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Fターム[4K030GA14]の内容

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Fターム[4K030GA14]に分類される特許

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【課題】ガス冷却を用いた成膜方法において、基板への損傷を抑制しながら、十分な基板冷却能力を確保する。
【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、薄膜形成領域9において基板7の裏面に近接する冷却体10と、冷却体10と基板7の裏面の間にガスを導入するガス導入手段とを備え、冷却体10は、基板と近接し赤外光を透過する透過体と透過体を介して基板と対向する吸収体から構成される。このような構成によって、基板から放射された輻射光が透過体を透過し、透過体を介して基板と対向する輻射率が大きな吸収体に吸収されるため、冷却体10から基板7への輻射を抑制することが出来る。 (もっと読む)


本発明は、第1有機物層(2)と第1無機物層(4)によってフレキシブル基板(1)をコーティングするための装置に関するものである。本発明による装置は、第1および第2チャンバ(10,20)と、雰囲気分離スロット(30)と、を備えている。第1チャンバ(10)内には、前駆体またはオリゴマーまたはポリマーネットワークと重合開始剤とを含有した混合物でフレキシブル基板をプリントするプリント設備(40)が配置されている。第1チャンバ(10)内には、成膜された混合物を硬化させて第1有機物層(2)を形成する硬化設備(50)が配置されている。第2チャンバ(20)内には、基板(1)上に第1無機物層(4)を成膜する気相蒸着設備(60)が配置されている。装置は、基板(1)を設備(40,50,60)に沿って案内するための設備(70)を備えている。
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プロセスチャンバと、プロセスチャンバへの前駆体ガス入口と、送出口と、プロセスチャンバ内に配置されたプラズマ源とを備える、材料を移動する基材上に蒸着するPECVD装置が提供される。プラズマ源は、1つ以上の負グロー領域と、1つ以上の陽光柱とを生成する。少なくとも1つの陽光柱は、基材に向かって配置される。プラズマ源、および前駆体ガス入り口は、互いにおよび基材に対して関連して配置され、それにより前駆体ガスは基材に隣接した陽光柱内に注入される。装置は、前駆体ガスを、負グロー領域から離れて陽光柱内に導くように提供される。
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【課題】高分子フィルムと炭化酸化珪素膜との密着性を改善した従来よりもバリア性の高いガスバリアフィルムを高い生産効率で提供すること。
【解決手段】基材となる高分子フィルム1の片面もしくは両面に、炭化酸化珪素膜2が形成されたガスバリアフィルムであって、炭化酸化珪素膜2がモノマーガス、酸化用ガスおよび不活性ガスを含有する成膜原料ガスを用いた化学的気相成長法(CVD法)によって形成され、不活性ガスとしてヘリウムを使用することを特徴とするガスバリアフィルム。 (もっと読む)


【課題】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、CVDによる成膜を含む複数の処理を連続的に行なう成膜装置であって、各室が、隣接する室の圧力による悪影響を受けることなく、また、反応ガスによる装置内の汚染も抑制できる成膜装置を提供する。
【解決手段】CVD成膜室と上流もしくは下流の処理室との間に排気手段を有する差圧室を設けて、この差圧室に、不活性ガスおよび/または両室に供給されるガスを導入することにより、成膜室および処理室の高圧な方よりも高い圧力とすることにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】製造装置の小型化を図り、基板の汚染を防ぎ、かつ基板のシワの発生を防止可能とする薄膜積層体の製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板2の表面に薄膜形成するための成膜部と、搬送されるフィルム基板を成膜部内でガイドするように、フィルム基板の成膜面2aに当接して配設される少なくとも1本のガイドロール8とを備え、ガイドロールにおける長手方向の中央部8aの直径が、その長手方向の両端部8bの直径よりも小さく形成され、ガイドロールの両端部とフィルム基板とが当接し、ガイドロールの近傍でフィルム基板の幅方向の両端部にそれぞれ当接して配設されるテンションロール9,10が、フィルム基板に前記幅方向の張力を加えるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】可撓性基板の搬送位置制御のために新たな設備を設置することが不要であり、既存の搬送ラインの構成をそのまま維持できるとともに、可撓性基板の搬送位置を所望の方向へ迅速かつ確実に移動させることが可能な基板搬送位置制御装置を提供することにある。
【解決手段】可撓性基板10に張力を付与し、可撓性基板10を長手方向に沿って搬送する曲率半径可変ロール1を備え、曲率半径可変ロール1は、曲率半径を軸方向で部分的に変化させることによって、可撓性基板10が接触した際に生ずる張力に可撓性基板10の幅方向で分布を与え、可撓性基板10の搬送位置を変化させるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】 帯状可撓性基板を縦姿勢で搬送しつつも可撓性基板の下垂や皺の発生を抑制でき、高品質の製品を製造可能であると共に、可撓性基板の逆方向への搬送を含む成膜プロセスにも対応可能な薄膜積層体製造装置の基板位置制御装置を提供する。
【解決手段】 可撓性基板(1)の上側縁部を挟持する一対の挟持ローラ(103)と、前記一対の挟持ローラを回転可能かつ相互に接離可能に支持する支持機構(104)と、前記支持機構を介して前記一対の挟持ローラに加圧力を付与する付勢手段(105)と、前記加圧力の調整手段(106)と、を備えた基板位置制御装置(100)において、前記一対の挟持ローラは、それぞれが基板幅方向縁端側に位置した大径部(131)と、前記大径部に対して基板幅方向中央側に位置した小径部(132)を有し、前記大径部および前記小径部のそれぞれの挟持部における回転方向が、前記基板の搬送方向と同方向になるように、前記支持機構によって支持されている。 (もっと読む)


【課題】挟持ローラの加圧力に比較して大きな把持力や展張力が得られ、可撓性基板の下垂や皺の発生を抑制して高品質の製品を製造可能であると共に、逆方向への搬送を含む成膜プロセスにも対応可能な薄膜積層体製造装置を提供する。
【解決手段】基板の上側縁部を挟持する複数対の挟持ローラ31,32、前記複数対の挟持ローラを回転可能かつ相互に接離可能に支持する支持機構30、前記支持機構を介して前記複数対の挟持ローラに加圧力を付与する付勢手段37を備え、前記複数対の挟持ローラは、それぞれが軸方向に対して傾斜した周面を有し、かつ、基板幅方向縁端側に位置した大径部および基板幅方向中央側に位置した小径部を有しており、それぞれの挟持部における回転方向が前記基板の搬送方向Fと同方向になるように直列配置されている。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、きわめて高いバリア性能を達成できるフィルムを提供することにあり、また該フィルムを有機光電変換素子用樹脂基材として用いること、また、該有機光電変換素子用樹脂基材を用いて耐久性の高い透有機光電変換素子等のデバイスを得ることにある。
【解決手段】基材上の少なくとも一方の面に、少なくとも1種の珪素化合物を含有する液体を塗布し20℃〜120℃で塗布乾燥させ薄膜を形成した後に、前記薄膜に対し140℃以上での加熱処理を行うことなく、前記薄膜が塗布形成された基材上に、少なくとも1種の有機珪素化合物と酸素を含有する反応性ガスを用いるプラズマCVD法により、珪素酸化物の薄膜を積層することを特徴とするバリアフィルムの製造方法。 (もっと読む)


移動する基板上への材料の原子層堆積装置は、所定の平面または湾曲移動経路に沿って基板を移動させる搬送機構と、少なくとも1つの前駆体送出流路を有するコーティングバーとを備える。前駆体送出流路は、基板上に堆積される材料を含有する流体を移動経路に向かって導く。使用時、移動経路に沿って移動可能な基板が、前駆体送出流路の出口端部と基板との間に間隙を画定する。間隙は、前駆体送出流路からの流体の流れに対してインピーダンスZを画定する。流れ制限体が、前駆体送出流路内に配置され、前駆体送出流路内の流れに対して所定インピーダンスZfcを提供する。制限体は、インピーダンスZfcがインピーダンスZの少なくとも5倍、より好ましくは少なくとも15倍であるように寸法が決められる。インピーダンスZfcは、摩擦係数fを有する。前駆体送出流路内の制限体は、インピーダンスZfcが、100未満、好ましくは10未満の摩擦係数fを有するように寸法が決められる。
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【課題】細長くて均一かつ安定なプラズマを形成することができる、ECRプラズマ源の提供。
【解決手段】ECRプラズマ源は、細長い長方形状の誘電体窓(18)およびプラズマ引き出し用の開口(12a)を有し、誘電体窓(18)に平行な断面形状が長方形状であるプラズマ生成室(12)と、ECR条件を満足するとともに開口(12a)からプラズマを引き出すための磁場を、プラズマ生成室(12)内に形成する磁気コイル(14)と、マイクロ波導入口からマイクロ波導出口にかけて幅寸法が大きくなるようなテーパ形状を有し、マイクロ波をほぼ等しい2つのマイクロ波に分岐するとともに、マイクロ波導出口を定在波の管内波長の長さ相当間隔で仕切る仕切り板(161a〜161c)を有するテーパ導波管(16)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】多種多様な用途に用いることができる撥水性を有する有機珪素化合物の蒸着膜を有する撥水性離型積層フィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ化学気相成長法(PE-CVD法)により、プラスチック基材上に炭素含有珪素化合物膜を形成させてなる撥水性離型積層フィルムの製造方法において、分子内にSi−O結合を含有する有機珪素化合物を蒸着原料とし、前記有機珪素化合物ガスの蒸着時に酸素原子を含まないガス雰囲気下(無酸素状態雰囲気下)で、プラスチック基材をTg以下に冷却保持した状態で、プラズマ化学気相成長を行い、撥水性を有する炭素含有珪素化合物の蒸着膜をプラスチック基材上に成膜する。 (もっと読む)


【課題】メンテナンスに要する労力を軽減した成膜方法、成膜装置、および、これらの成膜方法または成膜装置で得られたガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、長尺の基板をドラムの表面の所定の領域に巻き掛け、所定の搬送方向に搬送しつつ、この基板の表面に所定の膜を形成する成膜方法である。ドラムに対向して所定の距離離間して成膜電極が配置されており、成膜電極に高周波電圧を印加する高周波電源部、および膜を形成するための原料ガスをドラムと成膜電極との間に供給する原料ガス供給部が設けられている。膜の形成は、成膜電極に高周波電源部により電圧が印加されて形成される電界の範囲を、成膜に十分な量の反応ガスが供給された範囲よりも広くして行う。 (もっと読む)


【課題】 長期間にわたって、基材フィルムと無機酸化物蒸着膜との間の高い密着性、及びそれに基く高いガスバリア性を維持することができる透明蒸着フィルム、並びにそれを使用した積層体を提供すること。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、耐プラズマ保護層を設け、その上に、プラズマ化学気相成長法により無機酸化物蒸着膜を設けた透明蒸着フィルムであって、該耐プラズマ保護層が、フッ素系共重合体樹脂を含む上記透明蒸着フィルムとする。 (もっと読む)


【課題】家電、家屋に好適に使用できる真空断熱材を提供する。
【解決手段】芯材が、ガスバリア層と熱融着性樹脂層とを積層してなる真空断熱材用ガスバリア性積層フィルムで減圧密封された真空断熱材であって、前記ガスバリア層は、ポリビニルアルコール系樹脂フィルムの両面に珪素含有蒸着膜が150〜4000オングストロームの厚さで積層され、かつ前記蒸着膜にそれぞれに所定のガスバリア性組成物によるガスバリア性塗布膜が設けられたガスバリア性フィルムである。得られる真空断熱材は、ガスバリア性および断熱性に優れる。 (もっと読む)


【課題】家電、家屋に好適に使用できる真空断熱材を提供する。
【解決手段】芯材が、2層のガスバリア層と熱融着性樹脂層とを積層してなる真空断熱材用ガスバリア性積層フィルムで減圧密封された真空断熱材であって、前記ガスバリア層の少なくとも1層は、ポリビニルアルコール系樹脂フィルムの両面に珪素含有蒸着膜が150〜4000オングストロームの厚さで積層され、かつ前記蒸着膜にそれぞれに所定のガスバリア性組成物によるガスバリア性塗布膜が設けられたガスバリア性フィルムである。得られる真空断熱材は、ガスバリア性および断熱性に優れる。 (もっと読む)


ロールツーロールCVDシステムは、CVD処理の際、堆積チャンバを通して、ウェブを搬送する、少なくとも2つのローラーを含む。堆積チャンバは、少なくとも2つのローラーによって搬送される間、ウェブを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のCVDガス源とを含む。複数のCVDガス源のうちの少なくとも2つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
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カーボンナノチューブの成長を促進するのに十分な第1の温度まで加熱する成長チャンバーを準備するステップと、基材を成長チャンバーに通すステップと、少なくとも一部の原料ガスを少なくとも遊離炭素ラジカルに解離するのに十分な第2の温度まで予熱した成長チャンバーに導入し、これによって基材上でカーボンナノチューブの形成を開始するステップと、を含んで構成されたカーボンナノチューブ(CNT)合成方法。 (もっと読む)


堆積ガスをプラズマ相へと転換し、真空チャンバ内で基板搬送方向に動いている基板上に薄膜をプラズマ相から堆積させるためのプラズマ堆積ソースが説明される。プラズマ堆積ソースは、真空チャンバ内に設置された多領域電極デバイスであって、動いている基板の反対側に配置された少なくとも1つのRF電極を含む多領域電極デバイスと、RF電極にRF電力を供給するRF電力発生器とを含む。RF電極は、RF電極の一方の端部に配置された少なくとも1つのガス注入部およびRF電極の反対側の端部に配置された少なくとも1つのガス排出部を有する。規格化されたプラズマ体積は、電極表面と反対側の基板位置との間に画定されるプラズマ体積を、電極長さで除算することによって与えられる。規格化されたプラズマ体積は、堆積ガスの欠乏長さに合わせて調節される。
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