【課題】複数の原料ガスを交互に供給することにより基板上に成膜する反応室の下流側に設けられるバルブや真空ポンプ等の劣化を抑制することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される反応室と、第１の原料ガスをその原料供給源２２から前記反応室へ供給する第１の原料ガス供給手段と、前記第１の原料ガスと反応する第２の原料ガスをその原料供給源４２から前記反応室に供給する第２の原料ガス供給手段と、前記第１の原料ガスと前記第２の原料ガスとが交互に前記反応室に供給されるように前記第１の原料ガス及び前記第２の原料ガスの流れを制御する原料ガス制御手段と、前記反応室から排出される原料ガスが供給されるトラップ６１と、前記第２の原料ガスをその原料供給源４２から前記反応室を経由せずに前記トラップ６１に供給する手段とを有する真空成膜装置１。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を維持するとともに、成膜速度を向上させることができるプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に原料ガスを供給する原料ガス供給口１１２と、前記原料ガスを排気する排気口１１４と、を備える成膜容器１１０と、前記成膜容器内に設けられ、基板Ｓを支持する基板支持部１２０と、前記成膜容器内に設けられ、前記原料ガスに曝され、複数の第１開口部１３５を備える第１電極１３０と、前記成膜容器内に設けられ、誘電体で覆われ、複数の第２開口部１４５を備える第２電極１４０と、プラズマを発生させるため、第１電極と第２電極とに高周波電力を印加する高周波電源１５０と、を備え、第２電極は第１電極に対して、前記原料ガス供給口から供給される原料ガスの下流側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】静電容量が大きく、リーク特性に優れたキャパシタを容易に形成する。これにより、データ保持特性にすぐれ、集積度の高いＤＲＡＭ等の半導体装置を容易に形成する。
【解決手段】キャパシタの容量絶縁膜は、第１領域と第２領域を有する。第１領域は、Ｓｒ／Ｔｉの原子組成比が１．２以上１．６以下の範囲であるチタン酸ストロンチウムからなる。第２領域は、Ｓｒ／Ｔｉの原子組成比が０．８以上１．２未満の範囲であるチタン酸ストロンチウムからなる。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスを用いてＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法では、ケイ素前駆体は、Ｒ¹_nＲ²_mＳｉ（ＮＲ³Ｒ⁴）_4-n-m、及び（Ｒ¹Ｒ²ＳｉＮＲ³）_pの環状シラザンの１つから選択され、式中、Ｒ¹はアルケニル又は芳香族、例えばビニル、アリル及びフェニルであり、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴はＨ、Ｃ₁〜Ｃ₁₀の直鎖、分枝又は環状のアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₀の直鎖、分枝又は環状のアルケニル、及び芳香族から選択され、ｎ＝１〜３、ｍ＝０〜２、ｐ＝３〜４である。 （もっと読む）

【課題】 膜質の均一性に優れた堆積膜を有する電子写真感光体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 真空気密可能な反応空間を有する反応容器内に、導電性の基体ホルダーに保持された導電性の円筒状基体および導電性の円筒状補助基体を設置し、該反応容器内に堆積膜形成用の原料ガスと高周波電力を導入してプラズマを生成することにより、該円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、該円筒状基体の端部と該円筒状補助基体の端部とが導電性材料を介して相接している状態で、該堆積膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】副次的問題を発生させることなく、膜品質を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容する処理室と、前記基板を積層して支持する基板支持具と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、前記ガス供給手段は、前記複数の基板間に開口する複数のガス供給孔と、前記処理ガスを紫外線光により活性化する紫外線照射部を有する前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設するノズルであって、前記制御部は、前記ガス供給孔から紫外線光とともに前記処理ガスを前記複数の基板間に供給して該処理ガスを励起するよう前記ガス供給手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いて、微細な段差を有する基板をルテニウム薄膜で被覆するには、低温で薄膜を形成させることが必要であり、低温で成膜可能なルテニウム化合物が望まれていた。
【解決手段】ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、及びビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムに対して０．１〜１００重量％の熱分解温度１００℃〜３００℃のルテニウム錯体を含有するルテニウム錯体混合物を原料として用い、ＣＶＤ法等によりルテニウム含有膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】形状や大きさ等が互いに異なる複数種類の樹脂基材の表面に、被膜を、１個の装置で迅速に且つ効率的に形成可能な樹脂基材の表面被膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１６内を減圧状態とする排気手段４６，４８と、真空チャンバ１６内に反応ガスを導入するガス導入手段５０，５２と、真空チャンバ１６内に誘導電磁界を形成して、該真空チャンバ１６内に導入された反応ガスの誘導結合プラズマを生成する誘導電磁界形成手段２８とを、真空チャンバ１６に設ける一方、前記ガス導入手段５０，５２が、真空チャンバ１６内に開口するガス導入口５６を備えた導入ヘッド５４と、該ガス導入口５６の該真空チャンバ１６内での開口位置を変更させる開口位置変更機構５８とを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】単一種のフルオロカーボンを含む二酸化前駆体のみを使用して、大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を沈積でき、低誘電材料の耐熱性と耐水性を向上できる、低誘電材料及びその薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず基板をプラズマ生成反応システムに入れ、その後フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を運ぶキャリアガスをプラズマ生成反応システム中に導入し、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を基板上に形成させ、さらに加熱方式でフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を低誘電材料薄膜に転化させ、同時に低誘電材料薄膜の応力を除去し、より緊密な構造とする工程によって、各種異なる雰囲気下でも、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体が大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能を有するとともに、折り曲げ耐性、平滑性に優れたガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルム、そのガスバリアフィルムを用いた電子機器を実現する。
【解決手段】樹脂フィルムなどの基材１上に、プラズマＣＶＤ法などの蒸着法によって形成された金属酸化物を含有する蒸着層２と、ポリシラザンを含む液体を塗布し乾燥した後に真空紫外光を照射して形成されたポリシラザン改質層３とを積層した構成のガスバリアフィルム１０において、蒸着層２に真空紫外光を照射するエキシマ処理と、ポリシラザン改質層３にプラズマを照射するプラズマ処理の、少なくとも一方を施すこととした。 （もっと読む）

【課題】誘電率が２．７以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率（ｋ）膜、および膜の製造方法を提供する。
【解決手段】多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．４以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約５以上であり、硬度が約０．７以上である。好適な多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．２以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約３以上であり、硬度が約０．３以上である。 （もっと読む）

【課題】形成される薄膜中に残留する副生成物や中間体の濃度を制御して基板処理することができる半導体製造方法や基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給するガス供給工程と、前記ガス供給工程に続けて、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給しつつ、前記供給されたガスに紫外光を照射して励起する第１のガス励起工程とから、半導体製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用い、誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで成膜を行なう成膜装置であって、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って高品質な成膜を安定して行なうことを可能にする成膜装置を提供する。
【解決手段】 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用いると共に、この電極ローラ対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路を用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率を有する薄膜を改質する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】高誘電体膜が形成された基板を処理室へ搬入する工程と、基板にマイクロ波を照射することにより、高誘電体膜を加熱して改質する工程と、基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで基板の処理を行なうに際し、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って安定して高品位な処理を行うことを可能にするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、２０ｋＨｚ〜３ＭＨｚで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いられるキャパシタを効率よく、しかも少ない占有床面積で行うことができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上に下電極を形成する工程（Ｓ１０４）と、下電極の上に、それぞれ異なる金属元素を含む３種の金属酸化膜を積層して誘電膜を形成する工程（Ｓ１０６、Ｓ１０８、Ｓ１１０）と、誘電膜の上に、上電極を形成する工程（Ｓ１１２）と、を有し、各工程は同一の装置で行う。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜中に取り込まれたＯＨを除去し、信頼性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気する工程と、処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを１回以上行うことで基板上に高誘電率絶縁層を形成する工程と、処理容器内にアンモニアガスを供給し排気することで高誘電率絶縁層を改質する工程と、を１セットとしてこのセットを１回以上行うことで基板上に所定膜厚の高誘電率絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーと、平行ないしほぼ平行に対向して配置され、内部に磁場発生部材６１，６２を備えている一対の成膜ロール３１，３２と、極性が反転するプラズマ電源とを備えるプラズマＣＶＤ成膜装置を用いて行われる積層体の製造方法であって、真空チャンバー内で、長尺の基材の表面の第一の部分と、基材の表面の第二の部分とが対向するように基材を成膜ロールに巻き掛けた状態で基材を搬送しながら、成膜ロールの間の成膜空間に有機珪素化合物のガスと酸素ガスを含む成膜ガスを供給し、磁場発生部材により成膜空間に磁場を発生させ、成膜ロール間にプラズマ電源により放電プラズマを発生させ、基材上に連続的に薄膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】フィルムを屈曲させた場合でもガスバリア性の低下を十分に抑制可能な積層フィルムが提供される。
【解決手段】この積層フィルムは、基材と、前記基材の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層は珪素、酸素及び炭素を含有する層であって、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、該層の珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線が、下記条件（i）〜（iii）を全て満たす層を含む：(i)前記炭素分布曲線が実質的に連続であること、(ii)前記炭素分布曲線において、炭素の原子比が、該層の膜厚の全領域において１ａｔ％以上であること、及び (iii) 前記炭素分布曲線は、炭素の原子比が増加の傾斜領域と炭素の原子比の減少の傾斜領域とを有すること。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）