気相蒸着プロセス時にフィルムを支持するためのカセットは第１及び第２のエンドプレートを有する中心シャフトを含む。各エンドプレート上のリブはフィルムの縁端を収容することができる渦巻状の溝を形成する。各リブは、実質的に直線の主縁端と、所定の幅寸法と、所定の平均厚さ寸法と、少なくとも２：１の幅対厚さのアスペクト比とを有する断面形状を有する。リブは自由端部に任意のフロースポイラを有する実質的に矩形又は実質的にくさび形とされうる。エンドプレート間のスポーク間の間隔は少なくとも３００ミリメートル（３００ｍｍ）であり、また、気相堆積温度においてフィルム基材の幅寸法より大きい。各リブの幅寸法はスポーク間の間隔の約０．５％から約２．０％の間である。
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本発明は気相蒸着のためのフィルムカセットを非装填するための装置及び方法である。コーティングされたフィルムがフィルムカセットから搬送され、即座に保護フィルムに積層される間、コーティングされたフィルムに触れること、折り目がつくこと又はクラックが入ることを最小化する。
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【課題】炭素を含む導電性金属酸化物膜の電気的特性を改善する。
【解決手段】炭素を含有する導電性金属酸化物を成膜した後、導電性金属酸化物膜９２に酸化作用を有する酸化性ガスを接触させる酸化性後処理工程を実行する。好ましくは、導電性金属酸化物膜９２の加熱や酸化性ガスの活性化によって上記酸化作用を発現又は促進させる。酸化性後処理工程後の導電性金属酸化物膜９２に対し、還元作用を有する還元性ガスを接触させる還元性後処理工程を実行する。好ましくは、導電性金属酸化物膜９２の加熱や還元性ガスの活性化によって上記還元作用を発現又は促進させる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と耐欠損性との両者に優れた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具は、基材と、該基材表面に形成された被覆層とを含み、該被覆層は、１層または２層以上の層からなり、その層のうち少なくとも１層は酸化アルミニウム層であり、該酸化アルミニウム層は、ナノインデンテーション法により測定した硬度が４０００〜７０００ｍｇｆ／μｍ²であり、かつ同法により測定した弾性回復率が０．３〜０．５である。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）上部層として、平板多角形（平坦六角形状を含む）状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有し、Ｙ（イットリウム）を含有するα型Ａｌ_２Ｏ_３を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスに要する労力を軽減した成膜方法、成膜装置、および、これらの成膜方法または成膜装置で得られたガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、長尺の基板をドラムの表面の所定の領域に巻き掛け、所定の搬送方向に搬送しつつ、この基板の表面に所定の膜を形成する成膜方法である。ドラムに対向して所定の距離離間して成膜電極が配置されており、成膜電極に高周波電圧を印加する高周波電源部、および膜を形成するための原料ガスをドラムと成膜電極との間に供給する原料ガス供給部が設けられている。膜の形成は、成膜電極に高周波電源部により電圧が印加されて形成される電界の範囲を、成膜に十分な量の反応ガスが供給された範囲よりも広くして行う。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＹ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｙ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、長期間にわたって、基材フィルムと無機酸化物蒸着膜との間の高い密着性、及びそれに基く高いガスバリア性を維持することができる透明蒸着フィルム、並びにそれを使用した積層体を提供すること。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、耐プラズマ保護層を設け、その上に、プラズマ化学気相成長法により無機酸化物蒸着膜を設けた透明蒸着フィルムであって、該耐プラズマ保護層が、特定の粒子径のアルミナゾルを特定量含む上記透明蒸着フィルムとする。 （もっと読む）

【課題】 高速断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、（ａ）下部層が、少なくとも１層のＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層、（ｂ）上部層がＡｌ_２Ｏ_３層で構成された表面被覆切削工具において、上記ＴｉＣＮ層の表面研磨面の法線に対して、（２２１）、（３１０）面の法線がなす傾斜角を測定して作成した傾斜角度数分布グラフにおいて、それぞれ、０〜１０度または２５〜４０度の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、その度数の合計が全体のそれぞれ７０％以上であり、さらに、Σ５の分布割合が、ΣＮ＋１全体の分布割合の合計の６０％以上を占める構成原子共有格子点分布グラフを示す。 （もっと読む）

【課題】容量結合型のプラズマＣＶＤ装置では、プラズマ放電電極間の直流電位差が経時的に変動してしまうので、安定且つ高能率の成膜処理を行うことができない。
【解決手段】交流電源と、ブロッキングコンデンサＣ１およびパイ型ＬＣ回路を有するマッチングボックスＭＢと、ＤＣレベル保持回路１０と、プラズマ放電電極ＥＬ１，ＥＬ２とを縦続（カスケード）接続する。ＤＣレベル保持回路１０は、直列接続されたコイルＬおよび直流電圧源ＶＶを備えている。このことにより、プラズマ放電電極ＥＬ１の直流電位は、直流電圧源ＶＶの起電力値に維持される。 （もっと読む）

【課題】微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマイクロカプセルは、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜により形成されたマイクロカプセルであって、生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、源から、コーティングされる物品へ、アルミニウムと反応成分とを共転送および共堆積する処理の制御が改善された気相コーティング技術である。一つの方法は、反応成分源を供給する工程を含んでおり、反応成分源の少なくとも一部が反応成分の非ハロゲン化合物を含んでおり、また、アルミニウム源を供給する工程と、ハロゲン化合物活性化剤を供給する工程と、アルミニウムと反応成分とを含んでいる種が、上記金属性表面上に共堆積されてコーティングを形成する効果的な条件で、金属性表面を持つ物品と、反応成分源と、アルミニウム源と、ハロゲン化合物活性化剤とを加熱する工程とを含んでいる。
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耐摩耗性コーティングを基板に施す方法は、大気圧プラズマ（２２）を生成する工程と、前記耐摩耗性コーティングを形成するために選択される前駆体を前記大気圧プラズマに導入する工程と、前記基板（２６）を前記大気圧プラズマに対して位置決めして、前記大気圧プラズマにより前記耐摩耗性コーティングを前記基板に堆積させる工程とを含む。
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【課題】 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（α型酸化アルミニウム）からなる硬質被覆層が化学蒸着で形成された表面被覆切削工具において、透過型電子顕微鏡とエネルギー分散形Ｘ線分析装置を用いてプローブ径５ｎｍで上記下部層と上部層との界面を解析した場合に、上記下部層と上部層との界面を中心とした±５ｎｍの界面領域のみに、Ｚｒ原子、Ｌｕ原子、Ｙ原子、Ｃｒ原子のいずれか１種又は２種以上が合計で１〜５原子％存在する。 （もっと読む）

ゲルマニウム及びテルルを有する相変化材料を形成する方法で、かかる方法は、基板上にゲルマニウム含有材料を堆積することを含む。かかる材料は、元素形態のゲルマニウムを含む。気体テルル含有前駆体が、ゲルマニウム含有材料に流れ込み、テルルが気体前駆体から除去されて、前記ゲルマニウム含有材料内で元素形態のゲルマニウムと反応して、前記基板上に相変化材料のゲルマニウム・テルル含有化合物を形成する。その他の実施態様も開示される。 （もっと読む）

【課題】単一のＳｉＣ超硬合金層、または少なくとも１つのＳｉＣ超硬合金層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆された物体、および物体を単一のＳｉＣ超硬合金層、または少なくとも１つのＳｉＣ超硬合金層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆する方法を提供する。
【解決手段】単一のＳｉＣ層は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣから、ＳｉＣ多層構造体は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣおよび非晶質ＳｉＣの混合物、またはハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣおよび非晶質炭素の混合物から形成する。被覆は、Ｈ₂および／または１種もしくは複数種の不活性ガス、一般式Ｓｉ_nＸ_2n、Ｓｉ_nＸ_2n+2もしくはＳｉ_nＸ_yＨ_z（ここで、Ｘはハロゲン元素、ｎ≧２）で表される１種または複数種のハロゲン化ポリシラン、ならびに１種もしくは複数種の炭化水素を含む混合ガスを用いて、熱ＣＶＤプロセスを介して行う。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ−ＭｎＯｘをバリア膜に用いても歩留りの低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｎ層以上の銅、又は銅合金配線４、８を有し、これらＮ層の銅、又は銅合金配線４、８のバリア膜としてＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜を使用する半導体装置の製造方法であって、第１層乃至第Ｎ−１層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜３は、セルフリミットがかかる前に成膜を完了させ、第Ｎ層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜７は、セルフリミットがかかるように成膜する。 （もっと読む）

【課題】高温・高湿環境でガスバリア性に対して優れた耐久性を有するガスバリア積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】プラスチックフィルム基材の両面または片面に酸化珪素膜を積層するガスバリア積層体において、前記プラスチックフィルム基材の前記酸化珪素膜を積層する面の中心線平均粗さＲａが３〜３０ｎｍであり、高分解能ラザフォード後方散乱法（ＨＲ−ＲＢＳ法）測定によって算出される前記酸化珪素膜の密度が１．９〜２．６ｇ／ｃｍ^３の範囲内であること、酸素と珪素の比（Ｏ／Ｓｉ）が１．４〜２．０の範囲内であることにより、高温高湿環境下でガスバリア性の劣化を抑えることができるガスバリア積層体を提供することができる。 （もっと読む）

ガラス製造工程中に大気化学気相堆積法によって導電性酸化チタンコーティングをガラス基板上に堆積させる方法を提供する。該方法は、加熱されたガラスリボンをフロート槽において提供するステップと、ハロゲン化された無機チタン化合物、有機酸素含有化合物、当該前駆体ガス状混合物の１０モル％以下を構成する還元ガス及び１以上の不活性キャリアガスを含む均一な前駆体ガス状混合物を準備するステップと、前記前駆体ガス状混合物を、前記前駆体ガス状混合の熱分解温度よりも低い温度で、前記加熱されたガラスリボンの近傍位置まで搬送するステップとを含む。被覆されたガラス物品は、１×１０^−２Ｓ／ｃｍを超える導電率を示す。 （もっと読む）

原子層成膜（ＡＬＤ）法を用いて、二酸化チタンのような金属酸化物の薄膜バリア層（１００）を基板（１１０）上に成膜する。チタン酸化物バリアをＡＬＤにより約１００℃未満の温度で成膜する場合に、優れたバリア層特性を達成することができる。１００オングストローム未満の厚さで、約０．０１ｇ／ｍ^２／日未満の水蒸気透過速度を有するバリアおよびかかるバリアの製造方法が開示されている。 （もっと読む）