【課題】加熱チャンバーにより加熱された基板の温度を均一に保持しつつ大気圧から真空に移行させることができるロードロックチャンバーを備えた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１におけるロードロックチャンバー２０は、その内部空間を所定温度に保持するための保熱手段２３を備える。この保熱手段２３は、基板が収容される内部空間を形成し且つ該内部空間における対流の発生を実質的に防止又は抑制するように配置された複数のヒータパネル２３ａ〜２３ｃからなる。このような構成により、上記の内部空間Ｓにおいて対流が発生しにくくなるので、ロードロックチャンバー２０内に搬入されてきた基板２の温度を均一に保持しつつ大気圧から真空に移行させることができる。 （もっと読む）

【課題】吹出し孔の設計の自由度が高く、吹出し孔の設計により調整バルブを必要とすることなくヒータ各部の降温速度を調整することができ、流路構造が単純で、シールの容易化及びコストの低減が図れる熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体ｗを多段に収容して所定の熱処理を行うための処理容器２と、該処理容器２の外周を覆って被処理体ｗを加熱する筒状のヒータ３と、該ヒータ３と処理容器２との間の空間２４内の雰囲気を排出する排熱系２５と、上記空間２４内に冷却流体を吹出して冷却する冷却手段２６とを備え、上記ヒータ３は筒状の断熱材１７の内周に発熱抵抗体１８を配設すると共に断熱材１７の外周を外皮２０で覆ってなり、上記冷却手段２６は上記断熱材１７と外皮２０の間に高さ方向に単数もしくは複数形成された環状流路２８と、各環状流路２８から断熱材１７の中心方向もしくは中心斜め方向へ冷却流体を吹き出すべく断熱材１７に設けられた吹出し孔２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマＣＶＤ法により薄膜を成膜する３次元中空容器の薄膜成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】円筒型金属製容器１と成膜対象物である３次元中空容器３を収納し、該中空容器３内に金属製原料ガス導入管４が該円筒型金属製容器１の中心軸上に配置され、排気口５と円筒型樹脂製容器２が具備され、該円筒型金属製容器１の天面からマイクロ波エネルギーを注入する手段として該金属製ガス導入管４との兼用を可能とする中心導体４を具備し、さらに該マイクロ波エネルギーによる共振状態を調整するための金属製原料ガス導入管４と同軸線上下部に位置する中心導体Ｂ８を該円筒型金属製容器１の底面に具備し、マイクロ波エネルギーによって得られるプラズマＣＶＤ法により薄膜を成膜することを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜時にプラズマ化されたガスの汚れ等でガス供給管の孔がつまることなく中空容器の表面に均一な膜を成膜するプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】マイクロ波エネルギーにより原料ガスをプラズマ化し、中空容器８の表面に薄膜を成膜するプラズマ成膜装置であり、原料ガスを注入するガス供給管５の先端のガス孔角度が中空容器８の底面部位に対して水平方向から３０〜６０°方向に設けられていること、および前記ガス供給管５が周方向に均等に孔を配置し、これが円筒軸に平行に均等の間隔を有しながら周方向に配置された場合、該ガス供給管５の先端の孔径が同径であることを特徴とするプラズマ成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有し、生産性のよい光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１電極１０２上に、一導電型結晶性半導体粒子密に分散させ、レーザビームの照射等により隣接するもの同士が融着している一導電型の結晶性半導体粒子１０７を形成する。さらに、一導電型の結晶性半導体粒子１０４と接合を形成する一導電型とは逆の導電型の半導体層１０８を形成する。さらに第２電極１１０を設ける。この構成によれば、結晶性半導体粒子１０４において生成されるキャリアの、横方向の移動が阻害されず、この層を単一の単結晶シリコン層で形成した場合とほとんど変わるところがないという有意な効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】バッチ式であっても、処理するウエハの枚数に応じた最小限の処理ガス量で処理を可能にした処理装置とする。
【解決手段】仕切板２１をチャンバ１の上下方向に移動させることで、処理するウエハ８の枚数に応じた一方側の領域４ａを設定し、３方弁１３により、一方側の領域４ａの処理室４に開口する供給配管１１から処理ガスを供給し、他方側の領域４ｂの処理室４に開口する供給配管１１からＮ_２ガスを供給し、処理する枚数のウエハ８に応じた量の処理ガスを使用して処理を行う。 （もっと読む）

【課題】低コストでありながら、耐久性の高いウェハ裏面のパーティクル及び傷を低減するプラズマ処理方法、及び、この方法を適用したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理するウェハ１６を静電チャック１８上に載置した後、不活性ガスを供給し、不活性ガスにＲＦパワーを掛けることでプラズマを形成し、プラズマからの輻射熱を用いて処理前にウェハ１６を加熱し、ウェハ１６の温度がプラズマ処理時のウェハ熱平衡温度に達したときに、静電チャック１８にウェハ１６を吸着させて保持し、プラズマ処理ガスを導入してプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 表面平坦性と水蒸気・ガスバリア性が向上したガスバリアフィルム基板、および、その基板を用いた表示素子を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルムの少なくとも片面に、無機質層が積層され、該無機質層の上に、ガスバリア無機質層が積層されている構成を有するガスバリアフィルム基板である。無機質層とガスバリア無機質層は複数、交互に積層されていてもよい。ガスバリア無機質層は窒素を含む酸化珪素膜よりなり、無機質層は炭素を含む酸化珪素膜よりなる。これら樹脂フィルム基板は、エレクトロルミネッセンス表示素子および液晶表示素子の基板に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】 基板が下向きに凸状に反ることによる局所加熱を防止すること。
【解決手段】 本発明は、基板２をサセプタ１の上面に設置して加熱しながらこの基板２上に化合物半導体膜４を堆積させる化合物導体膜の形成方法において、前記サセプタの上面に凹部３を設け、この凹部３は、前記基板２の下方へ凸の反りに対応して基板２の中心が前記サセプタ３に常に非接触で、基板２の外周部が前記サセプタ１に常に接触する深さと広さを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】 本発明にかかるガス供給装置は，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを流す処理ガス供給配管２０２から分岐して，処理室内の異なる部位からガスを導入する第１，第２ガス導入部３３０，３４０にそれぞれ接続する第１，第２分岐流路２０４，２０６と，処理ガス供給流路から第１，第２分岐流路に分流される処理ガスの分流量を第１，第２分岐流路内の圧力に基づいて調整する分流量調整手段２３０と，所定の付加ガスを供給する付加ガス供給手段２２０からの付加ガスを流す付加ガス供給配管２０８とを備え，第１，第２ガス導入部のいずれか一方は，分岐流路を接続する処理ガス導入部と，付加ガス供給流路を接続する付加ガス導入部とに分けて構成した。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン薄膜の光劣化と関連する拡散長の短い核種をより一層排除することができ、また、大面積製膜も可能なプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】反応容器１と、その容器内に反応ガスを導入するガス導入管６と、容器外へ排ガスを排出するガス排気管４と、容器内に収容した第一電極２及び第二電極３からなる放電用平行電極と、前記電極に電力を供給する電源９とを有してなるプラズマプロセス装置において、第一電極２には、ガス導入管６に連通するガス導入用穴１１及び前記ガス排気管６に連通する排ガス用穴１２の双方を設ける。好ましくは、第一電極２の第二電極３に対向する表面に、多数の凹部を所定パターンで設ける。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長装置、及びその装置を用いた化学気相成長法を提供する。
【解決手段】化学気相成長装置１０は、電磁放射線を放出可能である加熱要素と、電磁放射線を受け取るように加熱要素に対して配置されたレトルト１６と、レトルト１６の周りに少なくとも部分的に配置され、電磁放射線に少なくとも部分的に透過性を有する材料を含む包囲部材１８と、包囲部材１８の内面２４とレトルト１６の外面２２とにより少なくとも部分的に画定されるプレナムと、包囲部材１８及びレトルト１６の周りに少なくとも部分的に配置され加熱要素を収容する炉箱１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマＣＶＤ法により第１、２の円筒型容器に同時におおよそ同レベルのマイクロ波エネルギーが供給されることで薄膜を成膜することを特徴とする２分岐導波管を有するプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】円筒型容器７−２と、マイクロ波エネルギーを注入するアンテナ７−４と、ガス供給管７−５とを有し、前記円筒型容器７−２全体が一体の空洞共振器（同軸共振器）７−１となるものが２個以上存在し、前記円筒型容器７−２に各々マイクロ波エネルギーを注入する２個以上の導波管６と２個以上のチューナ５が設けられ、これらの２個以上の円筒型容器７−２各々にマイクロ波エネルギーの供給方向を一定にしてエネルギー分岐を実現させたサーキュレータ３とアイソレータ２で構成されたことを特徴とする２分岐導波管を有するプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】効率的なエネルギーを印加することのできるガス分離型シャワーヘッドを提供する。
【解決手段】本発明に係るガス分離型シャワーヘッドは、第１のガスと第２のガスとが分離されて供給されるガス供給モジュールと、前記供給された第１のガスと第２のガスとが分離分散されるガス分離モジュールと、複数のホールを備える中空電極(multi hollows cathode)であって、前記分離分散された第１のガスと第２のガスとが前記複数のホールでイオン化され、共通に噴射されるガス噴射モジュールと、を備える。 （もっと読む）

本発明は、一つの反復単位が、炭素、ケイ素および水素を主成分とする２〜１００層（Ａ、Ｂ）からなる１〜１０００の反復単位と、任意に機能性表面層（ＦＳＬ）を含む、低摩耗率かつ低摩擦係数の耐食性薄膜多層構造体に係わる。本発明は、そのような薄膜多層構造体を含む構成要素、およびそのような薄膜多層構造体を堆積する方法にも係わる。
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【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いて、高濃度の窒素原子がドープされたｎ型半導体ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】メチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスを水素で希釈した混合ガス、又はメチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスと炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを原料ガスとして使用し、ガス圧８０Ｔｏｒｒ（１０６６４Ｐａ）以上の条件下で、マイクロ波プラズマ化学気相蒸着法を用いて、基板表面に窒素原子を１０^２０ｃｍ^−３以上含む窒素ドープダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長後に電子線照射やアニーリング等の後処理を施さなくても、結晶品質が良好で低抵抗なＭｇドープのｐ型窒化ガリウム系半導体を低価格で得ることができ、後処理による素子の歩留まり低下を防ぐ方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法において、水素及び窒素を含む雰囲気でＶ族原料として実質的にアンモニアのみを使用して、Ｍｇをドープした前記ｐ型窒化ガリウム系半導体１０４を結晶成長させる工程と、前記結晶成長工程後に窒素及び有機窒素原料を主体とし、水素の体積率が４０％以下である雰囲気で冷却する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバ内でＧｅを含む第１前駆体とＴｅを含む第２前駆体とを同時に供給してＧｅＴｅ膜を形成する第１工程と、Ｔｅを含む第２前駆体とＳｂを含む第３前駆体とを同時に供給してＳｂＴｅ膜を形成する第２工程と、第１工程及び第２工程を反復的に行ってＧｅＳｂＴｅ膜を形成する第３工程と、を含む相変化物質薄膜の形成方法である。本発明によれば、相変化半導体メモリの製造時に前記形成方法で相変化層を形成すれば、メモリ特性が向上し、また、製造工程が簡単でコストが低減できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アンチレフレクティブ層の堆積のための安定なプロセスを提供する。
【解決手段】 ヘリウムガスを用いてプラズマ励起シラン酸化物プロセス、プラズマ励起シランオキシナイトライドプロセス及びプラズマ励起シランナイトライドプロセスの堆積速度を下げる。また、ヘリウムはプロセスを安定化するためにも用いられ、別々の膜を堆積できるようにした。本発明はまた、プロセスパラメータを制御して、所望の光学挙動を得るための最適な屈折率、吸収率及び厚さを変化させたアンチレフレクティブ層を生成する。 （もっと読む）

【課題】有機金属組成物の提供
【解決手段】ゲルマニウム含有膜の蒸着前駆体として用いるのに好適なゲルマニウム化合物を含有する組成物が提供される。かかる組成物を用いる、ゲルマニウムを含有する膜の堆積方法も提供される。かかるゲルマニウム含有膜は電子装置の製造において特に有用である。 （もっと読む）