説明

Fターム[4K057WE01]の内容

エッチングと化学研磨(つや出し) (8,564) | ウェットエッチング液(主成分) (1,720) | 無機酸又はその塩類 (955)

Fターム[4K057WE01]の下位に属するFターム

Fターム[4K057WE01]に分類される特許

41 - 60 / 71


【課題】処理されたアルミニウム合金板の材料特性、表面特性及び耐食性に優れ、更に処理効率の良好な連続処理方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金板に熱処理と表面処理とを含む一連の連続処理を施す方法であって、溶体化処理後にアルミニウム合金板を40〜130℃に冷却する工程と、冷却したアルミニウム合金板をアルカリ溶液で処理することによって、10mg/m以上のエッチング量でアルカリエッチングを施す工程と、アルカリエッチングを施したアルミニウム合金板を酸溶液で処理することによって、10mg/m以上のエッチング量で酸エッチングを施す工程と、酸エッチングを施したアルミニウム合金板を50℃以上で熱処理する工程と、を含むアルミニウム合金板の連続処理方法。 (もっと読む)


【課題】 装置を汚染せず低コストで、強アルカリを使用することなくルテニウムをエッチングできるエッチング用組成物、及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ等の基板上のルテニウムや、半導体製造装置に付着したルテニウムを、塩素及び水を含むルテニウムのエッチング用組成物でエッチングする。 (もっと読む)


【課題】低発塵性の表面処理アルミニウム材、及び低発塵性の表面処理アルミニウム材を得るアルミニウム材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】リン酸を50重量%以上100重量%未満含有した表面平滑化処理液を用いてアルミニウム材の表面を平滑化し、超音波洗浄した後、リン、珪素、及びクロムからなる群から選ばれた1種以上のオキソ酸構成元素からなるオキソ酸を含有するオキソ酸処理液で処理し、更に80〜400℃の温度で加熱処理して表面処理アルミニウム材を得る。 (もっと読む)


【課題】バルク金属と大きく異なる性質を持ち、物理分野や化学分野で注目すべき多くの機能を有すると期待されるナノ多孔質金属を提供する。
【解決手段】ナノ多孔質金属は、腐食作用を有する媒体に対して感受性を有する金属と、該腐食作用を有する媒体に対して抵抗性を有する金属と、の少なくとも二つの金属を含有する合金を、該腐食作用を有する媒体に接触せしめて、該合金を、低温条件下、ナノ多孔質金属を形成するに有効な時間の間、脱成分腐食せしめ、平均気孔サイズ約33nm以下〜約5nm以下を有しており、ローダミン6Gを表面に吸着せしめてのラマン散乱信号測定で著
しい表面増強ラマン散乱が観察されるものを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 フッ化物フリーおよび過酸化水素フリーの環境にやさしく、且つ平滑に研磨できる化学研磨液及びそれを使用したリードフレームの化学研磨方法を提供する。
【解決手段】 モノ過硫酸水素塩濃度15〜25g/L、硫酸濃度40〜60ml/Lの化研液を用いる。42合金材のFe、Niおよび介在物をほぼ均一に溶解することで、平滑且つ酸化物残渣(スマット)を発生させずに研磨することができる。また、リスクの高い物質を排除し環境に優しい研磨方法を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】より効率的に工業的規模でエッチド金属箔を提供する。
【解決手段】ポリエステル系樹脂及びイソシアネート系硬化剤を含むレジスト液によるレジスト層3aが金属箔2の一部又は全部に形成されているエッチング用金属箔積層体1。 (もっと読む)


【課題】鉄、銅系合金材料、および部品に対して、優れた化学溶解処理効果を示し、良好な光沢性、平滑性を付与する金属用化学溶解処理液。特に銅または銅合金のエッチングを行う際のサイドエッチを抑制し、微細パターン化に対応する。
【解決手段】重量パーセントで、鉱酸または有機酸0.01〜30と第二鉄イオン、第二銅イオンを含む塩0.01〜20を含有する水溶液を基本成分とする混合溶液に、スルホニウム化合物0.001〜10を主成分とし、必要に応じてアルコール類および/またはエーテル類の1種以上0.001〜10、界面活性剤の1種以上0.001〜10を添加してなる金属用化学溶解処理液。銅または銅合金のエッチング剤。 (もっと読む)


【課題】長尺なワークを処理する場合であってもダミーのワークを使用したりすることなく処理することができ、製造上の無駄を省き、多品種少量生産にも好適に対応できる搬送装置およびワークの処理方法を提供する。
【解決手段】ワーク20の送り先側の前端にワーク20よりも広幅に形成されたガイド板30が取り付けられた被搬送品を、前記ガイド板30とともに搬送するワークの搬送装置であって、前記ワーク20を支持してワーク20を前送りする搬送ローラ40と、前記ワーク20の搬送位置とは干渉しない位置に配置され、前記ガイド板30を厚さ方向にクランプしてガイド板30を前送りするクランプローラ50とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスやフラットパネルディスプレー等の電子デバイスに使用されるルテニウムにおいて、主成分に強酸を使用することなくルテニウムをエッチングできるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】バナジウム及び水を含んでなるルテニウムのエッチング用組成物では、ルテニウム以外の半導体材料にダメージがなく、ルテニウムをエッチングできる。バナジウムとしては、ハロゲン化バナジウム、メタバナジン酸塩、オキシハロゲン化バナジウム、硫酸バナジル等が用いられ、有機酸、無機酸を添加してもよい。 (もっと読む)


【課題】配線基板の微細配線形成、特に、L/S=15μm/15μm以下または配線厚み15μm以下の微細配線形成が可能な銅のエッチング処理方法およびこの方法を用いてなる配線基板を提供することである。
【解決手段】銅をエッチング処理する方法であって、銅を酸化処理して酸化銅とする工程、その後、前記酸化銅を酸性溶液で溶解する工程を有する、銅のエッチング処理方法。 (もっと読む)


【課題】可視発光が可能で膜厚の均一な多孔質シリコン膜とこの多孔質シリコン膜を簡便かつ再現性よく製造する製造方法とを提供する。また、この多孔質シリコン膜を用いた高発光効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】酸化還元電位が+0.4eV〜+1.5eVの範囲にある酸化剤を含有するフッ化水素酸(HF)水溶液を処理溶液として使用して、短時間(約1〜15分)の光照射により光アシストエッチングを実施し、シリコン結晶の表面に均一な膜厚の多孔質シリコン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の封止樹脂との密着性を向上させたリードフレームとその製造方法を提供する。
【解決手段】複数層の金属被膜が形成された半導体装置用リードフレーム101の樹脂封止予定領域内で、第一主面及び第二主面の両方の最表層にパラジウムまたはパラジウムを含む合金のめっき皮膜108を備え、その表面に選択的に酸化皮膜109が形成されている。これによって、半導体装置用リードフレーム101の最表層に選択的に形成された酸化皮膜109と樹脂封止201との密着性を高める。 (もっと読む)


【課題】 モリブデン系金属とアルミニウム系金属を主成分とした金属積層膜を一括エッチング可能で各膜のサイドエッチング量を抑制し、テーパー角度を20〜70度に制御可能な優れたエッチング液を提供すること。
【解決手段】 絶縁膜基板上に形成されたアルミニウム系金属およびモリブデン系金属の積層膜をエッチングするエッチング液であって、硫酸、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸水素アンモニウム、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、硫酸カルシウム、硫酸セリウムアンモニウム、硫酸第二鉄、硫酸銅、硫酸マグネシウム、硫酸鉛、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、アミド硫酸、アミド硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、エチレンジアミン硫酸塩、アニリン硫酸塩およびアデニン硫酸塩からなる群から選択されるスルホン酸化合物、燐酸および硝酸を含有する、エッチング液。 (もっと読む)


モールド表面をテクスチャリングするための方法、材料及びシステムが開示される。本発明の1つの方法及びシステムでは、最初のステップは、所望のテクスチャパターンの画像ファイルを生成することを含む。画像ファイルは、次に、酸エッチングレジストインクを使用してプリントするように構成されたインクジェットプリンタに出力される。酸エッチングレジストインクは、最適のインクジェットプリント特性をもたらすように配合され、且つ、優れた酸エッチングレジスト及び優れた取扱い性をもたらす。モールド表面への酸エッチングレジストの転写を可能にする1枚の担体基板上に酸エッチングレジストインクがプリントされ、その後、モールド表面は強酸でエッチングされる。 (もっと読む)


本発明は、銅または銅合金の表面を、例えば多層プリント基板に見られるソルダーマスクの如き高分子基層に対する強固な結合のために処理する方法に関する。基層は、通常、半導体デバイス、リードフレームまたはプリント基板である。 (もっと読む)


【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を30〜90度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物の提供。
【解決手段】 ふっ素化合物の濃度(ただし、ふっ化水素酸を除く)が0.01〜5質量%、特定の酸化剤の濃度が0.1〜50質量%であるエッチング液組成物。 (もっと読む)


【課題】 熱間圧延、冷間圧延、中間焼鈍、引張歪付与、最終焼鈍を順次実施して製造する電解コンデンサ電極用アルミニウム材において、最終焼鈍後のアルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決し、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材およびアルミニウム電解コンデンサを提供する。
【解決手段】 アルミニウム材のPbの含有量を0.3質量ppm以上2.5質量ppm以下とし、中間焼鈍を酸化性雰囲気中で実施し、引張歪付与後最終焼鈍前のアルミニウム材を酸化性雰囲気中で加熱する。 (もっと読む)


【課題】多量のプリコート層を形成することなく、メタル箔と触媒成分層形成スラリーとのコート性(密着性)を向上させ、均一な触媒成分層を形成し得るメタル担体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のセルを備え、該セルの内壁に凹部を有するメタル担体。
メタル担体の製造方法である。メタル担体を製造するに当たり、グラインダーを用いた精密切削加工により、メタル箔に凹部を形成する。メタル担体を製造するに当たり、レーザー加工により、メタル箔に凹部を形成する。メタル担体を製造するに当たり、ブラスト加工により、メタル箔に凹部を形成する。メタル担体を製造するに当たり、酸を用いたエッチング加工により、メタル箔に凹部を形成する。メタル担体を製造するに当たり、ローラを用いた加工により、メタル箔に凹部を形成する。 (もっと読む)


相補型金属酸化物半導体(CMOS)トランジスタの製造の間、急速な熱アニールによって金属ケイ化物の形成後、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、およびそれらの合金などの金属を除去するために有用な水性金属エッチング組成物。また、水性金属エッチング組成物は、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および/または金属窒化物を選択的に除去するために有用である。1つの調合において、水性金属エッチング組成物は、シュウ酸と、塩化物含有化合物とを含有し、他の調合において、組成物は、過酸化水素などの酸化剤と、フッ化物供給源、例えば、フルオロホウ酸とを含有する。別の特定の調合において組成物は、誘電体および基板を攻撃せずにニッケル、コバルト、チタン、タングステン、金属合金、金属ケイ化物および金属窒化物を有効にエッチングするためにフルオロホウ酸およびホウ酸を含有する。
(もっと読む)


【課題】液体の大気接触を抑制するとともに、液体の飛散を抑制する。
【解決手段】両端が閉じられた樋形状で、一方の側面に液体の注入口を、他方の側面に液体の供給口を、それぞれ有する本体と、本体の供給口に連設され、供給口から流出する液体を傾斜面に沿って流下させる傾斜板と、本体内に注入口と供給口とを仕切るように本体の長手方向に沿って配置された整流板とを備え、整流板により、本体の注入口から注入された液体を本体の長手方向に沿って流動させるとともに、上辺と下辺とのいずれか一方から液体を迂回させて供給口に誘導するよう構成する。 (もっと読む)


41 - 60 / 71