【課題】ガラス板とその上に形成された酸化錫膜とを備えた透明導電膜付きガラス板を改良し、可視域から近赤外域にかけての広い波長域において光を効果的に散乱させるに適した構造とする。
【解決手段】本発明による透明導電膜付きガラス板においては、ガラス板１の上に形成された透明導電膜３が、酸化錫を主成分とする層３１と、層３１の表面上に配置された酸化亜鉛または酸化インジウムを主成分とする島部３２とを有し、透明導電膜３の表面に、島部からなる第１凸部３２とともに、層の表面に存在する第２凸部３３が露出している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＤＰ−ＣＶＤ装置（１）の処理室内に半導体基板（１００）を搬入し、半導体基板上に化学気相成長法により第１膜（例えば、酸化シリコン膜）を形成する。その後、リモートプラズマ装置（２０）内から、Ａｌを含有する材料よりなる配管であって、その内壁にコーティング材料層を有する配管（１０）を通して、処理室内にラジカル化されたガス（例えば、フッ素ラジカル）を導入することにより処理室の内壁に付着した第１膜（例えば、酸化シリコン膜）を除去（クリーニング）する。かかる方法によれば、コーティング材料層により、発塵を低減し、クリーニング効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】次の式の前駆体を用いて、原子層堆積によって、金属含有フィルムを形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ⁴）Ｃ（Ｏ）ＸＲ⁵_y）₂（ここで、Ｍは、第四族金属であり；Ｒ¹及びＲ²は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より、同じく又は異なって選択されることができ；Ｒ³は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択されることができ；Ｒ⁴は、水素、Ｃ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；Ｒ⁵は、Ｃ_1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；ＸはＯ又はＮであるが、Ｘ＝Ｏの場合、ｙ＝１であり且つＲ^1、2及び5が同じとなり、Ｘ＝Ｎの場合、ｙ＝２であり、且つ各Ｒ⁵は同じものとなることができ、又は異なるものとなることができる）。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布や膜質に優れた薄膜を、成膜速度を維持しつつ堆積することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に基板を搬入し、真空容器内に回転可能に設けられた回転テーブルに基板を載置するステップと、回転テーブルを回転するステップと、第１の反応ガス供給部から基板に対して第１の反応ガスを供給し、第１の反応ガスを基板に吸着させる吸着ステップと、第２の反応ガス供給部から基板に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給し、基板に吸着される第１の反応ガスと第２の反応ガスを反応させて、基板に反応生成物を形成する形成ステップと、第１及び第２の反応ガス供給部からから回転テーブルの周方向に離間して設けられるプラズマ発生部に対して水素含有ガスを供給し、回転テーブルの上方にプラズマを生成するステップとを含む成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 基板が収容された処理室内に光を照射して複数枚の基板を連続的に処理する際に、基板間における基板処理の均一性を向上させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ、基板を載置する載置面を備える基板載置部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、基板載置部の載置面に対向する位置に設けられ、処理室内に向けて光を照射する光源を備える光源格納室と、処理室と光源格納室とを気密に隔離する光透過性窓と、光透過性窓の温度を調整する窓温度調整部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】耐密着性に優れ、耐欠損性に優れた表面被覆部材を提供する。
【解決手段】基体２の表面に、ＴｉＣＮ層４と、Ｔｉ、Ａｌ、炭素および酸素を含み、平均膜厚が５〜３０ｎｍで途切れることなく存在する中間層５と、α型Ａｌ_２Ｏ_３層９とが順に被着形成された積層体を有する被覆層３を備え、ＴｉＣＮの（２００）面に帰属される回折ピークが現れる２θの値θ_ｔとＪＣＰＤＳカードのθ_ｔ０との差△θ_ｔ（＝θ_ｔ−θ_ｔ０）と、Ａｌ_２Ｏ_３のα型結晶構造の回折ピークが現れる各結晶面の２θの値θ_{ａ（ｈｋｌ）}とＪＣＰＤＳカードのθ_{ａ０（ｈｋｌ）}との差△θ_{ａ（ｈｋｌ）}（＝θ_{ａ（ｈｋｌ）}−θ_{ａ０（ｈｋｌ）}）と、の差△θ_ｚ（ｈｋｌ）（＝△θ_ｔ−△θ_{ａ（ｈｋｌ）}）がいずれも−０．２°〜０．２°の表面被覆部材１である。 （もっと読む）

【課題】対向拡散ＣＶＤにより形成されるシリカ膜を備えたガス分離材の製造方法において、欠陥が存在する多孔質基材を用いても、良好な性能を有するシリカ膜を安定して形成することができるガス分離材の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質基材１２とシリカ膜とを備えるガス分離材を製造する方法が提供される。該方法は、多孔質基材１２を用意する工程と、前記基材１２の一方の面側１２ａにシリカ源含有ガス２として不活性ガスと共に供給される気化したシリカ源と、該基材１２の他方の面側１２ｂに供給される酸素含有ガス３とを反応させる化学蒸着法によって、該基材１２にシリカ膜２１を形成する工程と、前記シリカ膜２１を形成する工程において排出されるガス組成をガスクロマトグラフィーにてモニタリングすることによって、前記シリカ膜２１の形成の終了点を決定する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高温高湿条件下に長時間曝露した後でも、オリゴマーの析出による白濁を生じず、且つ、良好な導電性及び可撓性を保持する透明導電性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 透明基材フィルムの両面にオリゴマー析出ブロック層を積層し、次いで、そのいずれか一方の面に導電性薄膜層を積層してなる透明導電性フィルムであって、該オリゴマー析出ブロック層は、プラズマＣＶＤ法によって蒸着された炭素含有酸化珪素蒸着膜からなる層であることを特徴とする透明導電性フィルムを提供する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部８０を設けて反応生成物の改質処理を行うにあたり、天板１１に開口部１１ａを形成し、この開口部１１ａ内に筐体９０を配置する。そして、この筐体９０の内部に、回転テーブル２上のウエハＷに近接するようにプラズマ発生部８０を収納する。また、プラズマ発生部８０とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を設けて、プラズマ発生部８０で発生する電界及び磁界のうち電界を遮断して磁界をウエハＷに到達させるために、当該ファラデーシールド９５にスリット９７を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、処理容器内の温度分布を推測する技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの一面側を径方向に沿って繰り返し走査し、複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶する記憶部と、回転テーブルを静止させて温度が安定した後、回転テーブルを回転させる間に放射温度測定部により繰り返し回転テーブルの一面側を走査し、回転テーブルの静止時における処理容器内の温度分布を推測するために、回転テーブルの一面側の温度分布をデータ処理部に表示させる制御部と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層と中間層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、（ａ）下部層はＴｉ化合物層からなり、（ｂ）中間層は、κ型結晶構造のＡｌ_２Ｏ_３層にＺｒを０．００４〜０．１２％（ただし、全体組成に対するＺｒの割合を原子％で示す）含むＺｒ含有κ型Ａｌ_２Ｏ_３層（下部中間層）と、該下部中間層の表面に部分的に形成されたＺｒＯ_２薄層（上部中間層）からなり、（ｃ）上部層は、その垂直断面を観察した場合、κ型Ａｌ_２Ｏ_３相と上記ＺｒＯ_２薄層上に形成されたα型Ａｌ_２Ｏ_３相のα−κ混合組織を有し、さらに、その表面研磨面を観察した場合、α型Ａｌ_２Ｏ_３相の周囲をκ型Ａｌ_２Ｏ_３相が囲繞するα−κ網目状混合組織を有するＡｌ_２Ｏ_３層からなる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、回転中の回転テーブルにおける基板の温度分布を測定すること。
【解決手段】
処理容器内に設けられた回転テーブルの回転時に当該回転テーブルの一面側を、径方向に沿って繰り返し走査して複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、前記回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶するための記憶部と、走査の周期及び回転テーブルの回転数に基づいて特定された各スポット領域のアドレスに温度測定値を書き込むためのデータ作成部と、前記記憶部に書き込まれた温度データに基づいて、基板の温度分布を含む回転テーブルの一面側の温度分布を表示する処理を行うデータ処理部と、を備えるように温度測定装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法による酸化モリブデンを含有する薄膜の製造においてプレカーサの輸送性に優れ、基板への供給量の制御が容易かつ安定供給が可能であり、量産性良く良質な酸化モリブデンを含有する薄膜を製造できる方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有してなる薄膜形成用原料を気化させて得たモリブデンアミド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、さらに酸化性ガスを導入することで分解及び／又は化学反応させて基体上に薄膜を形成する、酸化モリブデンを含有する薄膜の製造方法。式中、Ｒ¹、Ｒ²は炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基を表し、Ｒ³はｔ−ブチル基又はｔ−アミル基を表し、ｙは０又は２を表し、ｘはｙが０のときに４であり、ｙが２のときに２であり、複数存在するＲ¹、Ｒ²はそれぞれ同一でもよく、異なっても良い。
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【課題】大気開放することなく真空槽内に付着したＺｒ化合物を除去することのできるＺｒＢＯ膜の形成装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１０は、基板Ｓを収容して接地電位に接続される真空槽と、載置された基板Ｓを加熱する基板ステージ１３と、真空槽内に活性状態の酸素ガスと、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４とを各別に供給するシャワープレート１６とを備え、加熱された基板Ｓ上でＺｒＢＯ膜を形成する。シャワープレート１６は、チャンバ本体１１に対して電気的に絶縁された導体であり、シャワープレート１６に接続された高周波電源ＲＦ１と、真空槽内にフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給部とを備え、基板Ｓが真空槽内に収容されていない状態で、クリーニングガス供給部は、真空槽内にフッ素ガスを供給し、高周波電源ＲＦ１は、シャワープレート１６に供給する高周波電力でフッ素ガスをプラズマ化して真空槽内に付着したＺｒ化合物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムを含む薄膜の成膜処理をした後に、ゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜処理する場合に、後の成膜処理におけるゲルマニウム汚染を抑える熱処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを保持具２５に保持させて反応容器２内に搬入し、熱処理を行う熱処理装置１の運転方法において、反応容器２内に処理ガスを供給すると共に反応容器２内を加熱して、被処理体Ｗにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗが搬入されていない状態クリーニングガスを供給して前記反応容器２内に成膜された薄膜を除去する工程と、酸化ガスと、水素ガスとを反応容器２内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器２内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗを搬入して処理ガスを供給すると共に加熱して、被処理体にゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】耐プラズマ性が高く、低温成膜が可能なアモルファスカーボン膜の成膜方法、およびそのようなアモルファスカーボン膜の成膜方法を適用した、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、処理容器内に炭素と水素と酸素とを含む処理ガスを供給し、処理容器内の基板を加熱して処理ガスを分解して、基板上にアモルファスカーボン膜を堆積する。この方法を半導体製造装置のエッチングマスクの形成に適用して半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】酸化物層の形成方法及びそれを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に反応抑制作用基の層を形成する段階と、反応抑制作用基の層上に金属前駆体または半導体前駆体の層を形成する段階と、金属酸化物または半導体酸化物の層を得るために金属前駆体または半導体前駆体を酸化させる段階と、を含む酸化物層の形成方法を提供する。これにより、優秀な厚さ均一性を持つ酸化物層が形成でき、故に電気的特性の優秀な半導体素子を製造できる。 （もっと読む）

【課題】上下方向で基板両面が基板よりも大きい輪郭の処理手段で覆われる場合でも基板とマスクの相対位置を撮像し、基板とマスクを精度よく位置決めでき、ＣＶＤ装置に適用したときでも、膜厚や膜質の面内均一性よく成膜できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１ａ内で基板Ｓに対向配置されるマスクＭと、基板に対してマスクを相対移動させる移動手段６３と、基板上側に配置されて基板の片面に対してマスク越しに所定の処理を施すガス導入部３及び高周波電源５と、基板の他面を覆うように基板下側に配置される本体２１を有して基板の他面側から所定の処理を施す加熱プレート２とを備える。本体２１下側に撮像手段７を設け、本体２１に上下方向の透孔２４ａを形成すると共に透孔内に透光性部材２４ｂを埋め込んで撮像用光路２４を構成し、撮像用光路を通して撮像手段により基板とマスクの相対位置を撮像し、この撮像データを基に移動手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】走行するパネル端部近傍で均一な蒸着方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの支持体２上に配置された、少なくとも１つのパネル１の表面を処理する方法に関し、ガス、液体または微粉固体材料を吹き付けることにあり、この場合、上記支持体はパネル端部を超えて突き出し、吹付け材料の障壁として作用する。吹付け材料は、パネルに平行で、パネルの全端部の近傍で外側の方向に付勢される。このようにして、エッジ効果は打ち消され、この処理によって、パネル中心における効果と同一効果を端部に沿って生成する。この処理はさらに、例えば、ＳｎＯ_２：ＦなどのＣＶＤ蒸着の形態を取ることもできる。 （もっと読む）