【課題】太陽電池の光電変換層への入射光量を多くするために、光閉じ込め効果を発揮するための最適な凹凸形状を備え、かつ、可視光短波長域の吸収が少ない透明導電膜を備える基板を提供する。さらには、その基板を用いた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板は、アルカリ成分を含むガラス板と、ガラス板上に形成され、（i）３５〜１００ｎｍの範囲の膜厚を有し、主成分としての酸化スズを含む第１下地層と、（ii）第１下地層上に形成され、５〜５０ｎｍの範囲かつ第１下地層よりも薄い膜厚を有する非晶質の第２下地層とを含む、凹凸を有する下地膜と、下地膜上に形成され、１０〜２５０ｎｍの範囲の膜厚を有し、主成分として酸化スズを含むノンドープのバッファ層と、バッファ層上に形成され、主成分として酸化スズを含むドープされた透明導電膜と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明における課題は、高熱処理の工程下で好適に用いられる高度なガスバリア性を有するガスバリアフィルムを提供することである。
【解決手段】 本発明のガスバリアフィルムは、基材の両面上に酸化珪素膜を有するガスバリアフィルムであって、温度２９６Ｋと４７３Ｋの温度間における前記基材の平均の線熱膨張係数が、−１０ｐｐｍ／Ｋ以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする。また、温度２９６Ｋ及び４７３Ｋにおける前記基材と酸化珪素膜の間の熱応力の差σ_ｄの絶対値が０．２ＧＰａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に透明導電酸化物層を有する透明導電膜において、導電性を低下させずに光線透過率が向上する透明導電膜を提供する。
【解決手段】少なくとも１層からなる透明導電酸化物層１上に、該透明導電酸化物の片面または両面にはカーボン層２が形成され、該カーボン層が、メタン・二酸化炭素・水素のうちから選択した１種類以上のガスを用いて高周波プラズマＣＶＤ法により製膜され、且つ各ガスの体積が下式のいずれか１つを満たすことを特徴とする透明導電膜の製造方法。
０．７≦メタン／（メタン＋水素）≦１．０
０．６≦メタン／（メタン＋二酸化炭素）≦１．０
０．０４≦二酸化炭素／（水素＋二酸化炭素）≦０．１０ （もっと読む）

【課題】 金属の網目状構造により導電性を付与させた透明導電膜を、従来よりも高透過率で、かつ廃棄物の少ないプロセスで提供することを目的とする。
【解決手段】 透明基板（Ａ）上に形成された透明導電膜であって、導電性を付与するために透明基板上に形成された金属細線（Ｂ）の網目状構造（Ｃ）が、少なくともリング状のパターンを含むことを特徴とする透明導電膜（Ｄ）、透明基板（Ａ）の表面上に単分散度２０％以下の微粒子（Ｐ）を配列固定した後、微粒子（Ｐ）と透明基板（Ａ）の間隙に金属ナノ粒子（Ｑ）の分散液を導入し、さらに金属ナノ粒子（Ｑ）の分散液の分散媒を蒸発させることにより、金属ナノ粒子が凝集した網目状構造（Ｃ）を自己組織的に形成させ、次いで微粒子（Ｐ）を除去することで透明導電膜（Ｄ）を得る透明導電膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
高いガスバリア性を実現すると同時に従来並の柔軟性をも確保できるガスバリアフィルムを製造するための製造方法、及び該製造方法により得られるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】
基材となるプラスチックフィルムの表面に、ウェットコーティング法又は気相化学堆積法によりバッファー層を積層するバッファー層積層工程と、前記バッファー層積層工程を終えたバッファー層のさらに表面にガスバリア性を備えたガスバリア層を積層するガスバリア層積層工程と、を備えてなるガスバリアフィルムの製造方法であって、前記バッファー層はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、等を利用して積層してなる、ガスバリアフィルムの製造方法、及びかかる製造方法により得られるガスバリアフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】膜厚をほとんど減少又は増加させることなく、表面に撥水性を持たせる表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面処理方法は、基材上にＤＬＣ膜又は樹脂膜を形成する工程と、前記ＤＬＣ膜又は前記樹脂膜の表面にプラズマエッチング処理を施すことにより、前記ＤＬＣ膜又は前記樹脂膜の表面から０ｎｍ以上１ｎｍ未満の深さまで削る工程と、を具備し、前記削る工程の後の前記ＤＬＣ膜又は前記樹脂膜は、水との接触角が９０°以上である表面を有し、前記プラズマエッチング処理を施す際に供給されるエッチングガスは、フルオロカーボン系のガスを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室内に保持された容器の内面に被膜を形成する真空成膜装置に用いるガス供給管に多量の反応生成物が付着するという現象に対して、その膜が剥がれて成膜後の容器内部に残存することを防ぐと同時に、成膜作業に支障なく付着した膜の除去作業ができるように工夫したガス供給管の構造を提供する。
【解決手段】容器内に挿入される端部にガスの噴き出しノズルを有するガス供給管があり、該ガス供給管を着脱可能に覆うように円筒パイプからなるガス供給管カバーを配する。 （もっと読む）

【課題】仕事関数が高く、低抵抗なキャパシタ用電極を提供する。
【解決手段】互いに対向する第１面及び第２面を有するキャパシタ用電極であって、ＳｒＲｕＯ₃膜から構成され、第１面からその厚み方向に所定の距離だけ離れた位置から第２面側の領域中に、１０ａｔｍ％以下の３価の元素を含有することを特徴とするキャパシタ用電極。 （もっと読む）

【課題】高品質の蒸着膜を得ることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０１と、チャンバー２０１内部の所定領域に位置したシャワーヘッド２１１と、シャワーヘッド２１１と対応するように位置し、表面に基板２３２が装着されたチャック２３１と、シャワーヘッド２１１とチャック２３１との間に位置した加熱体２２１と、を含み、シャワーヘッド２１１は、第１ガス注入口２１３及び第２ガス注入口２１４と、第１ガス注入口２１３と連結されたシャワーヘッド２１１内部の空洞部２１２と、空洞部２１２と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第１ノズル２１５と、第２ガス注入口２１４と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第２ノズル２１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 複雑な装置を必要とせずに、反応容器内への搬入時に起こるウェーハの反りに起因する裏面エッジ部とサセプタとの擦れから発生するパーティクル、及びシリコンウェーハ裏面エッジ部における傷の発生を低減することが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを反応容器２０に流通させることにより反応容器２０内に配置されたシリコンウェーハ２１の表面にエピタキシャル層を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコンウェーハ２１の抵抗率に応じて、シリコンウェーハ２１を反応容器２０へ搬入する際のサセプタ２４の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性、密着性に優れ、撥水性や表面濡れ性を良好に制御することが可能なガスバリア性シートを提供する。
【解決手段】基材２上に、元素Ｘ、炭素、窒素、及び酸素を含有するガスバリア膜３を有するガスバリア性シート１であって、ガスバリア膜３の両面のうち、基材２側の面を下面６、下面６とは反対側の面を上面７とし、下面近傍の領域８Ｌ及び上面近傍の領域８Ｕのそれぞれにおける、元素Ｘ、炭素、窒素、及び酸素の原子数比を元素Ｘの原子数比を１として求めた場合に、下面近傍の領域８Ｌでは、（炭素の原子数比）／（元素Ｘの原子数比）が０．３以上０．８以下であり、上面近傍の領域８Ｕでは、（窒素の原子数比＋酸素の原子数比）／（元素Ｘの原子数比）が１．２以上２以下である、ガスバリア性シート１とすることによって、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】所定の有機膜と無機膜とを有する機能性フィルムの製造において、目的とする性能を有する機能性フィルムを安定して製造することを可能にする。
【解決手段】基板の表面に有機膜を成膜し、その後、真空成膜法によって無機膜を成膜し、かつ、真空装置内で有機膜に接触する部材は、機能発現部分以外に接触する構成とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な比誘電率が低く、かつ銅拡散バリア性が高い絶縁膜を得る。
【解決手段】絶縁膜材料として、１−１−ジビニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジアリル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジエチニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジビニル−１−シラシクロブタンなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、水素、炭化水素などの酸素を含まないキャリアガスを成膜時に同伴させてもよい。 （もっと読む）

【課題】バリア性能が向上したバリア性積層体を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層とを有し、前記有機層は、重合性化合物と、１分子中に２以上の重合開始能を有する部位を有する光重合開始剤を含む組成物を光照射して硬化させてなることを特徴とするバリア性積層体。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金からなる工具基体の表面に、（ａ）下部層として、粒状結晶組織のＴｉＣ層、ＴｉＮ層、ＴｉＣＮ層のうちの少なくとも１層、（ｂ）中間層として、粒状ＴｉＷＣＮＯ層、（ｃ）上部層として、縦長成長結晶組織のＴｉＣＮ層、（ｄ）最表面層として、Ａｌ_２Ｏ_３層、上記（ａ）〜（ｄ）を蒸着形成し、必要により、上記（ｃ）と（ｄ）の間に、密着層として、粒状結晶組織のＴｉ化合物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】熱応力によるストレスマイグレーションを防止することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属層２２０上に形成するインピュアー反射防止膜２３０を第１反射防止膜のＴｉ膜と第２反射防止膜のＴｉＮ膜の積層構造とする。また第１反射防止膜と第２反射防止膜はインサイチュでかつ５０℃以下の温度で形成する。 （もっと読む）

【課題】発光効率や寿命などの特性を向上させた発光素子などの半導体装置を工業的に安価に得ることが可能な２インチ以上の大口径ＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】主表面を有するＧａＮ基板１であって、低欠陥結晶領域５２と、当該低欠陥結晶領域５２に隣接する欠陥集合領域５１とを備える。低欠陥結晶領域５２と欠陥集合領域５１とは主表面から当該主表面と反対側に位置する裏面にまで延在する。主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］がオフ角方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールを構成する充填材との良好な密着性を有し、かつ耐候性、耐水性、防湿性等の諸特性に優れ、難燃性にも優れた安価な太陽電池用裏面保護シートに有用な積層体を提供する。
【解決手段】フッ素系樹脂フィルム（１０１）の少なくとも一方の面に、有機化合物層、無機化合物層（１０４）を順次設けてなり、前記有機化合物層は、少なくとも付加重合官能基を有するフッ素化合物を含み、かつ、前記フッ素系樹脂フィルム上に形成された有機化合物層Ａ（１０２）と、分子量が１５０〜６００のトリアルコキシシリル基を有する（メタ）アクリル化合物を含み、かつ、前記無機化合物層と接する側に形成された有機化合物層Ｂ（１０３）と、を含み、前記有機化合物層および無機化合物層は、真空雰囲気下において蒸着法を用いて形成されたものである積層体。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、口部の内壁における着色をほぼ無色とする製品カテゴリーに対応し、かつ、炭素膜の物理化学的な安定性を有する口部極薄炭素膜コーティングプラスチック容器を提供することである。
【解決手段】本発明に係る口部極薄炭素膜コーティングプラスチック容器の製造方法は、プラスチック容器の内部空間に原料ガスを供給し、原料ガスをプラズマ化してプラスチック容器の内表面全体にプラズマＣＶＤ法によって炭素膜を成膜する炭素膜コーティングプラスチック容器の製造方法において、プラスチック容器の口部を通過する原料ガスのうち口部の中央側に主流を流し、口部の内表面側に分岐流を流し、かつ、数１によって求められるΔｂ値によって換算される分岐流による炭素膜の堆積量を、主流による炭素膜の堆積量の１／３００〜１／２とし、口部の内表面部分のみを他の内表面部分と比べて極薄に炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】蒸気圧の低い固体の成膜原料を、任意の導入速度で定常的に成膜チャンバー内へ導入させることができる固体成膜原料導入装置、該導入装置によって複数種類の固体成膜原料の導入速度を制御しながら成膜チャンバー内へ導入することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体の供給源と、前記超臨界流体の供給源に接続され、超臨界流体に対して不活性な充填材２が中空部１ｂに充填されるとともに、超臨界流体に対して溶解可能な固体成膜原料Ｓが中空部１ｂに充填可能なカラム１と、を具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）