【課題】使用時に反応エリア内で鉄粉外層に形成される銅がまた廃液に酸化される現象の発生を減少し、銅の回収率を向上することができる、銅イオンと第一鉄イオンを含む廃液の処理に用いる廃液処理方法の提供。
【解決手段】本発明の銅イオンと第一鉄イオンを含む廃液の処理に用いる廃液処理方法は、保護性陰極を設けた出力端と、相対陽極を設けた投入端を含むメインリアクターに前記廃液を提供する、実質上還元態の鉄粉を前記メインリアクターと前記廃液に提供し、反応させて銅粒子を発生させる、及び前記銅粒子と反応を経た後の前記廃液を分離する、という手順を含む。このほか、本発明は塩化鉄系廃液の処理方法、塩化鉄系廃液処理装置及び塩化鉄系廃液処理システムも提供する。 （もっと読む）

【課題】より低コストで且つより効率的に、リン酸を含むエッチング廃液中のＭｏ成分及びＡｌ成分を除去して再生するエッチング廃液再生装置などを提供する。
【解決手段】エッチング廃液再生装置１は、エッチング廃液を貯留する廃液貯留槽４と、廃液貯留槽４内のエッチング廃液をそのｐＨが０〜１．０となるように希釈する希釈部５と、リン酸基がＨ型であるアミノリン酸型キレート樹脂が装填された吸着塔１４，１５と、廃液貯留槽４内のエッチング廃液を吸着塔１４，１５に供給する廃液供給部８と、吸着塔１４，１５から流出する希釈エッチング廃液から水分を除去して濃縮する濃縮部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属めっきを施す銅又は銅合金のめっき前処理として必要十分なレベルの表面状態を、むらなどの発生無く形成できる銅又は銅合金の化学研磨剤と、被めっき物としてその化学研磨剤を用いてめっき前処理を施した銅又は銅合金を用いる金属めっき方法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、銅又は銅合金表面のめっきの前処理に用いる化学研磨剤として、硫酸第二鉄、硫酸、非イオン性界面活性剤、ハロゲンイオンの各成分を含み、且つ、硫酸の含有量と硫酸第二鉄の含有量との比［硫酸の含有量］／［硫酸第二鉄の含有量］の値が１〜４である化学研磨剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しながら基板に対し処理液を循環させつつ供給して基板を処理する場合に、循環経路を通して循環する処理液の濃度を正確に管理することができる装置を提供する。
【解決手段】循環経路を通して循環する処理液の濃度を測定する濃度モニタ１４を備え、処理槽１８内で搬送ローラ２４により搬送されつつ処理された基板Ｗに付着して処理槽外へ持ち出される処理液の量を、基板１枚当たりの処理液の持ち出し量と基板の処理枚数とから算出し、算出された処理液の持ち出し量および濃度モニタ１４によって測定された処理液の濃度に基づいて、循環経路の途中に補充すべき薬液の量を算出し、算出された補充量の薬液を循環経路の途中に補充する。 （もっと読む）

【課題】クロメート処理等の防錆処理が施された内層導体回路においても、銅箔の根残りの発生を抑え、それにより導体回路間のショート不良が少なく、回路形成性に優れたプリント配線板を提供し得るエッチング液、およびこのエッチング液を用いたプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸銅を除く硫酸塩および／または硫酸水素塩と、硫酸と、過酸化水素とを含み、硫酸と硫酸銅を除く硫酸塩および／または硫酸水素塩のモル比が１以上であることを特徴とする銅のエッチング液であり、特に、前記硫酸塩または硫酸水素塩が、硫酸イオンと水素よりも卑な金属のイオンである銅のエッチング液である。 （もっと読む）

【課題】改良されたマイクロエッチング組成物及びその使用方法に関し、銅又は銅合金表面とそれに塗布される樹脂組成物との間の接合強度を向上する銅及び銅合金表面の粗化の提供。
【解決手段】本発明は、第二銅イオン源、酸、ニトリル化合物、及びハライドイオン源を含むマイクロエッチング組成物に関する。有機溶剤、モリブデンイオン源、アミン、ポリアミン、及びアクリルアミド等の他の添加剤もまた、本発明の組成物に含んでもよい。本発明は、また、高分子材料に対する銅表面の接着性を強化させる銅又は銅合金表面をマイクロエッチングする方法に関し、方法は銅又は銅合金表面を本発明の組成物と接触させる工程、その後、高分子材料を銅又は銅合金表面に接合させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハーがニッケルで汚染されるのを高度に抑制する高機能のエッチング用苛性ソーダ水溶液を提供する。
【解決手段】フェノール類を含有させた苛性ソーダ水溶液をシリコンウエハーのエッチングに供することで、シリコンウエハーの金属汚染を大幅に抑制できる。フェノール類の苛性ソーダ水溶液中の好ましい含有量は特に限定されないが、０．０１重量％以上で５重量％以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハーがニッケルで汚染されるのを高度に抑制する高機能の苛性ソーダ水溶液を提供する。
【解決手段】カルボン酸塩類を含有させた苛性ソーダ水溶液をシリコンウエハーのエッチングに供することで、シリコンウエハーの金属汚染を大幅に抑制できる。カルボン酸塩類の苛性ソーダ水溶液中の含有量は特に限定されないが、０．０１重量％以上で５重量％以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハーがニッケルで汚染されるのを高度に抑制する高機能の苛性ソーダ水溶液を提供する。
【解決手段】アルカノールアミン類を含有させた苛性ソーダ水溶液をシリコンウエハーのエッチングに供することで、シリコンウエハーの金属汚染を大幅に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に金電極または金配線を形成するためヨウ素系のエッチング液にてエッチングする際に、半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物をほぼ完全に除去すると共に、半導体装置に二次的な損傷を与えることのない洗浄液、該洗浄液を用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 ヨウ素系エッチング液によって形成された金電極または金配線を有する半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物を洗浄するための洗浄液であって、該洗浄液がチオ硫酸塩を含む水溶液である洗浄液、それを用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】銅を侵食（アタック）することなく、無電解めっきなどの触媒核として利用されたパラジウムのみを選択的に除去することができ、且つ使用安定性に優れたパラジウム除去液を提供する。
【解決手段】ａ）酸、ｂ）脂肪族または芳香族スルホン酸塩、または、スルホ基以外に硫黄原子を含まないスルホン酸以外の化合物、ｃ）亜硝酸イオン、ｄ）ハロゲンイオンを含み、ｂ）とｃ）のモル比が０．１：１〜１：１、酸の濃度が、Ｈ+濃度として０．００１質量％以上０．７質量％以下、亜硝酸イオンの濃度が０．０００１〜１０質量％の範囲、前記ハロゲンイオンの濃度が０．０３〜３０質量％の範囲、であるパラジウム除去液。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図するテーパー形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、前記有機酸塩の濃度を、０．１〜２０重量％の範囲とする。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）

【課題】 ＴＡＢテープの幅方向における導体層の研磨量をより均一化させる。
【解決手段】 導体層を研磨する薬液を溜める噴出容器をＴＡＢテープの幅方向に複数備えており、複数の噴出容器は、噴出容器内に薬液を供給する薬液導入口と、噴出容器の上端部から薬液を噴出させて搬送中のＴＡＢテープの導体層に接触させる噴出口と、噴出容器内であって噴出口の下方に設けられ薬液の噴出速度を制御する整流板と、をそれぞれ備えている。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、フッ酸以外の無機酸を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金表面と樹脂との密着性に優れた表面粗化剤を提供すること、及び粗化後の銅表面の酸化を防止することができる表面粗化剤を提供すること。
【解決手段】銅又はその合金からなる表面を粗化するための表面粗化剤であって、硫酸、過酸化水素、５−アミノテトラゾール、５−アミノテトラゾール以外のテトラゾール化合物、及びホスホン酸系キレート剤を含有することを特徴とする表面粗化剤。 （もっと読む）

【課題】薄板の端部の損傷部を除去し薄板が薄くなることによる強度低下を軽減した薄板の処理方法。
【解決手段】端面付近に損傷部を有する金属材料および半導体材料の少なくともどちらか一方を含む薄板の処理方法であって、前記薄板の端面付近をエッチング液等の処理液に浸漬し、その後エッチング液を洗浄することで前記損傷部を除去する薄板処理方法及び薄板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】超微細金属加工品を確実に保護するとともに、加工面に所望のパターンを形成することが可能な方法を提供する。
【解決手段】金属表面に超微細加工を施した超微細金属加工品の保護・パターン形成方法であって、超微細金属加工品１の少なくとも加工面２に、超微細金属加工品１を構成する金属よりも大きなエッチング選択性を有し、かつ、この金属との界面で元素の拡散が生じない金属からなる保護層１１を形成し、この保護層１１上にエッチングレジスト１２を所望のパターンで設け、上記のエッチングレジスト１２をマスクとして、露出している保護層１１をエッチングして除去することにより保護層１１からなるパターンを形成する。 （もっと読む）

エッチングおよび回収の方法が記載される、ここでは、銅製の物品は、Ｃｕ^０からＣｕ^＋に酸化するためのＣｕ^２＋、塩素イオン、Ｃｕ^＋をＣｕ^２＋に酸化する酸化剤、およびｐＨを調節する塩酸を含有するエッチング化学薬液の酸水溶液でエッチングされる。解決されるべき技術的問題は、プロセス間で閉回路が維持される様式において、使用済みエッチング溶液の回収の間、エッチングプロセスと回収プロセスとの間でエッチング溶液を循環することを可能にすることである。このことは、使用済みエッチング溶液よりも低い量のＣｕ^２＋を含有する再生エッチング溶液が生成されること、および回収プロセスが、回収されたエッチング溶液が、Ｃｕ^２＋が有機抽出溶液中で抽出され得る銅錯体を形成する錯体形成化合物の有機抽出溶液と混合される、抽出工程を有することにおいて達成され、その後２つの混合された液体は、当該銅錯体を含有する有機抽出溶液と、再生エッチング溶液とを得るために再度分離される。方法は、１．５を上回るｐＨおよび高い銅含有量を有するエッチング溶液を用いて行われる。 （もっと読む）

【課題】プリント配線基板表面に金属の残留量が著しく少なくマイグレーションの発生を防止する。
【解決手段】複数のエッチング工程によりプリント配線基板を製造するに際して、導電性金属層を選択的にエッチングして除去すると共に、基材金属層を形成するＮｉ金属を溶解する第１処理液と接触させて除去し、第１処理液とは異なる化学組成を有し、且つ導電性金属に対するよりも基材金属層形成金属であるＣｒに対して高い選択性で作用する第２処理液と接触させて基材金属層に含有されるＣｒを不働態化し、かつ絶縁フィルム上に残存するＣｒを不働態化するとともに、、該配線パターンが形成されていない絶縁フィルムの表層面に残存する基材金属層を形成したいた不働態化されたＣｒを絶縁フィルム表層面と共に除去し、該配線パターンが形成された絶縁フィルムを、さらに、還元性を有する有機酸等を含有する還元性水溶液と接触させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも２工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 （もっと読む）