【課題】特殊な表面加工設備を用いることなく、優れた密着性を得ることができるダイヤモンド薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基材１にダイヤモンド薄膜２が被覆されたダイヤモンド薄膜素子である。前記基材１は、線膨張係数が１２×１０^-6／Ｋ以下の低熱膨張材で形成され、長さ方向に沿って任意の垂直な横断面の外周が凸状の曲線となる側面（円錐面）部を有し、前記側面部の横断面の周長ｐが９００μm 以下とされる。前記側面部に被覆されたダイヤモンド薄膜の膜厚をｔとするとき、ｔ／ｐが１．０×１０^-4以上、７．０×１０^-3以下とされる。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ成長プロセスにおいて発生するイオン種を遮蔽する部材からのエッチング生成物をなくしたリモートプラズマＣＶＤ装置及びＣＮＴ成長方法の提供。
【解決手段】リモートプラズマＣＶＤ装置１において、処理基板Ｓがプラズマに曝されないように、プラズマ発生領域Ｐと処理基板Ｓとを離間すると共に、プラズマ発生領域Ｐと基板ステージ３との間に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ及びＷＣから選ばれた物質で構成されているメッシュ状の遮蔽部材５を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記膜および前記基板表面の境界近傍であって、前記膜の周縁部と前記基板表面とが接する部分を含む領域を成長促進領域として、前記基板表面に成長原料を導き、少なくとも前記成長促進領域上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な１段階の操作により高活性で再現よく炭素担持貴金属触媒を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭素担体に貴金属錯体の蒸気を接触させてその表面に金属ナノ粒子が担持された貴金属ナノ粒子触媒を得る。貴金属錯体としては、貴金属のアセチルアセトナート錯体が、炭素担体としては、活性炭、不定形炭素、グラファイトおよびダイヤモンドから選ばれた少なくとも１種が好ましく使用される。 （もっと読む）

【課題】 透明導電膜に用いる基板上に凹凸構造を形成するには、エッチングによるものや、スタンパを利用するものであるが、そのいずれも製造には高い技術とコストが必要であった。
【解決手段】 母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる母型または母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる原型を用いて製造されてなる母型とを用いて、該母型と基板前駆体の片面または両面とを互いにプレスする工程により、前記母型の表面形状を前記基板前駆体に転写して形成されてなる片面または両面に前記母型からの転写による凹凸構造を備える前記基板を製造することができ、容易に基板上に凹凸構造を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 透明性、柔軟性、延展性、可撓性等を有すると共に優れたガスバリア性を備え、かつ、引き裂き性が良好で直線カット性を有し、更に、耐衝撃性、屈曲性等の諸物性に優れた直線カット性を有するバリア性フィルムを提供。
【解決手段】 ナイロン樹脂とナイロンＭＸＤ６樹脂との混合樹脂からなる二軸延伸ポリアミドフィルム１と、該二軸延伸ポリアミドフィルムの一方の面に設けた炭素含有量が異なる炭素含有酸化珪素膜２ａ、２ｂ、２ｃからなるバリア性層２とからなることを特徴とする直線カット性を有するバリア性フィルムＡに関するものである。 （もっと読む）

【課題】 基材フィルムにＤＬＣ被膜が被覆されたガスバリア性フィルムにおいて、ガスバリア性を低下させることなく透明性を高める。
【解決手段】 基材フィルムの少なくとも一方の面に膜厚が５〜１００ｎｍの珪素含有ダイヤモンドライクカーボン膜が形成されたガスバリア性フィルムであって、Ｘ線光電子分光分析による珪素含有ダイヤモンドライクカーボン膜の構成比（Ｃ１ｓ／（Ｃ１ｓ＋Ｓｉ２ｐ））が０．０１〜０．３の範囲であるとともに、上記ガスバリア性フィルムの黄色度（ＹＩ）が２．５〜５．０の範囲であることを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】真空排気装置を必要とすることなく、また、固体原料を液状化することなくそのまま使用できるようにした、きわめて簡易な構成からなる成膜装置としての、原子層堆積膜の形成装置を提供する。
【解決手段】原子層堆積法によって基体上に原子層堆積膜を形成する原子層堆積膜の形成装置２００である。原料を昇華させる昇華器２０１と、昇華器２０１からキャリアガスにより同伴されて導入された原料ガスを、常圧にて基体上に接触させ、基体上に原子層堆積膜を形成する反応室２０２と、昇華器２０１内および反応室２０２内を加熱する加熱手段２０３と、を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを均一に加熱することができるだけでなく、ウエハ保持体の破損を防止することができる、信頼性の高いウエハ保持体の支持構造を提供する。
【解決手段】 セラミックス焼結体中または表面に電気回路を埋設したウエハ保持体１を筒状支持部材３で支持する支持構造であって、ウエハ保持体１にネジ山が形成されたフランジ部品２が複数のネジ４で取り付けられており、このフランジ部品２のネジ山に筒状支持部材３に設けたネジ山が螺合されている。フランジ部品２に螺合された筒状支持部材３は、回り止めピン５によって固定されている。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ保持体を支持した筒状支持部材をチャンバーに取り付ける際に、確実に取り付けることができ、高い信頼性を有するウエハ保持体の取り付け構造を提供する。
【解決手段】 ウエハ保持体を支持した筒状支持部材１の下端部を支持し且つその下端部外周の少なくとも一部を覆う筒状部３ａを有する支持部品３と、支持部品３と筒状支持部材１の間に配置され且つ筒状支持部材１の下端部外周に設けたフランジ部１ａの上に取り付けられたリング状固定部材４とを備え、リング状固定部材４の外周に形成した雄ネジを支持部品３の筒状部３ａに形成した雌ネジに螺合すると共に、支持部品３の下端突出部３ｂをチャンバー２に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】純度を低下させることなく化学気相成長法により形成された炭化珪素を、炭化珪素層の抵抗を低くして炭化珪素層を導電化させることができる炭化珪素導電化方法の提供。
【解決手段】化学気相成長法により炭化珪素焼結体表面に炭化珪素層を形成する工程と、表面に炭化珪素層が形成された炭化珪素焼結体を窒素雰囲気下で加圧処理することにより、炭化珪素層の抵抗を低下させて、当該炭化珪素層を導電化する工程を有する事を特徴とする炭化珪素導電化方法により得られる。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜の各部に要求される動きに応じた特性をそれぞれ持たせることにより、低電圧でも、圧電体薄膜の機能を十分に発揮することのできる圧電体薄膜素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】膜厚方向の所定位置より上部電極側４３２における膜厚方向の電気抵抗率ｒ₂に対し、前記所定位置より下部電極側４３１における膜厚方向の電気抵抗率ｒ₁の方を、高くする。また、膜厚方向の所定位置より上部電極側４３２の誘電率ε₂に対し、前記所定位置より下部電極側４３１の誘電率ε₁の方を、低くする。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性、機械的強度、引裂き性に優れる液体用小袋および液体小袋包装体を提供する。
【解決手段】基材フィルム、炭素含有酸化珪素の蒸着膜の薄膜およびコーティング層からなるガスバリア性積層フィルムの前記コーティング層に、アンカーコート剤によるアンカーコート層および／またはラミネート用接着剤によるラミネート用接着剤層、およびヒートシール性樹脂層を順次積層させた積層材からなる液体用小袋である。引裂き性、機械的強度、ガスバリア性に優れ、かつ透明性が確保される。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成や平坦化処理において薄膜の応力を制御できる薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理中の基板の曲率半径を測定しながら薄膜形成や平坦化処理を実施して処理の終点を検出し、薄膜形成や平坦化処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。
【解決手段】(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 （もっと読む）

【課題】信号の処理速度向上が得られる誘電率が小さく、かつ、ＣＭＰ（化学・機械的研磨）に耐え得る機械的強度を持ち、更には形成された膜の面内均一性が高く、かつ、ロット間でのバラツキが少ない膜を、緩い成膜条件（最適成膜条件の範囲が広く）で、かつ、容易に、形成することができる半導体装置（素子）における絶縁膜（誘電膜）を形成する為の膜形成材料及び膜形成方法を提供する。
【解決手段】膜を形成する為の材料であって、炭素数が４〜７個のシクロアルキル基を一つ、炭素数が１〜３個のアルキル基を一つ、及び、炭素数が１〜３個のアルコキシ基を二つ持つＳｉ化合物。 （もっと読む）

【課題】抄紙機又は輪転印刷機で使用される回転体又はその外周面部材（被覆対象物）上特に特に圧胴表面の粗面構造上に、同心性を損なわずに、連続生産で経済的に、インキをはじく清掃しやすい耐摩耗性付着防止層を形成する。
【解決手段】付着を減少する粗面構造を表面に作り、ＰＡＣＶＤ法により炭素被覆を被着し、その際被覆が種々の組成の元素Ｃ、Ｈ、Ｓｉ、Ｏ及びＦを有するように、第１段階で炭化水素及びケイ素含有前駆物質を使用してＣ−Ｈ−Ｓｉ−Ｏ基本格子を形成し、第２段階でフッ素前駆物質からフッ素を取り込むことにより耐摩耗性付着防止層を形成する。その際、被覆対象物の輪郭にならった可動式反応器頭部が、被覆対象物の表面とともに反応室を取り囲むとともに被覆対象物の上を無接触で横行し、ＰＡＣＶＤプラズマ流並びに別のガス流で前駆物質及び掃気ガスが反応室に供給される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素単結晶基板上に高品質で基底面転位の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上に、表面での基底面転位密度が10²/cm²以下である炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、上記炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長で形成する際に、成長装置内でエピタキシャル成長を1回以上中断する。 （もっと読む）

【課題】データ保存のための強誘電体薄膜の製造方法及びそれを利用した強誘電体記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質のＴｉＯ_２層を形成する工程、ＴｉＯ_２層上にＰｂＯガス雰囲気を形成する工程及びＴｉＯ_２層とＰｂＯガスとを４００℃ないし６５０℃の温度範囲で反応させて、基板上に１ｎｍないし２０ｎｍサイズの微細結晶粒構造を有するＰｂＴｉＯ_３強誘電体薄膜を形成する工程を含む強誘電体薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

表面上にコーティングを形成する方法が開示される。この方法が、ポリマー材料と非−ポリマー材料との混合物を含むハイブリッド層を表面上に堆積する段階を含む。ハイブリッド層が、単相を有してよく、または多相を含んでもよい。ハイブリッド層が、単一源の前駆体物質を使用した化学気相成長法によって形成される。化学気相成長法プロセスが、プラズマ助長型であってよく、反応ガスを使用して行われてもよい。前駆体物質が、シロキサンのような有機−シリコン化合物でよい。ハイブリッド層が、シリコーンポリマーのような様々な種類のポリマー材料、及び酸化シリコンのような様々な種類の非−ポリマー材料を含んでよい。反応条件を変えることにより、ポリマー材料と非−ポリマー材料とのｗｔ％比が調整されてよい。ハイブリッド層が、光透過性、不浸透性、及び／又は柔軟性のような、有機発光デバイスへの使用に適した様々な特性を有してよい。
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