【課題】 基材への密着性に優れ、他への移行成分を含まず、他の成分を吸着せず、しかも再利用でき、撥水性に優れる離型紙などに用いる撥水性皮膜３の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材１へ、表面自由エネルギーが１６〜４０ｍＮ／ｍの撥水性皮膜３の製造方法であって、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、トリストリメチルシロキシメチルシラン、テトラキストリメチルシロキシシランからなる選択される少なくとも１種の原料ガスと酸素ガスとを少なくとも含む混合ガスを、ｓｃｃｍ基準で原料ガス：酸素ガス＝１００：０．００１〜９の流量比で、真空槽内に導入し、真空度が０．１〜１５Ｐａで、プラズマが作成可能以上で６ｋＷ以下の蒸着源分解出力で、プラズマ化学気相成長方式により、炭素含有酸化ケイ素の撥水性皮膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】別途加熱手段を設けることなく、真空室に送り込む原料ガスを加熱するとともに、基板を適切に加熱することで、安定して基板上に膜を形成することができる熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを内部に配置するとともに所定の真空度を維持し得る加熱室１３を有して、熱化学気相成長法により基板Ｋに原料ガスＧを供給してカーボンナノチューブを成長させる熱ＣＶＤ装置であって、基板Ｋの上方で且つ加熱室１３内に配置されて基板Ｋを加熱する加熱装置２１と、この加熱装置２１の上方に配置されて加熱装置２１により加熱される渦巻状の被加熱部３３を有するとともに基板Ｋの下方から原料ガスＧを供給するガス供給管３１とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】帯状可撓性基板を縦姿勢で横方向に往復搬送させつつ成膜を行う薄膜積層体製造装置において、各搬送方向に対応した搬送高さ制御を低コストかつ簡単な操作で実施可能な基板位置制御装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１の縁部を挟持する一対の挟持ローラ（３１，３２）と、前記一対の挟持ローラを回転可能かつ相互に接離可能に支持する支持機構（３３〜３６）と、前記支持機構を介して前記一対の挟持ローラに挟圧力を付与するスプリング４２と、を備え、前記基板の縁部に、前記一対の挟持ローラの挟圧力に応じた展張力を作用させるものにおいて、前記スプリングの付勢力を前記支持機構にトルクとして伝達する伝達部材（３７〜３９）と、前記一対の挟持ローラの挟圧力を調整すべく、前記スプリングの支持点（４１ｂ）を前記伝達部材との連結点（３９ａ）の周りで角変位させる操作部材（４１）と、前記操作部材を所定の角変位に保持可能な保持手段（４４〜４６）とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ステップ搬送の停止期間中に非成膜ゾーンで発生する張力上昇とそれに伴う応力集中を防止できるステッピングロール方式の薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１に機能性薄膜を積層形成するための薄膜形成装置で、成膜ユニット５，６，７，８を含む成膜ゾーンＺ１，Ｚ２と、成膜ゾーンの上流側および下流側に配設された第１および第２搬送制御ロール１６，２６と、搬送の停止期間中に各成膜ユニットに密閉空間を画成すべく各成膜ユニットに併設された遮蔽手段５３，５４，６３，６４，７３，７４，８３，８４と、搬送中に基板の張力を制御する第１張力制御手段１６，１７，１８，１９と、成膜ゾーンの下流側に隣接した非成膜ゾーンＺ３，Ｚ４とを備え、搬送の停止期間中に、遮蔽手段が基板を挟んで閉じた状態で、非成膜ゾーンにおける基板の張力を制御する第２張力制御手段３，４を備えた。 （もっと読む）

【課題】巻取り体の端面からのガス供給装置を設置することなく、大気開放時にゴミの流入を防止し、且つ、巻取り部材を非接触状態で維持する非接触巻取り体の製造方法。
【解決手段】５．０×１０^−４Ｐａ以下の圧力条件に保たれた真空容器の内部で、基板の端部に直接突起形状を複数設ける工程、または、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムを該基板の両端に共巻する工程を有し、次いで、前記真空容器を前記圧力条件〜大気圧条件に大気開放する工程を有する非接触巻取り体の製造方法において、該大気開放する工程が、真空状態から１．０×１０^−３Ｐａ／秒〜０．１Ｐａ／秒の速度で１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力範囲に装置内を調整する第１の圧力調整工程と、次いで、１．０×１０^１Ｐａ／秒〜５．０×１０^２Ｐａ／秒以下の速度で大気開放する第２の圧力調整工程を有することを特徴とする非接触巻取り体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】装置コストを抑制しつつ、電力印加部に付着する反応副生成物の量を大幅に減らし、優れた品質の薄膜を形成する薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜室５内で高周波電力を印加して基板１上に薄膜を形成する薄膜製造装置１００において、基板１と対面する位置に電力印加部２０が配置され、電力印加部２０の成膜室５側に電力印加電極２１が設けられ、電力印加部２０に電力を供給する給電線が接続され、電力印加部２０は、真空室１３の壁体１５と接続された支持体５７に固定された枠体５４に絶縁されて固定され、電力印加部２０と枠体５４との間に絶縁性及びシール性の間隔材５３が配設され、電力印加部２０に加熱手段のヒーター３１〜３３が設けられ、これらヒーターと電力供給手段３４との間に、給電線より供給される電力をカットする高周波カットフィルター３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、撥水性、離型性、ガスバリア性及び非転移性であり、金型への追従性にも優れ、均一かつ安定的な、環境負荷も低減され、低コストのフッ素ドープ有機成分含有有機珪素化合物の蒸着膜を有するモールディング成形用離型フィルム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラズマ化学気相蒸着法(ＰＥ−ＣＶＤ法)により、プラスチック基材上にフッ素ドープ有機成分含有有機珪素化合物の蒸着膜を形成させてなるガスバリア性、撥水性及び離型性の離型フィルム及びその製造方法において、フッ素化炭化水素化合物（フルオロカーボン）と有機珪素化合物を蒸着モノマー材料とし、希ガス及び／又は酸素ガス雰囲気下、有機珪素化合物の蒸着膜をプラズマ化学気相蒸着させ、最終的にフッ素ドープ有機成分含有有機珪素化合物の蒸着膜をプラスチック基材フィルム上に成膜することで、高速にかつ９０°以上の水接触角を有する撥水性及び離型性に優れ、ガスバリア性も付与された離型フィルムを得る。 （もっと読む）

【課題】貫通穴を目詰まりさせることなく、ガス供給電極の表面に粗面化することができ、また、貫通穴を加工する際に、穴の位置がずれたり、ドリルが破損したりすることがなく、これにより、成膜を行う際に、電極の表面に堆積した成膜物が電極から剥離して基板に付着することを抑制でき、また、安定したガス供給を行なうことができ、高品質な膜を形成することができるガス供給電極の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマの生成領域に対面する側の供給面の表面粗さを上げる粗面化工程と、粗面化工程の後に、供給面とは反対側の裏面から穴あけ加工を行なって、複数の貫通穴を形成する穴加工工程とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高周波電圧印加時の表面電流によるジュール発熱を抑制し、プラズマ放電処理の均一性を確保し、加熱による電極の破壊が防止され、更に、電極軸受け部材を互い違いに配置することで、軸受け部材間のアーク放電も防止された、プラズマ放電装置を提供する。
【解決手段】母材２００ａの表面に非磁性導電性被膜２００ｂを施し、さらに、該非磁性導電性被膜の表面を誘電体２００ｃで覆ったプラズマ放電装置に用いる誘電体被覆電極であって、該母材のヤング率が１５０ＧＰａ〜２８０ＧＰａであることを特徴とする誘電体被覆電極、プラズマ放電装置及び大気圧プラズマ処理方法。 （もっと読む）

【課題】貫通穴を目詰まりさせることなく、ガス供給電極の表面に粗面化することができ、また、貫通穴を加工する際に、穴の位置がずれたり、ドリルが破損したりすることがなく、これにより、成膜を行う際に、電極の表面に堆積した成膜物が電極から剥離して基板に付着することを抑制でき、また、安定したガス供給を行なうことができ、高品質な膜を形成することができるガス供給電極の製造方法を提供する。
【解決手段】穴あけ加工を行なって、前記複数の貫通穴を形成する穴加工工程と、
前記穴加工工程の後に、プラズマの生成領域に対面する側の供給面に、プラズマ溶射処理によって、溶射膜を形成する溶射工程とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】成膜中のストリーマの発生を抑制して、ストリーマ発生に起因する膜中へのパーティクルの混入を減少させ、抵抗率の劣化を好適に防止した低い抵抗率および良好な光学特性を有し、しかも、成膜面に適正な凹凸が無い場合でも、表面に好適なテクスチャ（凹凸）が形成された透明導電膜を、高い生産性で成膜することができる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】電極対２２にプラズマ生成用電力を供給する電源回路として、単一周波数の正弦波を発振する電源、および、パルス制御素子３６を有する電源回路を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板をドラムに巻き掛けて搬送しつつ、ドラムに電力を供給して成膜を行なう成膜装置であって、ドラム電極への基板の巻き掛け開始位置や、基板とドラムとの離間位置における、ドラムからの異状放電を好適に抑制することができ、これに起因する膜質劣化や基板の損傷等を抑制し、また、基板のバタツキによる基板の損傷を抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】ドラム３０とドラム３０に巻き掛けられた基板Ｚとが離間する位置でドラム３０の周面に対面して配置される、基板Ｚを挿通するための開口部が形成され、導電性で接地される、板状のアース板４８と、ドラム３０から離間した直後の基板Ｚを案内する搬送ローラ２２とを有し、搬送ローラ２２が、導電性で接地されており、かつ、この搬送ローラ２２の少なくとも一部が、アース板４８の開口部４８ａに入るように配置されていることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの回り込みを効果的に抑制して被処理基板の意図しない部分に膜が成膜されることを防止することのできるインライン型プラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】インライン型プラズマ成膜装置１Ａは、搬送路４上において被処理基板１００を搬送する複数の搬送ローラ３と、被処理基板１００の上面に面するようにプラズマを生成することで被処理基板１００の上面に膜を成膜するプラズマ生成部と、被処理基板１００の下面に膜が成膜されることを防止する成膜防止部材５とを備えている。成膜防止部材５は、プラズマが生成される領域に搬送路４を挟んで対面する領域でかつ搬送ローラ３が位置する部分を除く領域を上方から見て実質的に満たすように配置され、被処理基板１００の下面に対面するように設けられた平面状の成膜防止面５ａを含み、当該成膜防止面５ａの幅は、被処理基板１００の幅よりも大きく構成されている。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、基板の加熱に起因するドラムからの基板の浮きを防止し、ドラムからの浮きに起因する基板の熱ダメージを抑制した機能性フィルムを安定して製造できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 ドラムに巻きかかっている基板の非製品領域に当接して、基板と共に搬送されつつ、基板を幅方向の外側に付勢する付勢手段を有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基板を長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、不要な領域にプラズマが生成されることを防止し、この不要なプラズマに起因する基板の損傷等の無い高品質な製品を安定して作製できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 第１ユニットと、基板の搬送系を有する第２ユニットとを組み合わせて構成され、かつ、成膜中に、前記第１ユニットと第２ユニットとの間に電位差を生じないことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】誘電体被覆電極及びプラズマ放電処理装置を提供する。
【解決手段】導電性母材（中空のステンレスパイプ）３６ｂ，３６Ｂを誘電体３６ａ，３６Ａで被覆した角柱型の誘電体被覆電極３６ｃ，３６Ｃであって、誘電体３６ａ，３６Ａの空隙率が１０体積％以下である。具体的には、セラミックスの溶射を空隙率１０体積％以下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無機質の材料にて封孔処理を行う。ここでゾルゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムで形成されたガス供給電極に堆積した成膜物を除去する際に、ガス供給電極が腐食することなく、また、これにより、ガス供給穴の径が変化し、プラズマ形成が不安定になることを防止でき、薬品での洗浄が可能なガス供給電極およびガス供給電極の洗浄方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムで形成された中空の筐体と、前記筐体のガス供給面２０ａに形成された複数のガス供給穴２６ａとを有し、少なくとも前記ガス供給面および前記ガス供給穴の表面に耐薬品性の皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】帯状可撓性基板の下垂や皺の発生を抑制でき、逆方向への搬送にも対応可能な位置制御装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１を縦姿勢で横方向に搬送し、搬送経路に設置された処理部にて、処理を行なう処理装置における可撓性基板の位置制御装置１００であって、前記基板の上側縁部を挟持する一対の挟持ローラ１３１，１３２と、前記一対の挟持ローラを回転可能かつ相互に接離可能に支持する支持機構１４０と、前記支持機構を介して前記一対の挟持ローラに加圧力を付与する付勢手段１５０と、前記付勢手段による前記加圧力の調整手段１６０と、を備え、前記一対の挟持ローラを構成する各ローラが、軸方向に対して傾斜した周面を有する円錐ローラであり、前記各円錐ローラの小径側が前記基板の幅方向中央側に位置しかつ前記基板の挟持面における回転方向が前記基板の搬送方向と同方向になるように、前記支持機構によって支持されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に生成する膜を全面でより均一にできるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】熱化学気相成長法により基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを生成する加熱室１３を有するカーボンナノチューブ形成用の熱ＣＶＤ装置であって、加熱室１３内を所定方向に移動される所定幅の基板Ｋを側面視が円弧形状となるように保持し得るガイド板２３を具備するとともに、このガイド板２３により保持される基板Ｋの円弧中心位置に原料ガスＧの放出口５を基板Ｋの幅方向に沿って配置したものである。 （もっと読む）

【課題】真空の装置内で長尺な可撓性フィルムを段付きローラの保持部に巻き掛け保持させて搬送する際に、保持部での保持力を顕著に向上させることができる。
【解決手段】所定の真空度に制御された装置内で長尺な可撓性フィルムＷを搬送する搬送装置５０であって、両端部に中央部よりも大円径な保持部５４を有し、該保持部５４に可撓性フィルムＷを巻き掛け保持して搬送する段付きローラＲを備えた搬送装置５０において、保持部５４表面には可撓性フィルムＷの真空下での弾性変形力に応じて下記に定義される接触面積相対値が１を超える凹凸形状５８が形成されている。保持部５４表面が滑らかなフラット面であるとしたときに可撓性フィルムＷと保持部５４表面とが接触する面積をＸとし、保持部５４表面が凹凸形状５８面であるとしたときに可撓性フィルムＷと保持部５４表面とが接触する面積をＹとしたときに、Ｘに対するＹの比率を接触面積相対値とする。 （もっと読む）