【課題】製造過程での薄膜特性の劣化を抑制することができる真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺状の基材１４が巻回されるリール本体１８と、リール本体１８を収納するケース３２と、ケース３２に設けられ、ケース３２内に基材１４との非反応性ガスを導入可能なガス導入口３６と、ケース３２に設けられ、基材１４がケース３２の内部と外部との間で出し入れされる基材出入口３８と、リール本体１８に一体回転可能に設けられ、基材１４上に薄膜を成膜する真空成膜装置に取り付け可能な被取付回転機構６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】各チャンバーの処理速度が異なる場合であっても、基材の片面に接触することなく処理中基材を一時的に保持することにより品質の安定した処理済基材を得ることができる基板表面処理装置を提供する。
【解決手段】基材送出リールから送出された基材の処理面に各処理を行って処理後の基材を下流側の基材巻取リールに巻き取る基材表面処理装置であって、基材の処理面に処理を行う処理チャンバーと、処理後の基材を一時的に滞留させるバッファチャンバーと、を備えており、バッファチャンバーは、固定ローラと、この固定ローラに対して接離可能に移動する余長調整ローラとを有しており、固定ローラ及び余長調整ローラは、基材の進行方向に対して傾斜して配置されており、固定ローラのローラ面と余長調整ローラのローラ面とに基材の処理面の裏面を接触させつつ、余長調整ローラを移動させることにより基材の長さに応じて基材を滞留させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】原料コストを抑制しつつ、磁場中の臨界電流特性をさらに向上する。
【解決手段】１層あたりの熱容量が０．４Ｊ／ｈ以上２．０Ｊ／ｈ以下となるように、長尺状の基材１１を加熱する加熱工程と、ＣＶＤ法を用いて加熱状態の基材１１上に酸化物超電導体を成膜する成膜工程と、基材１１を冷却する冷却工程とを順に繰り返して、多層膜の超電導層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜最適温度にフィルム基板を予備加熱して、成膜室での薄膜形成を安定して行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板１０の巻出し及び／又は巻取りを行う少なくとも一対のロール１１，２１と、該少なくとも一対のロール１１，２１の間に配設された薄膜形成用の成膜室３と、一対のロールのうち巻出し側となる少なくとも一方のロール１１と成膜室３との間に配置された少なくとも一つのアイドラローラ１３と、該アイドラローラ１３と成膜室３との間に配置された加熱ローラ１４とを備え、フィルム基板１０が加熱ローラ１４に接触して昇温された後、成膜室３に導入されるように構成された薄膜形成装置において、アイドラローラ１３の位置を変更して加熱ローラ１４に対する抱き角αを変更する抱き角調整装置１５，１６を設けた薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】シール装置で基板や蒸着膜を傷つけることなく、高品質の蒸着膜を連続的に得られる連続真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋをその長さ方向に送ることで連続的に基板Ｋを真空容器６に通過させて、真空容器６の内部で連続的に基板Ｋに蒸着を行う連続真空蒸着装置であって、基板Ｋを真空容器６の内部から外部に導く下流側開口部に、基板Ｋを通過させるとともに真空容器６の内部を気密にし得るシール装置６０が設けられ、シール装置６０が、基板Ｋの表裏面との間に隙間を有して配置されたシール部６３と、シール部６３に保持されて隙間を密封する磁性流体６９とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理体以外の部位への成膜を抑制した大気圧プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、誘電体内にアンテナとアースが形成された面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ源において、被処理体を前記プラズマ源に略接触させ、被処理体に対してプラズマ源を設置した面とは反対の面にプラズマを生成するようにした。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】 成膜ドラムを用いるロール・トゥ・ロールを利用する、ＣＣＰ−ＣＶＤによる機能性フィルムの製造において、高品質な膜を成膜することができ、かつ、高密度なプラズマに起因する基板の熱損傷も防止できる製造方法を提供する。
【解決手段】 所定の中央領域と、この中央領域の外側の領域とで、ドラム表面温度を異なる温度とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】マスク板をフィルム表面と接触させずに成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
円筒部材１２の外周に沿って配置された複数の成膜部は、第一、第二の仕切板２１、２２の間の成膜空間２３を真空排気する真空排気部２４と、成膜空間２３に原料ガスを放出する原料ガス放出部２５と、原料ガスをプラズマ化するプラズマ生成部２６と、第一、第二の仕切板２１、２２に架設され、表面が円筒部材１２の外周側面と対向されたマスク板２７とをそれぞれ有しており、円筒部材１２の外周側面に裏面が密着し、円筒部材１２の回転に伴って、各マスク板２７の開口２８と対面しながら走行するフィルム５１の表面に薄膜を形成する。各成膜空間２３の外側に副ガスを放出する副ガス放出部３１を有し、各マスク板２７の円筒部材１２と対面する部分には排気口３２が形成され、マスク板２７と円筒部材１２との間の気体を排気口３２から排気する。 （もっと読む）

【課題】真空中で成膜用フィルム上に形成された薄膜に対してダメージを与えることなく、成膜用フィルムを搬送して巻き取ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、成膜用フィルムロール４０から繰り出された成膜用フィルム４上に真空中で成膜を行い、かつ、成膜された成膜用フィルム４をロール状に巻き取る巻取式成膜装置１である。成膜用フィルム４をフィルム支持ローラ７に巻き付けた状態で成膜用フィルム４上に成膜を行う第１〜第４の成膜領域３１〜３４と、成膜された成膜用フィルム４の成膜されていない面４ｂを支持して搬送するフィルム搬送機構とを有する。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し、発生するパーティクルが膜に混入することを防ぎ、均一で高品質な薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置および方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に、メインロール６と、プラズマ発生電極７とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも１枚ずつの側壁８を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列９を１列以上備えるプラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】長尺基材の表面にプラズマＣＶＤ法によって薄膜を形成するにあたり、活性種をできる限り多く基材表面に供給して、高品質の薄膜を生産性高く形成できるプラズマＣＶＤ装置およびプラズマＣＶＤ方法を提供すること。
【解決手段】真空容器内に、冷却ドラムと、該冷却ドラムに対向して配置したプラズマ発生電極とを備え、長尺基材を前記冷却ドラム表面に沿わせて搬送しながら前記基材表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、前記冷却ドラムと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側から挟み込み、前記長尺基材の幅方向に延在する２枚の側壁を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記２枚の側壁のうちいずれか一方の側壁に、プラズマの発生を抑制しながらガスを供給するプラズマ発生抑制型ガス供給口と、プラズマの発生を促進させながらガスを供給するプラズマ発生促進型ガス供給口とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置全体を小型化可能として、多層の成膜を形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置を、処理ドラムに被成膜基板を所定角巻き付け連続的または断続的に搬送しながら、被成膜基板の内面に成膜する構成として、装置全体を小型化した。そして、処理ドラムに成膜源が設けられた回転ドラムを回転させることにより、多層の成膜を容易に形成できるようにした。 （もっと読む）

【課題】装置全体を小型化可能として、多層の成膜を形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置を、成膜処理ドラムに被成膜基板を所定角巻き付け連続的または断続的に搬送しながら、被成膜基板の内面に成膜する構成として、装置全体を小型化した。そして、成膜処理ドラムに成膜源が設けられた回転ドラムを回転させることにより、多層の成膜を容易に形成できるようにした。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロールによる成膜であっても、多層膜の形成を効率的に行うことができ、ＡＬＤによる成膜では単位時間当たりのサイクル数を増やすことができ、多層化や多サイクル化に伴う設備の大型化や占有面積の増大を抑制することのできる成膜方法を提供すること。
【解決手段】連続的または断続的に基板を搬送しながら、気相状態にある材料を用いて該基板上に薄膜の形成を行う成膜方法であって、回転ドラムの周囲に基板を配置する工程と、該回転ドラムを第一の速度で回転させる工程と、該回転ドラムに少なくとも２つの材料をそれぞれ供給する工程と、上記基板を第二の速度で搬送する工程と、を含み、上記第一の速度と該第二の速度とが異なることを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】密着層とガスバリア層とをインライン成膜で形成することで、従来よりも密着性に優れたガスバリアフィルムを高い生産効率で提供する。
【解決手段】基材であるプラスチックフィルム１上にプラズマ化学的気相成長法により形成された酸化珪素からなる密着層２とガスバリア層３とを形成する際、基材１が走行する金属ロール電極と、対向電極として、面内に、Ｓ・Ｎ極一対以上の磁石を設置した円弧状の接地電極とを備え、前記電極間に、例えばヘキサメチルジシロキサンおよび酸素を導入して、処理空間内の圧力を０．５Ｐａ以上２０Ｐａ以下として、１０ｋＨｚ以上３０ＭＨｚ以下の高周波を印加し、基材１表面に、密着層２を形成し、さらにその上に酸化珪素ガスバリア層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】目的とする機能を好適に発現すると共に、優れた光学特性を有する機能性フィルムを、安定して製造できる機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】交互に形成された有機層と無機層とを有し、かつ、最上層が有機層である機能性フィルムを製造するに際し、有機層となった際の含有量が０．０１〜１０質量％となる界面活性剤とを含有する塗料を用いて、厚さが３０〜３００ｎｍの最上層の有機層を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しながら成膜を行う成膜装置において、設備を大型化することなくサイクル数増やして成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１０４を搬送しながら気相状態にある原料を用いて基板１０４に薄膜を形成する成膜装置であって、基板１０４を基板搬送機構１０７により、成膜用ドラム１０２の周速より遅い速度で成膜用ドラム１０２の外0周面に沿い連続的または断続的に搬送する。この状態で、前記成膜用ドラム１０２の外周面に設けられた成膜源２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂから原料を気相状態で基板１０４に向け放出し、基板１０４の成膜用ドラム１０２と対向する面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって成膜を行う機能性フィルムの製造において、成膜を停止した後の大気解放時に、製品や成膜系内の汚染を防止し、生産性の向上や製品品質の向上を図ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】成膜電極の表面が成膜系内に露出していない状態とした後に、大気解放のための気体を成膜系内に導入することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを遠方まで導くことができ、カソード物質の流出を抑制させるプラズマ源及び成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマを前面側から照射するカソード４と、カソード４の背面側に配置された背面磁石５と、カソード４の外周を取り囲むように配置された外周磁石６とを有するプラズマ源１において、カソード４には、このカソード４の前面側に開口した中空部３が設けられ、背面磁石５及び外周磁石６は、カソード４側に対面する磁極がすべて同極とされている。 （もっと読む）