【課題】ウェットエッチングによるクリーニングの頻度を低減させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜容器と、成膜容器の内部に配置される加熱部と、成膜容器の開口に取り付け可能な筒状のインジェクタと、インジェクタを介して成膜容器の内部に薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給部と、インジェクタを介して成膜容器の内部に原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、インジェクタは、原料ガスが流れる原料ガス供給口と、反応ガスが流れる反応ガス供給口と、不活性ガスが流れる不活性ガス供給口と、を備え、不活性ガス供給口は、インジェクタと成膜容器との隙間に不活性ガスが流れるように、インジェクタの外表面に設けられていることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、原料ガス供給口と反応ガス供給口とが形成された成膜容器と、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部と、液体原料貯蔵部に貯蔵された液体原料を直接気化し、流量を制御する気化制御部と、を含み、原料ガスを原料ガス供給口に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを反応ガス供給口に供給する反応ガス供給部と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部と、原料ガス供給口から供給される原料ガスが衝突するように配置される衝立板と、衝立板の温度を調節する温度調節部と、を有することを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する複数の処理室と、前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、前記上部層中に孔径分布がバイモーダルな分布をとる孔径２〜５０ｎｍの微小空孔が分布している。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスにおける電子的連結及び磁気情報記録装置における磁気抵抗に好適な、均一な厚さを有しかつ細孔での優れたステップカバレッジを有する薄膜を提供する。
【解決手段】銅(Ｉ)Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネートの蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上に銅の金属薄膜を析出させる。コバルト(ＩＩ)ビス(Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネート)の蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上にコバルトの金属薄膜を析出させる。これら金属の窒化物及び酸化物の薄膜は、前記水素をそれぞれアンモニア又は水蒸気に代えることによって形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 原料と酸化剤とを用い、金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、酸化による結晶粒の異常成長が起こらない温度であって、かつ、アモルファス状態となる第１温度で形成するステップと、原料と酸化剤とを用い、アモルファス状態の金属酸化膜上に、アモルファス状態を維持しつつ、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、炭窒化層と酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜のための気相成長前駆体としての使用に適した有機金属化合物を提供する。特定の有機金属前駆体を用いて金属含有膜を被着させる方法も提供する。そのような金属含有膜は、電子装置の製造において特に有用である。
【解決手段】周期表のランタニド又は第３族〜第１６族から選択される金属の酸化物を成膜する方法であって、エノラート配位子を含む金属含有前駆体を用い、金属前駆体を蒸気状態で反応チャンバーに導入し、基体上に化学吸着させる工程と、パージする工程と、酸素源を導入する工程と、パージする工程とを含む気相成長により成膜する。 （もっと読む）

【課題】炭素膜のもつ基材への高い密着性、硬度、および表面平坦性を利用し、ダイヤモンド砥粒やアルカリスラリーなどを用いることなく、ダイヤモンド、サファイヤ、硬質炭素膜などの硬度の高い材料表面を高速かつ簡便に、高い平坦性および精度で研磨、研削が可能な積層体を形成する方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程と、ダイヤモンド微粒子を粉砕して前記基材上に該ダイヤモンド微粒子を設ける工程と、内部にＳｉＯ₂材又はＡｌ₂Ｏ₃材の供給源及び前記工程で得られた基材を設置したマイクロ波プラズマＣＶＤ反応炉内に、反応ガスを導入し、該反応炉内に表面波プラズマを発生させて、該基材上にＳｉＯ₂材又はＡｌ₂Ｏ₃材と炭素粒子とからなる膜を、該ＳｉＯ₂材又はＡｌ₂Ｏ₃の量が前記基材側の下部層から上部層に向かって減少するように堆積させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜装置内に堆積した堆積物を除去してクリーニングする際に、チャンバー内部品のダメージを低減しつつ、短時間での処理が可能なクリーニング方法を得る。
【解決手段】窒素ガスを主成分として１０〜２０体積％のフッ素ガスを含むフッ素含有ガスに、流量比で１：０．１〜１：１の範囲となるようにヘリウムガスが添加された混合ガスを用い、混合ガス中のフッ素ガスをプラズマ化してクリーニングを実施する。 （もっと読む）

【課題】ノズルを縦型反応管に適正に取り付ける方法を提供する。
【解決手段】マニホールド２０９にノズル２０を取り付けるに際して、保持治具１０をノズル２０の上下両端部に取り付け、ノズル２０の水平部をマニホールド２０９の取付口２１０に処理室２０１側から挿入し、上下の保持治具１０の前端面を処理室２０１の内周面に当接させることでノズル２０と処理室２０１の内周面とのクリアランスおよび平行を自動的に保持する。ノズル２０を保持治具１０で位置決めした状態で、ノズル２０の水平部を取付口２１０に設置された継手２１１に固定し、その後、上下の保持治具１０をノズル２０９から取り外す。 （もっと読む）

【課題】原料収率の向上を図ることができるコールドウォール型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを化学反応させることにより、テープ状基材の表面に超電導層を成膜するＣＶＤ装置において、原料ガスを１０ｍ／ｓ以上の噴出速度で噴出する原料ガス噴出部と、テープ状基材を支持するとともに伝熱により加熱するサセプタと、サセプタを加熱するヒータと、ヒータが原料ガスと接触するのを防止するために不活性ガスを導入する不活性ガス導入部とを有する反応室に、原料ガス噴出部から噴出された原料ガスをテープ状基材の表面に案内する原料ガス輸送路を、サセプタから所定間隔だけ離間して配設する。 （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】サファイア、ＧａＡｓ、シリコンまたは炭化ケイ素といった異種基板上で第３族窒化物の半導体材料の層を１層以上成長させる上で遭遇する、少なくともいくつかの問題に対処する。
【解決手段】ラミネート基板システムは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（５）と支持基板材料（４）（または当該材料と一般化学組成が同一である材料）とが交互に積層された多数の層からなる変成遷移領域（２）を含む。転位密度が低い第３族窒化物半導体素子（２）がラミネート基板システム上に形成される。変成遷移領域（２）の多数の層（４、５）は、格子定数が支持基板（１）（支持基板付近）の格子定数から素子（３）（素子付近）の格子定数へと成長方向に沿って変化する超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】発熱体ＣＶＤ法を用いて、プラスチック成形体の表面に高いガスバリア性と耐水性とを兼ね備えたガスバリア薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】プラスチック成形体９１の表面に、密着層８１とガスバリア発現層８２とを順次有するガスバリア薄膜９２を形成するガスバリア性プラスチック成形体９０の製造方法において、プラスチック成形体の表面に、発熱体ＣＶＤ法で、原料ガスとして一般式（化１）で表される有機シラン系化合物を用いて、密着層として構成元素の１つがＳｉである層を形成する工程１を有する。（化１）Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＨ（一般式（化１）中、Ｒ^１はメチル基を表し、かつ、Ｒ^２，Ｒ^３は水素若しくはメチル基を表すか、又は、Ｒ^１はビニル基を表し、かつ、Ｒ^２，Ｒ^３は水素若しくはメトキシ基を表す。） （もっと読む）

【課題】原料溶液供給部における原料タンクの交換を効率よく安全に実行できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】タンク出口バルブ、不活性ガス供給ラインバルブ、排出ラインバルブ、原料溶液供給ラインバルブ、溶媒供給ラインバルブとを有する原料溶液部において、タンク出口バルブ、不活性ガス供給ラインバルブ、排出ラインバルブ、原料溶液供給ラインバルブ、及び溶媒供給ラインバルブで囲まれた特定領域に残留する液体が、排出ラインバルブ側に自然流下するように、排出ラインバルブから原料溶液供給ラインバルブに向けて鉛直上方に延びる直線状の主配管に、タンク出口バルブ、不活性ガス供給ラインバルブ、及び溶媒供給ラインバルブを接続する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記上部層の層厚方向に０．１μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域に存在する孔径２〜３０ｎｍの空孔の空孔密度を測定した場合に、空孔密度が２００〜５００個／μｍ^２の厚み幅領域と空孔密度が０〜２０個／μｍ^２の厚み幅領域とが、上部層の層厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されている空孔分布形態を有する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層がすぐれた靭性、耐チッピングを備え、長期の使用にわたってすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）改質ＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記改質ＴｉＣＮ層の膜厚方向に、０．０２μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域における平均粒径Ｄの膜厚方向変化を調べた場合に、平均粒径Ｄが０．５〜１．５μｍである厚み幅領域と、平均粒径Ｄが０．０５〜０．３μｍである厚み幅領域とが、上記改質ＴｉＣＮ層の膜厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されていることによって、下部層の上記改質ＴｉＣＮ層の平均粒径Ｄが膜厚方向に沿って０．５μｍ〜５μｍの周期で周期的に変化する結晶粒組織構造を備える。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層として少なくともＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層、上部層としてＺｒ含有κ−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒とＺｒ含有α−型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒との混合相からなるＺｒ含有Ａｌ_２Ｏ_３層が形成された表面被覆切削工具において、下部層には、ＴｉＣＮ｛１１０｝結晶粒とＴｉＣＮ｛１１２｝結晶粒が合計面積割合で６０％以上形成され、また、ＴｉＣＮ｛１１０｝結晶粒の上方には上部層のＺｒ含有κ−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒が、また、ＴｉＣＮ｛１１２｝結晶粒の上方には上部層のＺｒ含有α−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒が夫々形成され、Ｚｒ含有α−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒のうちの３０％以上はＡｌ_２Ｏ_３{０００１}結晶粒で構成され、Ｚｒ含有α−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒のクラック密度はＺｒ含有κ−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒のそれよりも高い。 （もっと読む）