するためのプラズマ処理システムは、処理チャンバと、処理チャンバ内で提供される基板ホルダと、処理チャンバに第１のガスおよび第２のガスを供給するように構成されたガス注入システムとを具備する。システムは、処理チャンバに連続的に第１のガス流れを流し、第１の時間に処理チャンバに第２のガス流れをパルス化して流すガス注入システムを制御するコントローラを含む。コントローラは、第２の時間に基板ホルダにＲＦ電力をパルス化する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、低誘電率コーティングが無機及び有機成分を含み、これらの成分のための前駆体が、化学蒸気相のプラズマ活性化沈積のための少なくとも二つのプラズマ源において活性化され、かつ該複数の活性化された前駆体が、それらが基体上に化学蒸気相から沈積されてコーティングを形成する前に一緒にされるところの、低誘電率コーティングを製造するための方法を開示し、該無機成分が多孔性ナノ粒子を含むことを特徴とする。本発明はまた、低誘電率コーティングの製造のための装置を開示する。 （もっと読む）

本発明に従った実施形態は、化学気相堆積された低誘電率材料の多段階硬化プロセスに関する。特定の実施形態では、電子ビーム放射および熱暴露ステップの組合せが、膜に組み込まれているポロゲンの選択的脱ガス化をコントロールするために採用されてもよく、ナノ細孔の形成をもたらす。一具体的な実施形態によると、シリコン含有成分と、不安定基を特徴付ける非シリコン含有成分との反応に起因する低誘電率層は、電子ビーム形態の放射印加が続く熱エネルギーの初期印加によって硬化されてもよい。 （もっと読む）

高誘電率層（１８０）を半導体装置中に集積するためにシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）表面層（１６０）を使用する方法である。この方法は、基板（１５０）上にＳｉＧｅ表面層（１６０）を形成し、前記ＳｉＧｅ表面層（１６０）上に高誘電率層（１８０）を堆積する。酸化層（１７０）は、前記高誘電率層（１８０）とＳｉＧｅ表面層（１６０）の未反応部位との間に位置し、前記高誘電率層（１８０）の堆積中とその後のアニーリング処理中とのいずれか、又はいずれもの間に形成される。前記方法は、前記高誘電率層（１８０）上に電極層（１９０）を形成する。
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非平面状物品は、実質的に均一な厚さ及び実質的に均一な耐摩耗性を有し、ほぼ平均値の±０．２５の間の範囲にある△曇り（％）を有する、プラズマ蒸着した耐摩耗性被覆を含む。
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本発明による実施形態は、半導体被加工物（８８２）の傾斜上の材料の堆積を低減する、またはなくすために単独または組み合わせて用いることができる種々の技術に関連する。一アプローチでは、傾斜領域へのガスの流れを妨げるためにシャドーリング（８８０）が基板（８８２）のエッジを覆っている。エッジをシャドーする間にウエハー全域で厚さの均一性を維持するために、シャドーリングのエッジ（８８０ａ）での形体がガスの流れをウエハーに向けて方向付ける。別のアプローチでは、基板ヒータ／支持部がパージガスを支持されている基板のエッジに流すように構成されている。これらのパージガスは、プロセスガスが基板エッジに達して傾斜領域上に材料が堆積するのを防ぐ。 （もっと読む）

本発明のアルコキシド化合物は、下記一般式（I）で表されるものであり、ＣＶＤ法等の化合物を気化させて薄膜を形成する方法に用いられる薄膜形成用原料に適するものである。また、本発明の薄膜形成用原料は、該アルコキシド化合物を含有してなるものであり、本発明の薄膜の製造方法は、該薄膜形成用原料を気化させて得たアルコキシド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、これを分解及び／又は化学反応させて基体上に薄膜を形成するものである。
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機能層を作成する方法において、基材がプロセスチャンバー内に導入される工程と、少なくとも１つのプラズマが、例えばプラズマカスケード発生源のような、少なくとも１つのプラズマ発生源（３）により発生される工程と、前記プラズマ（Ｐ）の影響下で、少なくとも１つの第１蒸着材料を前記基材（１）上に蒸着させる工程と、同時に、少なくとも１つの第２材料（６）が、第２の蒸着工程により前記基材に適用される工程と、を備えた方法である。本発明はまた、少なくとも１つのプラズマを発生させる、例えばプラズマカスケード発生源のような少なくとも１つのプラズマ発生源と、蒸着材料を各プラズマ内へ導入する手段と、前記プラズマ発生源と同時に、前記基材上に少なくとも１つの第２蒸着材料を蒸着するように配置された第２蒸着発生源（６）と、を備えた装置である。
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化学蒸着法を用いて炭化ケイ素リングを製造するための改良方法。円筒状管を蒸着基板として用い、円筒状管の内面若しくは円筒状マンドレルの外面又は両方に蒸着した結果として生じる材料をスライス又は切断して所望のリング寸法及び形状にする。結果として生じるリングは、完成品に対して実質的に平坦に配向する結晶成長を有する。また、本発明は、窒素ドープ化炭化ケイ素材料、並びに炭化ケイ素構造体の平面に対して、及び互いに実質的に平行な結晶粒成長軸を有し、さらに結晶粒の結晶粒成長軸に対して実質的にランダムである回転配向を有する炭化ケイ素構造体にも関する。

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半導体装置を構成する絶縁膜として有効な多孔質絶縁膜の作製方法、該絶縁膜の上下界面に接する半導体材料と高い密着性を有する多孔質絶縁膜の作製方法を提供。
少なくとも一つ以上の、分子中に環状シリカ骨格を有し且つ該環状シリカ骨格に少なくとも一つ以上の不飽和炭化水素基が結合されている有機シリカ化合物の分子蒸気、を含む気体をプラズマ中に導入し、半導体基板上に多孔質絶縁膜の成長を行う。 （もっと読む）

【課題】 堆積された誘電体膜上の現像後のフォトレジスト形状を改善する方法を提供することである。
【解決手段】 堆積された誘電体膜上の現像後のフォトレジスト形状を改善するための方法と装置。この方法は、プラズマ増強化学蒸着プロセスを使用して基板上に、調整可能な光学的特性およびエッチング耐性特性を有するＴＥＲＡ膜を堆積させることと、プラズマプロセスを使用してＴＥＲＡ膜を後処理することとを包含する。この装置は、第１のＲＦ電源に結合された上部電極および第２のＲＦ電源に結合された基板ホルダを有するチャンバと、複数のプリカーサおよびプロセスガスを供給するシャワーヘッドとを含む。 （もっと読む）

ハフニウムベースの誘電体膜を堆積する方法が提供される。本方法は、オゾンとハフニウム前駆体を含む１つ又はそれ以上の反応物質とを用いた原子層堆積段階を含む。半導体デバイスもまた提供される。該デバイスは、基板と、基板上に形成されたハフニウムベースの誘電体層と、基板及びハフニウムベースの誘電体層間に形成された界面層とを含み、該界面層は二酸化ケイ素を含み且つ結晶構造を有する。 （もっと読む）

半導体基板中の間隙の充填方法、及び蒸着速度均一度の改善方法を提供する。反応室内へ基板及び少なくとも１種の重水素化合物を含むガス混合物を供する。ガス混合物が反応し、層への蒸着及びエッチングが同時に行われて基板上へ所定材料から成る層が形成される。間隙内は所定材料層によって、間隙内の該材料が実質的に空隙のない状態となるように充填される。また、所定材料を、Ｄ_２、ＨＤ、ＤＴ、Ｔ_２及びＴＨから選択される少なくとも１種のガスの存在下で表面上へ蒸着する。蒸着処理中の正味蒸着速度は表面全体においてある程度不均一であるが、この不均一の程度は、実質的に同一な条件下においてＨ２を用いる蒸着中に生ずる不均一の程度よりも明らかに改善される。

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集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

プラスチック基板と選択不飽和を有するプラズマ重合したシクロシロキサンの結合層とからなる物品及びその形成方法。 （もっと読む）