【課題】プラスチック基材としてＰＥＴやポリオレフィンを用いた場合には勿論のこと、ポリ乳酸を用いた場合においても、酸化劣化のみならず、熱変形や熱劣化などを生じることなく成膜が可能であり、しかも酸素や水分に対するバリア性も高く、密着性に優れ、且つ水分による膜剥離も有効に防止された蒸着膜を備えたプラスチック成形品を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１と、該基板表面にプラズマＣＶＤ法によって形成された蒸着膜３とからなり、蒸着膜３は、元素比Ｃ／Ｍ（Ｍは金属元素である）が２．５乃至１３であり且つ元素比Ｏ／Ｍが０．５以下の範囲にある有機金属系蒸着層３ａと炭化水素系蒸着層３ｂとを含み、炭化水素系蒸着層３ｂは、厚みが４０乃至１８０ｎｍの範囲にあり、且つＦＴ−ＩＲ測定で波数３２００〜２６００ｃｍ^−１の領域にＣＨ、ＣＨ_２及びＣＨ_３に由来するピークを示し、ＣＨ_２比が３５％以下及びＣＨ_３比が４０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温であっても耐摩耗性を発揮することができる耐摩耗性皮膜およびこれを備えた工具、並びに、高温での耐摩耗性に優れた皮膜を製造するための装置を提供する。
【解決手段】基材上に形成され、金属窒化物とされた表層を備えた耐摩耗性皮膜であって、前記表層上に該表層を皮膜する最表層が設けられ、該最表層が、炭素が固溶された少なくともＬｉとＡｌとを含む複合酸化物であることを特徴とする耐摩耗性皮膜。 （もっと読む）

【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。 （もっと読む）

【課題】 高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具の硬質被覆層の上部層は酸化アルミニウム層、下部層はＴｉ化合物層と改質（Ｔｉ_１−ＸＺｒ_Ｘ）ＣＮ層（但し、原子比でＸ＝０．０２〜０．２５）と改質（Ｔｉ_１−ＹＣｒ_Ｙ）ＣＮ層（但し、原子比でＹ＝０．００５〜０．０５）で構成し、改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層は、｛１１１｝面の傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該傾斜角区分内に存在する度数の合計が、度数全体の４５％以上の割合を占め、また、改質（Ｔｉ，Ｃｒ）ＣＮ層は、｛１１２｝面の傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該傾斜角区分内に存在する度数の合計が、度数全体の４５％以上の割合を占める。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】上部層として酸化アルミニウム層、下部層としてＴｉ化合物層と改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、Ｔｉ化合物層のうちの少なくとも１層は、｛１１２｝面の法線がなす傾斜角を測定・集計した傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該区分内の度数合計が度数全体の４５％以上の割合を占める改質ＴｉＣＮ層で構成し、さらに、前記改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層は、｛１１１｝面の法線がなす傾斜角を測定・集計した傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該区分内の度数合計が度数全体の４５％以上の割合を占める改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層で構成する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】上部層として酸化アルミニウム層、下部層としてＴｉ化合物層と改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、Ｔｉ化合物層のうちの少なくとも１層は、｛１１０｝面の法線がなす傾斜角を測定・集計した傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該区分内の度数合計が度数全体の４５％以上の割合を占める改質ＴｉＣＮ層で構成し、さらに、前記改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層は、｛１１１｝面の法線がなす傾斜角を測定・集計した傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該区分内の度数合計が度数全体の４５％以上の割合を占める改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層で構成する。 （もっと読む）

水蒸気及び気体に対する良好な透過遮断硬化を有する無機の遮断層を備え、プラスチック成形された包装要素であって、この包装要素には、所望の透過遮断硬化を有する材料を使用して真空中で生成されたコーティングが付与される。この真空コーティングには、磨耗及び腐蝕に対する保護及び機械的安定性の改良のために、オーバーラッカーを施す。 （もっと読む）

【課題】板状の導電性ダイヤモンド電極を、ＣＶＤ法を使用して製造すると、一方の面に非ダイヤモンド構造の炭素質が生成して電極性能を低下させる。この電極を賦活化して電極性能を高く維持する。
【解決手段】導電性ダイヤモンド電極の表面を、励起水素、励起酸素、及び励起アルゴンから選ばれる一種類以上と接触させる。表面に生成している非ダイヤモンド構造の炭素質が励起ガスと接触して、電極表面から除去される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得ることにある。
【解決手段】本発明は、基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造において、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、ガスバリア性が良好で、カールの発生が抑制されたガスバリア性シートを提供する。特に、有機ＥＬディスプレイ等の耐久試験として行われるヒートサイクル試験後においても、カールの発生が抑制され、ガスバリア性能も維持されるガスバリア性シートを提供する。
【解決手段】基材２上にガスバリア膜３を有するガスバリア性シートにおいて、ガスバリア膜３を、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜（ただし、ｘ＝０．５〜１．５、ｙ＝０．２５〜１）とし、かつ、ガスバリア膜３のＳｉ−Ｎ結合に対応するＩＲ吸収（８３０ｃｍ^−１〜８４０ｃｍ^−１）の単位厚さあたりの吸収強度を０．５×１０^−３／ｎｍ〜１．８×１０^−３／ｎｍとし、ガスバリア膜３の屈折率を１．７〜２．１とすることによって、上記課題を解決する。 （もっと読む）

（ａ）少なくとも１つの露出された表面を有する基体を準備する工程及び（ｂ）該基体の少なくとも１つの露出表面と接触状態にある大気圧プラズマの中にガス混合物を流して、基体の上にプラズマ化学蒸着皮膜を形成する工程を含んでなる、基体の露出表面上へのフィルム皮膜の蒸着方法であって、このガス混合物が酸化ガス並びにビニルアルコキシシラン、ビニルアルキルシラン、ビニルアルキルアルコキシシラン、アリルアルコキシシラン、アリルアルキルシラン、アリルアルキルアルコキシシラン、アルケニルアルコキシシラン、アルケニルアルキルシラン及びアルケニルアルキルアルコキシシランからなる群から選択された前駆体を含み、このガス混合物の酸素含有量が、１０体積％よりも大きい蒸着方法。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤプロセスを使用して、均一性が良好で、ほとんどまたは全く汚染がなく、かつ導電率が高いつまり抵抗率が低いタングステン含有材料を堆積するための改良されたプロセスを提供する。
【解決手段】一実施形態では、プロセスチャンバ内に基板を位置決めするステップであって、該基板がこの上に配置されている下地層を含有するステップと、該基板をタングステン前駆体および還元ガスに順次曝してＡＬＤプロセス時に該下地層上にタングステン核形成層を堆積するステップであって、該還元ガスが約４０：１、１００：１、５００：１、８００：１、１，０００：１以上の水素／ハイドライド流量比を含有するステップと、該タングステン核形成層上にタングステンバルク層を堆積するステップとを含む、基板上にタングステン含有材料を形成するための方法が提供される。該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。 （もっと読む）

【課題】 実機の摺動面の隙間で発生するプラズマを用いて、その場でプラズマコーティングし、摺動しつつプラズマコーティングを行うことにより、コーティングと同時になじみ運転も行うことができる技術を提供する。また、摩擦または摺動により、薄膜には絶えず接線力を加えた状態でコーティングし、接線力による膜中の組織の配向を発生させ、極めて高い耐摩耗性、良潤滑性の膜をコーティングできる技術を提供する。
【解決手段】 摺動体と回転体を摩擦又は摺動させることにより、これらの間にトライボマイクロプラズを発生させ、該摺動体と回転体の一方又は双方に、摺動体又は回転体を構成する物質の少なくとも一部からなる膜を形成することを特徴とするトライボマイクロプラズマコーティング方法。 （もっと読む）

【課題】フッ化物イオンを含有する溶融塩電解浴を用いてフッ素含有物質を電解合成するために使用する導電性ダイヤモンド電極構造体、及び、導電性ダイヤモンド電極構造体を用いてフッ素含有物質を合成する電解合成方法を提供する。
【解決手段】フッ化物イオンを含有する溶融塩電解浴を用いてフッ素含有物質を電解合成するために使用する導電性ダイヤモンド電極構造体であって、導電性電極給電体８と導電性基体の表面に導電性ダイヤモンド皮膜を坦持した導電性ダイヤモンド触媒担持体９とよりなり、導電性電極給電体８の前記電解浴に浸漬する部分に導電性ダイヤモンド触媒担持体９を着脱自在に取り付けたことを特徴とする導電性ダイヤモンド電極構造体、及び、該導電性ダイヤモンド電極構造体を陽極として用いるフッ素含有物質の電解合成方法。 （もっと読む）

金属膜を堆積させるための方法または組成物がここに開示される。一般に、開示された方法は金、銀、または銅を含む前駆体化合物を利用する。より具体的には、開示された前駆体混合物は、熱安定性を高めるために、金属に結合されたペンタジエニル配位子を利用する。さらに、銅、金、または銀を堆積させる方法が、金属膜を堆積させるための他の前駆体の使用と共に開示される。該方法および組成物が種々の堆積プロセスに使用され得る。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。
【解決手段】 ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体を光電変換層に用いる光デバイスであり、光電変換層を構成する四面体結合される半導体の格子点サイトのゲルマニウム原子を置換するｎ型ドーパントＤまたはｐ型ドーパントＡと、前記ドーパントに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚを含み、異種原子Ｚはドーパントとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となる光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】 透明性を有すると共に優れたガスバリア性を備え、かつ、温度・湿度依存性が小さく、また、耐衝撃性等の諸物性に優れ、更に、引き裂き性が良好で直線カット性を有すると共にヒ−トシ−ル性樹脂層（ヒ−トシ−ラント）として作用する極めて有用な易引き裂き性を有するガスバリア性積層フィルムを提供することである。
【解決手段】 直線引き裂き性を有する一軸延伸ポリエチレン系樹脂フィルムの一方の面に、プラズマ保護層を設け、更に、該プラズマ保護層の面に、化学気相成長法によるバリア性無機酸化物の蒸着膜を１層ないし２層以上設け、更に、該バリア性無機酸化物の蒸着膜の上に、プライマ−剤層を設けたことを特徴とする易引き裂き性を有するガスバリア性積層フィルムに関するものである。 （もっと読む）

【課題】直流プラズマＣＶＤ装置において、良好に成膜する。
【解決手段】内周に等間隔に複数の噴出口を持つリングノズル２２を、チャンバー１０内の陽極１１ａと陰極１３と間にできる陽光柱ＰＣの最高点よりも高く、陰極１３の上端面よりも低い位置に配置し、リングノズル２２から反応ガスを水平に噴出させる。また、陽極１１ａを載置したステージ１１の周りに均等に配置された排気用管路２０から反応ガスを排気する。これにより、反応ガスが基板１の表面に均等に供給され、良好に成膜できる。 （もっと読む）

【課題】大気プラズマを用いて、基材表面に改質層を形成し、前記改質層とバリア膜との二層構造からなる比較的簡単で、かつ高いガスバリア性・密着性を得ることが可能であるバリア膜被覆基材及びバリア膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】バリア膜被覆基材１００は、例えばポリプロピレン（ＰＰ）等のように反応性の官能基を持たない炭化水素製基材１０１の表面に、減圧下で放電プラズマによりバリア膜１０２を成膜してなるバリア膜被覆基材であって、前記反応性の官能基を持たない炭化水素製基材１０１に大気プラズマを照射し、前記反応性の官能基を持たない炭化水素製基材１０１表面に、酸素、窒素の何れか一方又は両方を含有する改質層１０３を形成する改質工程と、改質層１０３の上にバリア膜１０２を成膜する成膜工程とから、前記反応性の官能基を持たない炭化水素製基材１０１とバリア膜１０２との間に改質層１０３を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】極めて薄い層であっても層の傾斜が経済的で、手早く正確に調整できる方法を提供する。
【解決手段】層を製造するプラズマＣＶＤ法、ここで、該層の傾斜が被覆プロセス中に少なくとも１つのプラズマ出力パラメーターを変化させることにより該層の成長方向に作られる、において、プラズマパルスＣＶＤ法で出力パルス列としてプラズマ出力を供給し、ここで、該パルス列はパルス振幅、パルス幅およびパルス間隔のパラメーターを有する；さらに該パルス振幅、パルス幅およびパルス間隔の少なくとも１つを変化させることにより、該層の傾斜を調整するステップ。 （もっと読む）