【課題】長尺な基材をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、大気圧プラズマを用いて成膜を行なう際に、成膜前に基材の表面処理を行なう場合に、基材とパスローラ等との接触や表面処理からの時間経過によって表面処理の効果を低下させること無く成膜を行なうことにより、基材と成膜物との密着性を向上させ、高品質な膜を効率よく連続成膜することができる大気圧プラズマ装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、成膜用電極よりも上流側に、ドラム電極の周面に対面して設けられる処理用電極と、処理用電極に電圧を印加する処理用電源と、ドラム電極と処理用電極との間に、表面処理用の反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】導電性基板が絶縁部材で覆われている場合においても、適切に導電性基板を加熱できる熱ＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ装置並びにカーボンナノチューブの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】炭素原料ガスＧが導入される加熱室１３内に配置され且つ少なくとも一方の表面に絶縁部材Ｚが設けられた導電性基板Ｋを加熱して熱化学気相成長法により導電性基板Ｋにカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法であって、所定間隔を有して配置された一対の電極２２を絶縁部材Ｚの表面に接触又は隙間を有して対向させると共に、各電極２２と、其に対応する導電性基板Ｋと、絶縁部材Ｚ又は絶縁部材Ｚ及び隙間とにより構成される一対のキャパシタ、並びに両キャパシタ同士間の導電性基板Ｋにより形成される抵抗により構成される電気回路の両電極２２間に交流電圧を印加することにより、局所的に導電性基板Ｋを加熱するものである。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーン２２の下方に配置される少なくとも１本のガス供給管３２であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口３４Ａを有する前記ガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置１０を用いて、前記成膜ゾーンの下方に位置する前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】熱伝達効率が高く、信頼度の高い伝熱管をより安価で製造する装置を提供する。
【解決手段】ロール・ツ・ロール方式により第１のローラ２５０から金属部材を前処理部４００に供給し、金属部材をプラズマ４１０で表面処理し、前処理した金属部材をグラフィン合成部５００に移動させて、金属部材表面にグラフィンを合成すると共にコーティングし、コーティングされた金属部材を第２ローラ３００に巻いて回収するグラフィンロール・ツ・ロールコーティング装置。 （もっと読む）

【課題】原料ガスとしてシランガス、アンモニアガス、水素ガスおよび／または窒素ガスを用い、容量結合型のプラズマＣＶＤによって、可撓性に優れ、かつ、良好なガスバリア性を長期に渡って発現するガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０［Ｗ／ｓｃｃｍ］未満、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】小スペースで可撓性基板の予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理を容易に行うことが可能であり、かつ高い精度と応答性で温度及び処理条件の制御を行うことが可能な可撓性基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】長手方向に沿って搬送される可撓性基板１の表面処理を行う可撓性基板１の処理装置において、可撓性基板１の巻出し室３に巻出しロール６を配置するとともに、巻出しロール６のコアに予備加熱及び脱ガス処理を行う加熱機構のロールコアヒータ１１を設けている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置１において、基材Ｗの端部の波状変形や異常なアーク放電を防止する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバと、真空チャンバ内に配備されると共に電源の両極が接続され且つ成膜対象であるシート状の基材Ｗが巻き掛けられる真空チャンバから絶縁された成膜ロール２と、基材Ｗが巻き掛けられていない成膜ロール２の端部２ａ、２ｂを成膜ロール２近傍に発生したプラズマ５から遮蔽する遮蔽部材４と、を備え、成膜ロール２の軸方向の端部２ａ、２ｂは中央部２ｃより小径に形成されていて、端部２ａ、２ｂの外周面と中央部２ｃの外周面との間には段差面２ｄが設けられており、遮蔽部材４がその外周面が成膜ロール２の中央部２ｃの外周面と面一になるように成膜ロール２の端部を覆っており、遮蔽部材４と段差面２ｄとの間には成膜ロール２の軸方向に基材Ｗが成膜ロール２に当接しない間隙が備えられている。 （もっと読む）

【課題】機械的な設計の観点及び電気的な設計の観点の両方を満足し、可撓性基板を連続的に搬送しつつ、電極の近傍にて可撓性基板とコンパクトチャンバとの間の電気的な接続を確保することが可能な薄膜製造装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、アノード電極４とカソード電極３との間にフィルム状の可撓性基板１を搬送させながら成膜室１０内でプラズマＣＶＤ法により可撓性基板１上に薄膜を成膜する薄膜製造装置において、可撓性基板１の一方の側に臨んで、成膜室１０の半分を内部に区画形成するカソード電極側シールドボックス５と、可撓性基板１の他方の側に臨んで、成膜室１０の半分を内部に区画形成するアノード電極側シールドボックス６と、カソード電極側シールドボックス５に可撓性基板１を押し付けて接触させる押圧部材２０，２１，２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基材とガスバリア層との密着性が、従来よりも大幅に改善されたガスバリア性フィルムを、高い生産効率で提供する。
【解決手段】連続して走行する基材１０上にガスバリア層を形成するガスバリア性フィルムの製造方法であって、金属ロール電極１と、これに沿った円弧状の対向電極である接地電極２とを備えるＲＩＥ処理装置を用い、両電極１，２の間に、少なくとも酸化用ガスを含む1種類以上のガスと、気化した有機シリコン化合物とを導入する手段、及び処理空間内の圧力を３Ｐａ以上３５Ｐａ以下とし、電源周波数を３０ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波として、両電極１，２の間に、プラズマを発生させる手段により、基材１０の表面にプラズマ化学気相蒸着法により、厚さ３ｎｍ以上の中間密着層を形成する工程と、中間密着層の表面に、真空蒸着法によりガスバリア層を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】繊維状物質上にコーティングを連続的に付着させるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】繊維状物質の複数のストランド４６を、ハウジング４２により画定された包囲されたチャンバー４４内のコーティングゾーンに通して連続的に移動させることにより、ストランドの一部分がチャンバーを通って移動するときに前記部分が反応物質ガスと接触し、ストランドと物理的に接触することなく、かつハウジングを直接に加熱することなく、ストランドの前記部分を直接加熱し、反応物質ガスがストランドの前記部分と接触し分解する結果としてストランド上にコーティング材料を付着させてコーティング材料のコーティングを形成することを含む化学蒸着法である。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えつつ成膜の際の自由度を向上させることが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】複数のガイドロール１３，１４を用いて基材２０を搬送しつつ、複数のＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂによって前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂを基材２０に対して出力し、原子層堆積による成膜を行う。各ＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂをガイドロール１３に対して個別に対向配置し、前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂが基材２０に対して局所的に出力されるようにする。使用する前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂの量が従来よりも削減されると共に、使用可能な前駆体ガスの種類の幅が広くなる。 （もっと読む）

【課題】過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、かつ良好な透明性、ガスバリア耐性を備えた透明ガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】基材上に少なくとも低密度層及び高密度層から構成されるガスバリア層を有する透明ガスバリア性フィルムにおいて、該低密度層と該高密度層との間に、１層以上の中密度層を有することを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】成膜装置内の圧力を常時適性に保持しながら、成膜装置内で発生したパーティクルを除去し、且つ除去したパーティクルの成膜室内への流入を防止することが可能なＣＶＤ成膜装置を提供することにある。
【解決手段】送りロール８を設置した搬送室３と巻き取りロール９を設置した搬送室４との間に成膜室２を配置し、成膜室２に搬送されてくる可撓性基板５の表面に薄膜を形成するＣＶＤ成膜装置６０において、成膜室２と搬送室４の間の少なくとも１箇所に洗浄室１７ａ，１７ｂが設けられ、成膜室２と洗浄室１７ａ，１７ｂとの間、及び搬送室４と洗浄室１７ａ，１７ｂとの間に、ガスゲート１９が配設され、洗浄室１７ａ，１７ｂは、可撓性基板５に付着したパーティクルを除去するクリーニングロール２０と、クリーニングロール２０と可撓性基板５の接触部近傍にガスを供給する機構と、洗浄室１７ａ，１７ｂ内のガス給気量及びガス排気量を調整する機構と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】溶液気化型のＣＶＤ装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第１温度Ｔ_Ｍを測定する第１温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第２温度Ｔ_ｂを測定する第２温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第２温度Ｔ_ｂが一定となるように制御する。そして、第１温度Ｔ_Ｍの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】順送り方向および逆送り方向の両方に搬送される基板のそれぞれを、高い精度で位置調節可能とするフィルム基板の搬送装置を提供する。
【解決手段】帯状のフィルム基板２を、その幅方向について片端部を上側とした縦姿勢で配置して搬送するフィルム基板の搬送装置であって、フィルム基板２の上端部を挟むように配設される少なくとも一対の第１のグリップローラ６と、第１のグリップローラ６の回転角度が前記第１のグリップローラ６の回転方向を搬送方向に対して上方側とするように傾け可能となるように、前記第１のグリップローラの傾斜方向および傾斜角度を調節可能な第１の角度調節機構１１とを備えているフィルム基板の搬送装置。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送し、かつ、ドラムに電力を供給しつ成膜行なう成膜装置であって、ドラムと基板との接触位置やドラムから基板の剥離位置における異状放電を抑制し、異状放電に起因する膜質劣化等を好適に抑制できる成膜装置を提供する。
【解決手段】ドラム３０と基板Ｚとの接触位置および／またはドラムから基板の剥離位置に、基板の幅方向の外側にドラムに対面して、多数の貫通孔を有し、かつ、導電性で接地されるアース板を配置する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】 成長領域に供給された原料ガスが予熱領域へ侵入するのを防ぎ、均質で安定した組成の超電導薄膜を成膜可能なＣＶＤ装置、及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】 ２枚の遮蔽板によってテープ状基材の走行方向に３分割された反応室と、これら２枚の遮蔽板で挟まれた成長領域に原料ガスを噴出する原料ガス噴出部と、反応室内のガスを排気するガス排気部と、テープ状基材を加熱するサセプタと、遮蔽板とサセプタの間に形成されたテープ状基材が走行するための開口部を備え、反応室内でサセプタ直上を走行するテープ状基材の表面に原料ガスを供給し化学反応させることにより、このテープ状基材の表面に超電導薄膜を成膜するＣＶＤ装置において、サセプタに略直角に遮蔽ガスを噴出する遮蔽ガス噴出部を備えている。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ドラムに巻き掛けて、基板の表面に膜を形成する際に、ドラムに電位を印加して成膜を行なう場合であっても、基板がドラムから剥離する際の剥離放電の発生を抑制して、これにより、高品質な膜を効率よく連続成膜することができ、かつ、基板の損傷を防止することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】基板がドラムから剥離する位置である剥離位置において、基板とドラムとの間に気体を吹き付けることで上記課題を解決する。 （もっと読む）