等しい荷重下で、等しい寸法のポリエチレンテレフタレートフィルムの少なくとも２倍の引張伸びを有する高分子フィルムと、平坦化層と、ケイ素、炭素、及び水素を含むプラズマ蒸着非晶質ガラス層と、を含み、平坦化層が高分子フィルム上に配置され、非晶質ガラス層が平坦化層上に蒸着され、２％〜２０％の範囲内の引張伸びを受けた後、十分な適合性を有し、伸ばされる前と比較して本質的に不変の水蒸気透過度を有する、適合性バリアシートと、適合性バリアシートの作製方法と、適合性バリアシートを含む経皮用品と、該用品を使用して哺乳動物に薬物を送達する方法と、適合性バリアシートを使用して物品を保護する方法と、を提供する。
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【課題】赤外線領域での遮熱性能に優れ、色味調整が容易で、誘電体膜積層膜のクラック耐性、耐衝撃性に優れ、低ヘイズで、耐久性（耐光性）に優れた誘電体膜積層体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】基材上に、無機顔料を含有する層と、低屈折率誘電体膜と高屈折率誘電体膜とを交互に積層した誘電体膜ユニットとを有することを特徴とする誘電体膜積層体。 （もっと読む）

【課題】電極を大面積化しても、電極の中心部と電極の周辺部とでプラズマ生成空間におけるガスの組成が異なることを抑制できるようにする。
【解決手段】成膜室１００は、第１電極１２０及び第２電極１４０を有している。第１電極１２０には高周波が入力される。第２電極１４０は、第１電極１２０に対向して配置され、孔を有するフレキシブル基板１０が接する。第２電極１４０には、排気孔が形成されている。排気孔は、フレキシブル基板１０の孔を介して第１電極１２０及び第２電極１４０の間のプラズマ生成空間を排気する。 （もっと読む）

【課題】長尺のシート状基板Ｓを真空処理室２を通して搬送し、シート状基板Ｓに所定の処理を施す真空処理装置における基板搬送装置であって、真空処理室２の上流側と下流側に夫々連設した上流側補助真空室３_１や下流側補助真空室３_２に繰出しローラや巻取りローラを収納せずに、且つ、真空処理室２を大気解放せずにシート状基板Ｓを搬送できるようにしたものを提供する。
【解決手段】上流側補助真空室３_１の入口部と、下流側補助真空室３_２の出口部と、真空処理室の入口部及び出口部とに，夫々シート状基板Ｓを挟むようにして閉じる仕切り弁４を配置する。また、上流側補助真空室３_１と下流側補助真空室３_２とに、夫々所定長さ分のシート状基板Ｓを引き込み、引き込んだシート状基板を引き出し自在に保持する基板引き込み機構５_１，５_２を配置する。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などによりシート状の基材表面に皮膜を形成するためのシート成膜装置において、水冷構造による構造複雑化を招来することなく、成膜処理等で生ずる熱による膨張変形での各ロールの平行度の狂いを防止できるようになる。
【解決手段】本発明に係るシート成膜装置は、表面に成膜が行われるシート状の基材が巻き付けられる成膜ロール５と、成膜ロール５が内部に配備された真空チャンバ３とを有すると共に、成膜ロール５の両端を内側壁で支持する一対のベース板２２と、少なくとも両側が開口３０となっているチャンバ基体２０とを有し、一対のベース板２２の外側壁が大気開放状態となるように、チャンバ基体２０の開口３０に一対のベース板２２の各々を組み付けることで、真空チャンバ３を構成している。 （もっと読む）

流体分配マニホールドは第1プレート及び第2プレートを有する。前記第1プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第1プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第1プレートを変形可能にする厚さを有する。前記第2プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第2プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第2プレートを変形可能にする厚さを有する。少なくとも前記第1プレート及び前記第2プレートの少なくとも一部は、流体流を導く流路を画定する凹凸パターンを画定する。前記第1プレート及び前記第2プレートは1つとなって、前記長さ次元と前記幅次元のうちの少なくとも1つに沿った高さ次元において非平面形状を形成する。
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【課題】長尺のシート状基板Ｓを真空処理室２に配置したドラム３を介して搬送し、この真空処理室２に配置した複数の成膜ユニット４_１，４_２，４_３によりシート状基板に複数の薄膜を積層して成膜する成膜装置であって、積層膜を高品質で能率良く成膜でき、且つ、装置の大型化も回避できるようにしたものを提供する。
【解決手段】複数の成膜ユニット４_１，４_２，４_３をドラム３に対向する所定の成膜位置に選択的に移動させるインデックス機構５と、真空処理室２の入口部と出口部に夫々配置した仕切り弁８と、真空処理室２内の入口部側と出口部側とに夫々配置した基板引き込み機構９_２，９_３とを備える。両基板引き込み機構９_２，９_３間でシート状基板Ｓを往復搬送し、搬送方向を切換える度に異なる成膜ユニットを成膜位置に移動して、シート状基板Ｓに複数の薄膜を積層して成膜する。 （もっと読む）

流体分配マニホールドは、第１のプレートと第２のプレートとを備える。少なくとも第１のプレートおよび第２のプレートの少なくとも一部は、レリーフパターンを画成する。レリーフパターンによって画成される流体流配向パターンを第１のプレートおよび第２のプレートが形成するように、第１のプレートと第２のプレートとの間に金属結合剤を配設する。
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【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、皮膜の脱落や基材への傷つきを防止した上で、成膜ロールの端部に皮膜が形成されることを防止する遮蔽部材を容易に交換できるようにする。
【解決手段】本発明のＣＶＤ装置１は、真空チャンバ３と真空チャンバ３内に配備されると共に電源４の両極が接続され且つ各々に成膜対象であるシート状の基材Ｗが巻き掛けられる成膜ロール２と成膜ロールの端部９をプラズマから遮蔽する遮蔽部材５とを備えたものであり、遮蔽部材５は成膜ロールの端部９表面の周方向に沿うような湾曲形状で成膜ロール２とは別の部材とされていて、遮蔽部材５と成膜ロール２とは一定のクリアランス１０を有するように配備されると共に互いが同電位に保持されていて、このクリアランス１０はシート状の基材Ｗが差し込み可能であると共にプラズマ１１が成膜ロール２の端部側まで進入することを防止可能な距離に設定されている。 （もっと読む）

ＡＬＤ薄膜堆積のシステム２００，３００および方法は、複数の分離された前駆体ゾーン２１４，２１６，３１４，３１６を含んだ移動を基本としたプロセスにおいて、過剰の化学吸着されていない前駆体を基板２１０，３１０の表面から除去する過剰の前駆体を除去する機構２８０，３８０を備える。過剰の前駆体を除去する機構２８０，３８０は、過剰の前駆体を、分離された前駆体ゾーンに達する前に遊離させるために、局所化された高温状態、高エネルギー状態または過剰の前駆体の共沸混合物を導入し、これにより、熱による基板の分解を生じさせることなく、ＣＶＤ堆積の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】皮膜フレークに起因する基材上の皮膜欠陥の発生を最小にすることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ３と、この真空チャンバ３内に配備され且つ交流電源８の両極が接続された一対の成膜ロール２，２とを有し、この一対の成膜ロール２，２に巻き掛けられたシート状の基材Ｗの表面に皮膜を形成するものであって、一対の成膜ロール２，２の回転中心を結んだラインより一方側の領域の一部又は全部が成膜エリアＤとされ、成膜エリアＤに原料ガスを供給するガス供給手段５と、成膜エリアＤから原料ガスを排気する排気手段６とが成膜エリアＤ内に配設され、成膜エリアＤ内に位置する一対の成膜ロール２，２の表面にプラズマを生成しプラズマ領域Ｐを形成する磁場発生手段７が設けられ、基材Ｗが前記プラズマ領域Ｐを通過するように、一対の成膜ロール２，２に基材Ｗが巻き掛けられる。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有しており、しかもフィルムを屈曲させた場合においてもガスバリア性の低下を十分に抑制することが可能なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備えるガスバリア性積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、規定の条件満たすことを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

コーティング装置が非直交コータ・ジオメトリを含み、それによってガラス・リボンに対するコーティングを改善し、またコーティングの収率を改善する。コーティング装置は、リボンを、ガラス形成チャンバ内に設けたコーティング区間を通る第１の仮想的なストレートライン２３に沿って移動させるための第１の装置を含む。コータは、コーティング・ノズル８０及び排出孔８３を有し、それぞれが長手方向の軸線を有する。コーティング・ノズル８０は、コーティング蒸気をコーティング区間に向けて方向付け、排出孔８２は、蒸気をコーティング区間から除去する。第２の装置によって、コーティング・ノズル８０及び排出孔８２がコーティング区間に面する状態で、コータが経路に対して間隔を置いた関係に取り付けられる。第２の仮想的なストレートライン９４がコーティング・ノズル８０の長手方向の軸線に垂直であり、第１の仮想的なライン２３と第２の仮想的なライン９４とは０度超から９０度の範囲内の角度を定めている。
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【課題】長尺のテープ状基材に対して安定した組成のＹ系超電導層を形成できるとともに、装置の小型化と生産性の向上を図ることができる超電導線材の製造方法及びＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基材導入領域においてテープ状基材を移動させながら加熱する第１工程と、成膜領域においてテープ状基材を移動させながら成膜温度に加熱するとともに、このテープ状基材表面にＹ系超電導層を成膜する第２工程と、を有する超電導線材の製造方法において、第１工程では、テープ状基材の表面温度が成膜温度よりも３０℃を超えて高くならないように温度制御を行う。第２工程では、成膜されるＹ系超電導層内に含まれるＢａとＹの原子比をＸ_Ｂａ／Ｘ_Ｙ、ＣｕとＹの原子比をＸ_Ｃｕ／Ｘ_Ｙ、ＣｕとＢａの原子比をＸ_Ｃｕ／Ｘ_Ｂａとしたときに、Ｘ_Ｂａ／Ｘ_Ｙ＞１．０、Ｘ_Ｃｕ／Ｘ_Ｙ＜３．０、Ｘ_Ｃｕ／Ｘ_Ｂａ＞１．２となるように原料ガスを導入する。 （もっと読む）

薄膜を形成するための蒸着反応器および方法。蒸着反応器は、円の孤に沿って配列された、第１の部分から第３の部分を備える。第１の部分は、第１の部分内の凹部に物質を注入するための少なくとも１つの第１の注入部を有する。第２の部分は、第１の部分に隣接しており、第１の部分の凹部に連通可能に接続された凹部を有する。第３の部分は、第２の部分と隣接しており、第２の部分の凹部と連通可能に接続された凹部と、蒸着反応器から物質を排出するための排出部とを有する。
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【課題】長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、基板に成膜を行なう際に、ドラムに高いバイアス電位を印加する場合でも、高品質な膜を効率よく連続成膜することができ、かつ、製造装置の損傷を防止することができる機能膜の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】ドラムの端面に対面して設けられる、接地される導電性の板であるアース板と、ドラムの端面とアース板との間に配置される絶縁部材とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

多孔性非セラミック基材上にコンフォーマルコーティングを堆積させる方法は、コンフォーマルコーティングが残留するように反応性ガスが基材を貫流することを必要とする。たとえ基材が本来疎水性のもの、例えば、オレフィン材料であったとしても、このプロセスを用いて、基材の内部細孔の表面を親水性にすることができる。本方法は、ロールツーロールプロセス、又はバッチ処理で用いることができる。後者の場合のいくつかの都合のよい実施形態では、バッチ反応器及び表面形状適合的にコーティングされた基材（１つ又は複数）はそれぞれ、全体として、最終生産物、例えば、フィルタ本体及びフィルタ要素の一部となり得る。
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【課題】可撓性基板に対する処理の品質に面内分布が生じることを抑制でき、かつ基板のたわみを十分に抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１３０及びアノード電極１２０は、処理容器１１０内に互いに対抗して配置される。アノード電極１２０は、帯状の可撓性基板５０を加熱する。またアノード電極１２０の側面のうち、平面視において可撓性基板５０が搬送時に通る部分には、湾曲部１２２，１２４が設けられている。湾曲部１２２，１２４は、可撓性基板５０の搬送方向と同方向に傾斜を有し、平面視において縁が外側に凸となる方向に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッド電極に加えて、低コストでメンテナンスが容易な原料ガスの供給機構を用いることにより、基板への膜の均一性を向上させることが可能なプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤによる成膜方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、真空容器２内に原料ガスを供給して、プラズマＣＶＤ成膜法により基板１の表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、真空容器２内には、原料ガスを供給するためのシャワーヘッド電極９が配設されているとともに、シャワーヘッド電極９に対して側面方向から原料ガスを供給するためのガス供給機構１４がさらに配設されている。 （もっと読む）

【課題】ガス冷却を用いた成膜方法において、基板への損傷を抑制しながら、十分な基板冷却能力を確保する。
【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、薄膜形成領域９において基板７の裏面に近接する冷却体１０と、冷却体１０と基板７の裏面の間にガスを導入するガス導入手段とを備え、冷却体１０は、基板と近接し赤外光を透過する透過体と透過体を介して基板と対向する吸収体から構成される。このような構成によって、基板から放射された輻射光が透過体を透過し、透過体を介して基板と対向する輻射率が大きな吸収体に吸収されるため、冷却体１０から基板７への輻射を抑制することが出来る。 （もっと読む）