【課題】被処理物に形成された酸化膜に対して、酸化膜中に含まれる酸素原子を分離させるために必要な量以上の水素ラジカルを照射して酸化膜を高速に除去するとともに、前記水素ラジカルを含むプラズマの温度を調整して被処理物等へダメージフリーな酸化膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物の表面の原子が酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１種類と結合することにより形成された被膜に対して、プラズマ生成用ガスに電圧を印加することにより発生したプラズマを照射して前記被膜中の前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子を除去する。 （もっと読む）

【課題】優れた摺動特性と耐摩耗性の両立を図ることのできる摺動部材を提供する。
【解決手段】摺動面が、第１材料からなり複数の凹部が規則的に配列された基部１と、上記凹部を充填する第２材料からなる充填部２とを有し、前記第１材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種からなり、前記第２材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種以上からなり、前記第１材料と前記第２材料は、摩擦係数と硬度のうちの１以上が異なり、更には、前記基部１の表面と前記充填部２の表面が単一面を形成していることを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、円滑化された表面５０を有するＣｕ層４０を得た後、水素ガスにメタンガスを添加した処理ガスを処理室１５の内部空間へ導入し、該処理ガスからプラズマを生じさせて、酸化層４２のエッチングの際に生じた酸素ラジカル５２、並びにメタンから生じた炭素ラジカル５３を処理室１５の内部空間に存在させ、酸素ラジカル５２や炭素ラジカル５３から有機酸を生成し、該有機酸をＣｕ層４０の銅原子と反応させて銅原子を含む有機酸の錯体を生成し、さらに、該生成された錯体を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷を低減し、かつ従来のプラズマストリッパーに比べて格段に高速、短時間で被皮処理ワイヤの表面処理を可能にした同軸マグネトロンプラズマストリッパーを提供する。
【解決手段】内部に動作ガスが導入される筒状の外側陽極電極１２と、外側陽極電極１２内に同軸的に配置された線状の中心陽極電極１３を備える。さらに、外側陽極電極１２内に中心陽極電極１３を囲うように配置されて軸方向に移送される陰極となる複数の被処理ワイヤ１４と、外側陽極電極１２内に軸心方向の磁界Ｂを発生させる磁界発生手段１５とを備える。被処理ワイヤ１４の周りで発生するマグネトロンプラズマ１０で被処理ワイヤ１４の表面処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】基準面からの凹面の厚さを均一化する加工方法を提供する。
【解決手段】ラジカル反応による無歪精密加工方法は、複数の凹面が形成された被加工物２０と加工電極４とを相対的に走査させて、被加工物をラジカル反応により加工する方法であって、被加工物２０の複数の凹面３１〜３６の基準面２２からの厚さを被加工面のほぼ中央の座標位置でそれぞれ個別に測定する工程と、これらの測定値を複数の凹面毎に加工電極４の走査方向に連続する近似曲線Ｃを作成する工程と、この近似曲線Ｃから厚さの最小値を算出する工程と、近似曲線Ｃに基づき任意の座標位置の基準面から厚さを算出し、任意の座標位置の基準面から厚さと最小値との差を加工量として算出する工程と、加工量に基づき、加工電極４の走査速度を算出する工程と、を有し、走査速度に基づき加工時間を制御する。このような加工方法によれば、複数の凹面の基準面２２からの厚さを均一化できる。 （もっと読む）

【課題】低気圧から高気圧まで広い動作気圧に対応できる高密度プラズマを用いて、環境負荷を低減し、かつ高速での被皮処理ワイヤの表面処理を可能にした高密度プラズマストリッパーを提供する。
【解決手段】動作ガスが導入されるチャンバ４２と、チャンバ内に配置されチャンバを貫通して移送される被処理ワイヤ４３と、チャンバ内に被処理ワイヤを取り囲むように配置され各誘電体で被覆された複数の導電体４４［４４Ａ〜４４Ｃ］と、複数の導電体のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源と、被処理ワイヤに負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源とを備える。そして、処理ワイヤ４３の周りで発生する、チャンバと被処理ワイヤとの間の直流放電と、被処理ワイヤと複数の導電体との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマで、被処理ワイヤ４４の表面処理を行う。 （もっと読む）

集積回路編集のための銅の集束イオンビームエッチング用のエッチング促進剤はイオンビームによる隣接する誘電体の損失を防ぎ、隣接面上のスパッタされ再堆積した銅を非導電性にして電気的短絡を回避する。促進剤は分子中にＮ−Ｎ結合を有し、約７０〜２２０℃の沸点を有し、ヒドラジン及び水の溶液と、ヒドラジン誘導体と、メチル、エチル、プロピル及びブチルから選択された２つの炭化水素基によって飽和したニトロソアミン誘導体と、ニトロソアミン関連化合物と、四酸化窒素とを含み、好適にはヒドラジン一水和物（ＨＭＨ）、ヒドロキシエチルヒドラジン（ＨＥＨ）、ＣＥＨ、ＢｏｃＭＨ、ＢｏｃＭＥＨ、ＮＤＭＡ、ＮＤＥＡ、ＮＭＥＡ、ＮＭＰＡ、ＮＥＰＡ、ＮＤＰＡ、ＮＭＢＡ、ＮＥＢＡ、ＮＰＹＲ、ＮＰＩＰ、ＮＭＯＲ及びカルムスチン単独、又は四酸化窒素との組合せである。促進剤は高アスペクト比（深さ）の孔の銅をエッチングするのに有効である。
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【課題】 トランジスタの動作性能劣化を引き起こす可能性を軽減しつつ、低温プロセス、かつ、高スループットで有機化合物ガスを用いた基板処理を可能とする基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Ｗと、複数のダミー基板ＤＷとを、複数段の被処理基板保持部６ａを有する被処理基板ボート５に、交互に保持させていく工程と、被処理基板Ｗ及びダミー基板ＤＷを、交互に保持した被処理基板ボート５を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート５に保持された被処理基板Ｗに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】汚染物に対する仕上げ処理等を必要とすることなく、さらには高精度かつ高効率で材料表面に凹部（くぼみ）を形成することが可能な、多孔形成方法を提供する。
【解決手段】母材の少なくとも表面部分にこの母材よりも平衡蒸気圧が高い物質が分散された被加工材１１に対して、その表面に電子ビーム１３を照射して前記物質を蒸発させ、前記被加工材の表面に凹部１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に係わる耐久性の向上と、噴孔へのデポジット付着抑制の保証とが両立する撥水層を形成する撥水層の形成方法および撥水層を備えた燃料噴射弁を提供。
【解決手段】金属基材２３１の表面２３２に形成する撥水層２３の形成方法において、前記金属素地にプラズマイオン９２を照射することにより金属素地の表面２３２に凹凸を形成する方法であって、上記金属の原子９３とプラズマイオン９２により合金９４を形成し、金属素地のうち、合金９４によりエッチングされない部位と、合金化されていない金属素地部分がエッチングされる部位とで、凹凸を形成し、前記凹凸を形成することで撥水層２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】貴金属薄膜を作製するため、ダメージを抑える金属膜（特に高融点金属）を基板の、特に微細な穴の底面だけに、均一にしかも高速に作製することができる金属膜作製装置とする。
【解決手段】タンタル（Ｔａ）製の被エッチング部材１１が備えられたチャンバ１内にハロゲンを含有する原料ガスとしてのＣｌ₂ガスを供給し、被エッチング部材１１に対してプラズマを発生させＣｌ₂ガスで被エッチング部材１１をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＴａ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体ＴａＣｌを生成し、表面に微細穴（トレンチ）が形成された基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くし、トレンチの（底面の金属被覆厚／壁面の金属被覆厚）である被覆率を１より大きくするような状態にＣｌ₂ガス成分量を調整してトレンチの底面だけにＴａ成分を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】異なる材料から成る被加工物の表面を平準化するミリング装置及びミリング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓには、基板Ｓの加工面に対して略直交する方向に沿って、ラジカル源３からラジカルが供給され、基板Ｓの加工面に対して略並行な方向に沿って、中性粒子ビーム源４から中性粒子ビームＮＢが照射される。これにより、複数の材料から構成されている基板Ｓを加工する際に、基板Ｓのうち物理エッチングに対する耐性が低い材料が用いられている箇所を、ラジカルによって基板Ｓの加工面から略直交する方向に削りすぎることなく、物理エッチングに対する耐性が高い材料を削ることができる。さらに、化学的に安定した材料が用いられている箇所を中性粒子ビームＮＢによる物理エッチングによって補助的に加工することができる。よって、ラジカルによる加工量の偏りを中性ネオンビームＮＢによって補完し、基板Ｓの加工面を平らにすることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた光学シート又はその原版として好適な凹凸パターンシート、及びその製造方法、光学シートの製造方法、並びに光学装置を提供する。
【解決手段】一方の面が、下記条件を満たす凹凸構造Ｘと凹凸構造Ｙが重畳した凹凸構造Ｚとされていることを特徴とする凹凸パターンシート。
凹凸構造Ｘ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｘが２〜２００μｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｘに対する最頻高さＨ_ｘの比Ｒ_ｘが０．３５０〜０．７１４である１次元又は２次元の凹凸構造。
凹凸構造Ｙ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｙが３〜３８０ｎｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｙに対する最頻高さＨ_ｙの比Ｒ_ｙが０．５〜１０である２次元凹凸構造。 （もっと読む）

【課題】
接点材料の表面全面を洗浄することができ、しかも、多数個の接点材料を連続的に効率よく洗浄することができる接点材料の表面洗浄装置を提供する。
【解決手段】
絶縁材料で形成された複数の反応容器１の片側を吹き出し口２として開放する。希ガスと反応性ガスをプラズマ生成用ガスとして各反応容器１に導入すると共に大気圧近傍の圧力下で各反応容器１内にグロー放電を発生させる。これらのグロー放電により生成されるプラズマ５をプラズマジェットとして各反応容器１の吹き出し口２からそれぞれ吹き出して接点材料６の表面に供給することによって接点材料６の表面の汚染物を除去する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有する銅含有アルミニウム膜及びバリアメタル膜のドライエッチングにおいて、良好な加工形状を実現する。
【解決手段】絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。即ち、銅含有アルミニウム膜の側壁保護に効果のあるメタンガスを、銅含有アルミニウム膜のドライエッチングが終了した後に添加することで、サイドエッチングを防止するのである。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れた導電板と、非合金導電層または非合金導電層と導電層と、基材となる高分子板を複数層積層してなる導電層接合材の製造方法、およびディスプレイ用途などに適用できる導電層接合材を用いてなる部品の製造方法の提供。
【解決手段】高分子板２４と非合金導電層２５と導電板２６、または高分子板２４と非合金導電層２５と導電層２７と導電板２６を複数層積層してなる導電層接合材２２，２３であって、導電層接合材２２，２３の少なくとも１つの接合面が、接合されるそれぞれの面を活性化処理した後、活性化処理面同士が対向するように当接して重ね合わせて積層接合して導電層接合材２２，２３を製造する。またこの導電層接合材２２，２３を用いてディスプレイ用途などに適用される部品を製造する。 （もっと読む）

基板を用いて電気化学セルを形成するための電極、およびその電極の製造方法。電極は、前側にパターニングされた絶縁層（７）を有するキャリア（１）を備える。電極層（４）の導電性材料がパターニングされた絶縁層の空洞にキャリアに接触して成膜される。接続層（５）が、キャリアの裏側にキャリアに接触して形成される。電極の周辺部は絶縁材料により被覆される。 （もっと読む）

本発明は、真空室２内で金属帯４を真空エッチングするマグネトロンスパッタリング方法に関し、前記帯は、対極５に対向する支持体ローラ３上で搬送される。本発明の方法は、金属帯４に近い気体中に、前記帯４に作用するラジカルおよび／またはイオンを発生するようにプラズマを生成することと、様々な固定幅を有する一連の少なくとも２つの閉じた磁気回路７から、金属帯４のそれと基本的に等しい幅を有する少なくとも１つの閉じた磁気回路７を選択することと、その後に、選択された磁気回路７を磁気帯４に対向して配置するために、それを搬送することと、移動する金属帯４をエッチングすることとに存する。本発明は、前記方法を実現するエッチング装置１にも関する。
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【課題】線状に連続する被処理物の表面を効率良く連続的にプラズマ処理することができる、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実質的に細長い開口１１を有するプラズマ処理ヘッド１０を備える。プラズマ処理ヘッド１０の開口１１は、連続する被処理物４が真っ直ぐに延在する部分において、被処理物４の表面５に沿って被処理物４の延在方向と略平行かつ被処理物４の表面５との間に隙間を設けて延在するように、配置される。被処理物４が被処理物４の延在方向にプラズマ処理ヘッド１０の開口１１に対して相対的に移動するとき、プラズマ処理ヘッド１０は、開口１１から、プラズマ化した処理ガスを被処理物４の表面５に吹き付ける。 （もっと読む）