【課題】簡易な方法により大面積で高透過率、低抵抗率の透明導電膜を得ること。
【解決手段】ＣＶＤ反応容器の第１の領域にショウノウを配置する工程と、ＣＶＤ反応容器の第２の領域にグラフェンシートを形成する基板を配置する工程と、第１の領域を加熱して、ショウノウを蒸気化し、ＣＶＤ反応容器内において、不活性ガスのキャリアガスを第１の領域から第２の領域に向けて流すことにより、加熱された第２の領域に配置された基板（Ｎｉ）上にショウノウの蒸気を導く工程と、加熱された第２の領域に配置された基板上において、ショウノウの蒸気を熱分解して、基板上に、グラフェンシートを得る工程を有する。そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板（３５）上にフィルムを蒸着する方法を提供する。
【解決手段】基板（３５）は、約０．１ミリトールから約１００ミリトールの圧力で反応容器（１）に入れられる。この方法は、ｉ）少なくとも１つの有機金属化合物を含むガス前駆体を、約２０℃から約１５０℃の温度、約０．１トールから約１００トールの蒸気圧で反応容器に供給し、ｉｉ）反応容器に、パージガス、酸化ガス又はこれらの組み合わせを供給する、ことを含む反応サイクルを基板に施すことを含む。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗でかつ高透過率な透明電極膜を簡易な工程で製造する方法を提供すること。
【解決手段】 基体上に透明導電膜を形成する熱ＣＶＤ（化学気相成長）法であって、固体原料（Ｒ）を直接加熱により気化させる工程（Ｓ１）と発生した原料ガスを加熱基体に堆積させる工程（Ｓ２）により透明導電性酸化スズ（ＳｎＯ_２）膜（Ｐ）を得ることができる。この方法は、スプレーノズルや真空設備等を必要とせず大気下で成膜可能であり、簡易設備での高品位な導電性酸化スズ膜の製造を可能にする。 （もっと読む）

【課題】容易に分解し、かつ、緻密で高炭素比率の導電性フルオロカーボン薄膜を効率的に形成できる原料ガスを用いた導電性フルオロカーボン薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】一般式ＣｘＦｙＨｚ（式中のｘは２又は３、ｙは１〜４の整数、ｚは１〜５の整数を示す。）で示され、かつ、分子内に炭素−炭素の二重結合を有する化合物を含む原料ガスを真空プラズマ装置内で励起・分解することによって試料表面に導電性のフルオロカーボン膜を堆積させる。原料ガスを励起・分解する際の圧力は１〜１３３Ｐａの範囲、温度は１５〜１００℃の範囲が好ましい。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。
【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。 （もっと読む）

【課題】良好な均一性、および下部層に対して良好な接着性を有する低抵抗率のタングステン膜を形成する方法が提供される。
【解決手段】低温下でパルス核生成層プロセスを用いてタングステン核生成層を形成する。その後、バルクタングステン充てん物を堆積させる前に、成膜された核生成層を処理する。本処理により、堆積されるタングステン成膜の抵抗率が低減される。ある実施形態では、核生成層の成膜は、水素を利用せずに、ホウ素ベースの化学作用により行われる。またある実施形態では、処理は、核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体の交互のサイクルに曝す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】長期の駆動に耐えることのできる圧電体膜とその製造方法、圧電素子および液体吐出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に略平行であり、積層に起因するグレインバウンダリのない、基板上に気相成長法により成膜された圧電体膜であり、構成する結晶の（１００）面方位の結晶軸方向が前記基板面の法線方向から６°以上４５°以下傾いていることを特徴とする圧電体膜とその製造方法である。さらに、該圧電体膜を備える圧電素子および液体吐出装置である。 （もっと読む）

本発明は、固有抵抗を測定するための機器を使用してシラン及びゲルマンの純度を間接的に決定するための方法に関する。本発明はさらに、固有抵抗を測定するための機器を使用した品質管理を含めた、シラン又はゲルマンの工業的製造及び／又は充填のためのプラントに関する。
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【課題】原料ガスとしてシランガス、アンモニアガス、水素ガスおよび／または窒素ガスを用い、容量結合型のプラズマＣＶＤによって、可撓性に優れ、かつ、良好なガスバリア性を長期に渡って発現するガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０［Ｗ／ｓｃｃｍ］未満、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】構成層の剥離や透明導電膜の劣化を防止することにより、長期にわたり優れた性能を発揮することが期待できる透明導電膜付ガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】環状ポリオレフィン系材料からなる基材１０の両主面に対し、それぞれガスバリア層２０Ａ、２０Ｂ、保護層３０Ａ、３０Ｂを順次積層してフィルム積層体２を構成する。保護層３０Ａ、３０Ｂはシロキサン系熱硬化性樹脂で構成する。ＡＰＣ層４０の両面にＩＴＯ膜５０Ａ、５０Ｂを積層して透明導電膜積層体３を構成する。このフィルム積層体２と透明導電膜積層体３とを積層して、透明導電膜付ガスバリアフィルム１を構成する。 （もっと読む）

【課題】過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、かつ良好な透明性、ガスバリア耐性を備えた透明ガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】基材上に少なくとも低密度層及び高密度層から構成されるガスバリア層を有する透明ガスバリア性フィルムにおいて、該低密度層と該高密度層との間に、１層以上の中密度層を有することを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】 導電性と耐食性に優れた炭素皮膜をステンレス鋼の表面に形成する方法を提供する。
【解決手段】 ステンレス鋼板に例えば９．０％以上の冷間圧延処理を施し、表層部のオーステナイト組織の一部を応力誘起マルテンサイト組織に変態させ、次いで表面にエッチングなどの前処理を施した後、プラズマＣＶＤ法により炭素皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長により形成された結晶膜の成長面内における物性値を均一な値に近づける。
【解決手段】第１化合物半導体および第２化合物半導体を積層した積層半導体を含み、前記第１化合物半導体の所定物性値が第１面内分布を有し、前記第２化合物半導体の前記所定物性値が前記第１面内分布とは異なる第２面内分布を有し、前記積層半導体における前記所定物性値の面内分布の幅が、前記第１面内分布の幅または前記第２面内分布の幅より小さい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】基体温度が高温（例えば、５９０℃以上）のみならず低温（例えば、４５０〜５５０℃）であっても膜中に残留する塩素濃度を効率よく低減することができ、かつ、酸化錫の結晶粒が大きく成長した膜を成膜することができる酸化錫膜付き基体の製造方法の提供。
【解決手段】加熱した基体上に、気化した塩化錫、酸化ガスおよび気化したアンモニア類を含有する原料ガスを吹き付けて酸化錫を成膜する、酸化錫膜付き基体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、（ａ）下部層はＴｉ化合物層、（ｂ）上部層は、α型Ａｌ_２Ｏ_３相、κ型Ａｌ_２Ｏ_３相およびＴｉ化合物相の混合組織層からなり、（ｃ）上部層において、α型Ａｌ_２Ｏ_３相含有割合（＝α型Ａｌ_２Ｏ_３相／（α型Ａｌ_２Ｏ_３相＋κ型Ａｌ_２Ｏ_３相））は０．６〜０．９、また、Ｔｉ化合物相は、ＴｉＯ_２、Ｔｉ_３Ｓ_４を少なくとも含み、（ｄ）上部層におけるＴｉ含有割合（＝Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｏ＋Ｓ））は０．３〜３ａｔ％、Ｓ含有割合（＝Ｓ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｏ＋Ｓ））は０．１〜２ａｔ％、さらに、Ｔｉ_３Ｓ_４は、Ｔｃ（１００）＞２を満足する配向性を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラスに替わる電極フィルムとしての、耐熱性、透明性、カール、寸法変化、耐久性をすべて兼ね備えたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】環状オレフィンとエチレンとの共重合比率が、８０：２０〜９０：１０であり、ガラス転移温度が１７０℃以上の環状オレフィンの付加（共）重合体よりなるフィルムシート１０の少なくとも片面に、プラズマ化学気相成長法によって厚み３０〜３００ｎｍの酸化珪素膜１２を形成することによって、水蒸気透過度が０．３ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下にされたガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性のみならず、耐酸化性、透明性、および可撓性にも優れるガスバリア膜、および、このガスバリア膜の有するガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】窒化シリコンを主成分とし、Ｎ／Ｓｉの組成比が１〜１．４で、水素含有量が１０〜３０原子％であり、さらに、フーリエ変換赤外吸収スペクトルにおける、Ｓｉ−Ｈの伸縮振動のピークが２１７０〜２２００ｃｍ^-1内に位置し、かつ、このＳｉ−Ｈの伸縮振動のピーク強度Ｉ_{（Ｓｉ−Ｈ）}と、８４０ｃｍ^-1付近のＳｉ−Ｎの伸縮振動のピーク強度Ｉ_{（Ｓｉ−Ｎ）}との強度比である［Ｉ_{（Ｓｉ−Ｈ）}／Ｉ_{（Ｓｉ−Ｎ）}］が、０．０３〜０．１５であることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高硬度で緻密な炭素膜を均一な厚みで形成することが可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧された成膜室１０１内に炭素を含む原料の気体Ｇを導入し、この原料の気体Ｇを、通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極１０４と、その周囲に設けられたアノード電極１０５との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体を基板Ｄの表面に加速照射するときに、マグネット１０９によって成膜室１０１内の励起空間に磁場を印加すると共に、この励起空間の周囲に配置されたマグネット１０９を周方向に回転させながら、炭素膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】食品、日用品、医薬品などの包装分野や電子機器関連部材などの分野において、包装材料としての通常の加工を施してもガスバリア性が劣化しない、特に高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供することにある。
【解決手段】プラスチックフィルムからなる基材層の少なくとも片面に、アンカー層と、ＳｉＯｘＣｙ（ｘは１．５以上２．０以下、ｙは０以上０．５以下の数を表す。）で表される酸化珪素からなるガスバリア層が順次形成されたガスバリア性積層フィルムにおいて、前記アンカー層がポリビニルアセタール、ポリエステルポリオール、イソシアネート化合物およびシランカップリング剤を含んでいることを特徴とするガスバリア性積層フィルムである。 （もっと読む）

【課題】有機層および無機層を有する積層型のガスバリアフィルムにおいて、ガスバリア性のみならず、生産性にも優れるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】基板Ｚの表面に大気中で成膜された第１有機層１２を有し、その上に、真空中で成膜された第２有機層１４を有し、その上に、真空中で成膜された無機層１６を有する。 （もっと読む）